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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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BU941ZT | 3.6200 | ![]() | 4112 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차 | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BU941 | 150 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 350 v | 15 a | 100µA | npn-달링턴 | 1.8V @ 250MA, 10A | 300 @ 5a, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | STL125N8F7AG | 2.9400 | ![]() | 5886 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 120A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 5570 pf @ 40 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | E-ULQ2003D1 | - | ![]() | 5676 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ULQ2003 | - | 16- 형의 행위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 50V | 500ma | - | 7 npn 달링턴 | 1.6V @ 500µa, 350ma | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | STPS3045CR | 1.5800 | ![]() | 997 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STPS3045 | Schottky | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 45 v | 15a | 570 mV @ 15 a | 200 µa @ 45 v | 200 ° C (() | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | stf11nm60n | - | ![]() | 3990 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 450mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 25V | 850 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MMBTA92 | - | ![]() | 4042 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | STS5PF30L | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS5P | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5A (TC) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | ± 16V | 1350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STBV32G-AP | 0.6400 | ![]() | 842 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | STBV32 | 1.5 w | TO-92AP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 1.5 a | 1MA | NPN | 1.5v @ 500ma, 1.5a | 5 @ 1a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP14NM65N | - | ![]() | 2801 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP14N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 25V | 1300 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB5N62K3 | - | ![]() | 9086 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB5N | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 620 v | 4.2A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.1a, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BU806 | - | ![]() | 8542 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BU806 | 60 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 200 v | 8 a | 100µA | npn-달링턴 | 1.5V @ 50MA, 5A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP4NK50ZFP | - | ![]() | 3224 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP4N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 3A (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 310 pf @ 25 v | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP4LN80K5 | 1.5500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP4LN80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 3A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 1a, 10V | 5V @ 100µa | 3.7 NC @ 10 v | ± 30V | 122 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stl8n10lf3 | 1.9100 | ![]() | 6029 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL8 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 20A (TC) | 5V, 10V | 35mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 970 pf @ 25 v | - | 4.3W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACS302-5T3-TR | - | ![]() | 5470 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ASD ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) | ACS302 | 20- 의자 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 정렬 | 45 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 500 v | 200 MA | 900 MV | 7.3A, 7.6A | 5 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BTA08-600BWRG | 1.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BTA08 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 50 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 8 a | 1.3 v | 80a, 84a | 50 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP56-16 | 0.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BCP56 | 1.6 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BD910 | - | ![]() | 9546 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BD910 | 90 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 15 a | 1MA | PNP | 3V @ 2.5A, 10A | 15 @ 5a, 4v | 3MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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