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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 전원 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STGIPS20K60 STMicroelectronics STGIPS20K60 17.7023
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) IGBT stgips20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-10573-5 귀 99 8541.29.0095 11 3 단계 17 a 600 v 2500VDC
STD8NM60N STMicroelectronics std8nm60n -
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std8n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 650mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 25V 560 pf @ 50 v - 70W (TC)
STPS40SM60CR STMicroelectronics STPS40SM60CR -
RFQ
 ECAD 5047 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS40 Schottky i2pak - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 625 mV @ 20 a 90 µa @ 60 v 150 ° C (°)
STU13N60M2 STMicroelectronics STU13N60M2 1.6700
RFQ
 ECAD 5516 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU13 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13885-5 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 580 pf @ 100 v - 110W (TC)
STWA88N65M5 STMicroelectronics STWA88N65M5 18.6700
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STWA88 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 84A (TC) 10V 29mohm @ 42a, 10V 5V @ 250µA 204 NC @ 10 v ± 25V 8825 pf @ 100 v - 450W (TC)
STD20NF10T4 STMicroelectronics STD20NF10T4 1.3700
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD20 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A (TC) 10V 45mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 85W (TC)
STFI13N65M2 STMicroelectronics STFI13N65M2 2.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak STFI13N MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 590 pf @ 100 v - 25W (TC)
STGIPS20C60-H STMicroelectronics STGIPS20C60-H -
RFQ
 ECAD 4317 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) IGBT stgips20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 11 3 단계 20 a 600 v 2500VRMS
STGW25H120F2 STMicroelectronics STGW25H120F2 7.7800
RFQ
 ECAD 5933 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW25 기준 375 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1200 v 50 a 100 a 2.6V @ 15V, 25A 600µJ (on), 700µJ (OFF) 100 NC 29ns/130ns
STPSC30G12WL STMicroelectronics STPSC30G12WL 15.0400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 STPSC30 - 1 (무제한) 497-STPSC30G12WL 귀 99 8541.10.0080 30
IRF840 STMicroelectronics IRF840 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF8 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-2731-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 832 pf @ 25 v - 125W (TC)
SCT50N120 STMicroelectronics SCT50N120 39.7200
RFQ
 ECAD 474 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT50 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 65A (TC) 20V 69mohm @ 40a, 20V 3V @ 1mA 122 NC @ 20 v +25V, -10V 1900 pf @ 400 v - 318W (TC)
STGW40S120DF3 STMicroelectronics STGW40S120DF3 -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW40 기준 468 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 15ohm, 15V 355 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 80 a 160 a 2.15V @ 15V, 40A 1.43mj (on), 3.83mj (OFF) 129 NC 35ns/148ns
STGIB10CH60TS-X STMicroelectronics STGIB10CH60TS-X 15.6900
RFQ
 ECAD 8572 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.146 ", 29.10mm) IGBT STGIB10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STGIB10CH60TS-X 귀 99 8542.39.0001 156 3 상 인버터 15 a 600 v 1500VRMS
STD3PK50Z STMicroelectronics STD3PK50Z -
RFQ
 ECAD 4500 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std3pk MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 500 v 2.8A (TC) 10V 4ohm @ 1.4a, 10V 4.5V @ 100µa 20 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 70W (TC)
STF7N65M6 STMicroelectronics STF7N65M6 0.8659
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF7 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 990mohm @ 2.5a, 10V 3.75V @ 250µA 6.9 NC @ 10 v ± 25V 220 pf @ 100 v - 20W (TC)
STPS40M80CT STMicroelectronics STPS40M80CT 2.0900
RFQ
 ECAD 9679 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS40 Schottky TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 20A 735 mv @ 20 a 65 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STGWA25IH135DF2 STMicroelectronics stgwa25ih135df2 3.9400
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 stmicroelectronics * 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 497-STGWA25IH135DF2 30
STB20N60M2-EP STMicroelectronics STB20N60M2-EP -
RFQ
 ECAD 7613 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB20 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V - 4.75V @ 250µA 22 nc @ 10 v - - -
STL7DN6LF3 STMicroelectronics stl7dn6lf3 1.7200
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL7 MOSFET (금속 (() 52W Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 20A 43mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 8.8nc @ 10V 432pf @ 25v 논리 논리 게이트
STL7N10F7 STMicroelectronics stl7n10f7 1.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL7 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7A (TJ) 10V 35mohm @ 3.5a, 10V 4.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 920 pf @ 50 v - 2.9W (TA), 50W (TC)
STGIK10M120T STMicroelectronics STGIK10M120T 49.9900
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 stmicroelectronics sllimm 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 30-powerdip ip (1.413 ", 35.90mm) IGBT STGIK10 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 497-STGIK10M120T 귀 99 8542.39.0001 72 3 상 인버터 10 a 1.2kV 2500VRMS
SD2932BW STMicroelectronics SD2932BW 180.7559
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 - SD2932 - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 15 - - - - -
STGIPN3H60-E STMicroelectronics STGIPN3H60-E -
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 stmicroelectronics SLLIMM ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (0.846 ", 21.48mm) IGBT STGIPN3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 476 3 상 인버터 3 a 600 v 1000VRMS
STGP19NC60S STMicroelectronics STGP19NC60S 4.1700
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP19 기준 130 W. TO-220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 480V, 12a, 10ohm, 15V - 600 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V, 12a 135µJ (on), 815µJ (OFF) 54.5 NC 17.5ns/175ns
STB80NF55-08AG STMicroelectronics STB80NF55-08AG 3.0600
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB80 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 20V 3740 pf @ 15 v - 300W (TC)
STPS5H100SF STMicroelectronics STPS5H100SF 0.7100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn STPS5 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 8 µa @ 100 v 175 ° C (°) 5a -
STTH3R04 STMicroelectronics STTH3R04 -
RFQ
 ECAD 9586 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 STTH3R 기준 Do-201ad 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 400 v 175 ° C (°) 3A -
STPS61H100CWY STMicroelectronics STPS61H100CWY 2.2800
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STPS61 Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-STPS61H100CWY 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 810 mV @ 30 a 16 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
BDW94C STMicroelectronics BDW94C 1.0100
RFQ
 ECAD 7841 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BDW94 80 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 12 a 1MA pnp- 달링턴 3V @ 100MA, 10A 750 @ 5a, 3v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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