| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 대책악 | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STTH2003CFP | 1.8700 | ![]() | 28 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STTH2003 | 기준 | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 300V | 10A | 1.25V @ 10A | 35ns | 300V에서 20μA | 175°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH200W03TV1 | - | ![]() | 5710 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | SOT-227-4, 미니블록 | STTH2 | 기준 | 동위원소 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-13400 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 2개의 면 | 300V | 100A | 1.5V @ 100A | 50ns | 300V에서 100μA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T1235T-8R | 1.2900 | ![]() | 863 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | T1235 | TO-220 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-18029 | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 40mA | 터니스터 - 스너비스 | 800V | 12A | 1.3V | 90A, 95A | 35mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP14NK60Z | - | ![]() | 5984 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 슈퍼메쉬™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP14N | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 13.5A(Tc) | 10V | 500m옴 @ 6A, 10V | 100μA에서 4.5V | 75nC @ 10V | ±30V | 2220pF @ 25V | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LET9045F | - | ![]() | 6637 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 80V | M250 | LET9045 | 960MHz | LDMOS | M250 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 9A | 300mA | 59W | 17.7dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF16NF25 | 2.3200 | ![]() | 6632 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ II | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | STF16 | MOSFET(금속) | TO-220FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 250V | 14A(TC) | 10V | 235m옴 @ 6.5A, 10V | 4V @ 250μA | 18nC @ 10V | ±20V | 680pF @ 25V | - | 25W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STPS40SM120CTN | 2.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-220-3 | STPS40 | 쇼트키 | TO-220AB 좁은 기록 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 120V | 20A | 830mV @ 20A | 120V에서 275μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB33N60M2 | 4.6400 | ![]() | 2652 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II 플러스 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STB33 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 26A(TC) | 10V | 125m옴 @ 13A, 10V | 4V @ 250μA | 45.5nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1781pF | - | 190W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA50H65DFB2 | 4.3600 | ![]() | 2892 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGWA50 | 기준 | 272W | TO-247 긴 리드 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STGWA50H65DFB2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 50A, 4.7옴, 15V | 92ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 86A | 150A | 2V @ 15V, 50A | 910μJ(켜짐), 580μJ(꺼짐) | 151nC | 28ns/115ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STIPN2M50-H | 7.7800 | ![]() | 473 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | SLLIMM™ | 튜브 | 마지막 구매 | 스루홀 | 26-PowerDIP 모듈(0.846", 21.48mm) | MOSFET | STIPN2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 17 | 3상 인버터 | 2A | 500V | 1000Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJD340T4 | 0.8600 | ![]() | 291 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MJD340 | 15W | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 300V | 500mA | 100μA(ICBO) | NPN | - | 30 @ 50mA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW28N60DM2 | 4.2200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW28 | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 21A(TC) | 10V | 160m옴 @ 10.5A, 10V | 5V @ 250μA | 34nC @ 10V | ±25V | 100V에서 1500pF | - | 170W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPST5H100UF | 0.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 에코팩®2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | 3-SMB, 플랫 리드 | STPST5 | 쇼트키 | SMB플랫-3L | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 680mV @ 5A | 100V에서 11.5μA | 175°C | 5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL42P6LLF6 | 1.9100 | ![]() | 9744 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ F6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | STL42 | MOSFET(금속) | 파워플랫™(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-15479-1 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 60V | 42A(Tc) | 4.5V, 10V | 26m옴 @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 30nC @ 4.5V | ±20V | 3780pF @ 25V | - | 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACS102-6T1-TR | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | ACS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -30°C ~ 125°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | ACS102 | 8-SOIC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 하나의 | 20mA | 터니스터 - 스너비스 | 600V | 200mA | 900mV | 7.3A, 7.6A | 5mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP3HF60HD | 1.1700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STGP3 | 기준 | 38W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 1.5A, 100옴, 15V | 85ns | - | 600V | 7.5A | 18A | 2.95V @ 15V, 1.5A | 19μJ(켜짐), 12μJ(꺼짐) | 12nC | 11ns/60ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW14NM65N | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STW14N | MOSFET(금속) | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 650V | 12A(TC) | 10V | 380m옴 @ 6A, 10V | 4V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±25V | 50V에서 1300pF | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA20H65DFB2 | 3.1000 | ![]() | 52 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | HB2 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | STGWA20 | 기준 | 147W | TO-247 긴 리드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STGWA20H65DFB2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20A, 10옴, 15V | 215ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 40A | 60A | 2.1V @ 15V, 20A | 265μJ(켜짐), 214μJ(꺼짐) | 56nC | 16ns/78.8ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP11NM60 | 4.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -65°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP11 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 11A(티씨) | 10V | 450m옴 @ 5.5A, 10V | 5V @ 250μA | 30nC @ 10V | ±25V | 25V에서 1000pF | - | 160W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD790AT4 | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | 성병790 | 15W | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30V | 3A | 10μA(ICBO) | PNP | 700mV @ 100mA, 3A | 100 @ 500mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD70R1K3S | 0.2705 | ![]() | 3457 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | 성병70 | MOSFET(금속) | TO-251(IPAK) | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-STD70R1K3S | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 700V | 5A(Tc) | 10V | 1.4옴 @ 1.75A, 10V | 250μA에서 3.75V | 4.1nC @ 10V | ±25V | 100V에서 175pF | - | 77W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS7C4F30L | - | ![]() | 9714 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | STripFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | STS7C4 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N 및 P 채널 | 30V | 7A, 4A | 22m옴 @ 3.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 23nC @ 5V | 1050pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1635T-8G | 0.5159 | ![]() | 4277 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | 스너비스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | T1635 | D²PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,000 | 하나의 | 45mA | 터니스터 - 스너비스 | 800V | 16A | 1.3V | 120A, 126A | 35mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STW1695 | - | ![]() | 6519 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 2STW | 100W | TO-247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 140V | 10A | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 700mA, 7A | 70 @ 3A, 4V | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS8H100G | 1.5500 | ![]() | 196 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS8H | 쇼트키 | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 100V | 710mV @ 8A | 100V에서 4.5μA | 175°C(최대) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCTH70N120G2V-7 | 31.3814 | ![]() | 9609 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA | SiCFET(탄화규소) | H2PAK-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 1200V | 90A(Tc) | 18V | 30m옴 @ 50A, 18V | 4.9V @ 1mA | 150nC @ 18V | +22V, -10V | 800V에서 3540pF | - | 469W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH3BCF060U | 0.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | DO-214AA, SMB | STTH3 | 기준 | 건축 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 600V | 1.7V @ 3A | 35ns | 600V에서 3μA | 175°C(최대) | 3A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP30H60DFB | 3.2300 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STGP30 | 기준 | 260W | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 497-16483-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 30A, 10옴, 15V | 53ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 60A | 120A | 2V @ 15V, 30A | 383μJ(켜짐), 293μJ(꺼짐) | 149nC | 37ns/146ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP9NM60N | 2.7000 | ![]() | 6623 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | MDmesh™ II | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | STP9NM60 | MOSFET(금속) | TO-220 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 6.5A(Tc) | 10V | 745m옴 @ 3.25A, 10V | 4V @ 250μA | 17.4nC @ 10V | ±25V | 50V에서 452pF | - | 70W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS0540ZY | 0.4400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ST마이크로일렉트로닉스 | Q 자동차 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SOD-123 | STPS0540 | 쇼트키 | SOD-123 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 40V | 500mV @ 500mA | 40V에서 40μA | -40°C ~ 150°C | 500mA | - |

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