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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STGF35HF60W STMicroelectronics STGF35HF60W 2.6800
RFQ
 ECAD 857 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STGF35 기준 40 W. TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 20A, 10ohm, 15V - 600 v 19 a 150 a 2.5V @ 15V, 20A 290µJ (ON), 185µJ (OFF) 140 NC 30ns/175ns
STP20NM50FD STMicroelectronics STP20NM50FD 6.9800
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP20 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -497-6739-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1380 pf @ 25 v - 192W (TC)
STN2NE10 STMicroelectronics STN2NE10 -
RFQ
 ECAD 3268 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA stn2n MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 2A (TC) 10V 400mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 305 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
Z0107MN6AA4 STMicroelectronics Z0107MN6AA4 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA Z0107 SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 4,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 5 MA
STPS1045B-TR STMicroelectronics STPS1045B-TR 0.7100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STPS1045 Schottky DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 630 mv @ 10 a 100 µa @ 45 v 175 ° C (°) 10A -
STTH810FP STMicroelectronics STTH810FP 2.5000
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 STTH810 기준 TO-220FPAC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 2 V @ 8 a 85 ns 5 µa @ 1000 v 175 ° C (°) 8a -
STTH802G-TR STMicroelectronics STTH802G-TR 1.7400
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH802 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.05 V @ 8 a 30 ns 6 µa @ 200 v 175 ° C (°) 8a -
STB200NF03T4 STMicroelectronics STB200NF03T4 1.9522
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB200 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 120A (TC) 10V 3.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 4950 pf @ 25 v - 300W (TC)
STPS15M80CFP STMicroelectronics STPS15M80CFP -
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STPS15 Schottky TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 7.5A 725 MV @ 7.5 a 25 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STPST3H100UF STMicroelectronics STPST3H100UF 0.4400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 3-SMB,, 리드 STPST3 Schottky smbflat-3l - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 755 MV @ 3 a 5.7 µa @ 100 v 175 ° C 3A -
MD1802FX STMicroelectronics MD1802FX -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOWATT218FX MD1802 57 W. Isowatt-218fx 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-8755-5 귀 99 8541.29.0095 30 700 v 10 a 200µA NPN 1.5V @ 1.25a, ​​5a 5.5 @ 5a, 5V -
Z0402MB STMicroelectronics Z0402MB 0.6000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics ecopack2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,500 하나의 5 MA 기준 600 v 4 a 1.3 v 15a, 16a 3 MA
STPST5H100AF STMicroelectronics STPST5H100AF 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 STPST5 Schottky SOD128FLAT - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 680 mV @ 5 a 11.5 µa @ 100 v 175 ° C 5a -
STB12NM50T4 STMicroelectronics STB12NM50T4 4.6300
RFQ
 ECAD 8571 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB12N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 550 v 12A (TC) 10V 350mohm @ 6a, 10V 5V @ 50µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 160W (TC)
STTH3002CT STMicroelectronics STTH3002CT 2.3700
RFQ
 ECAD 4144 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STTH3002 기준 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 15a 1.05 V @ 15 a 22 ns 20 µa @ 200 v 175 ° C (°)
STTH8R04G STMicroelectronics STTH8R04G -
RFQ
 ECAD 7026 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH8R04 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 8 a 50 ns 10 µa @ 400 v -40 ° C ~ 175 ° C 8a -
STPS10H100SFY STMicroelectronics STPS10H100SFY 0.8900
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn STPS10 Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 10A 845 MV @ 10 a 8 µa @ 100 v -40 ° C ~ 175 ° C
STPS16150CG-TR STMicroelectronics STPS16150CG-TR -
RFQ
 ECAD 1795 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS16150 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 8a 920 MV @ 8 a 3 µa @ 150 v 175 ° C (°)
STH410N4F7-2AG STMicroelectronics STH410N4F7-2AG 3.6291
RFQ
 ECAD 9778 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH410 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 200a (TC) 10V 1.1MOHM @ 90A, 10V 4.5V @ 250µA 141 NC @ 10 v ± 20V 11500 pf @ 25 v - 365W (TC)
STGW20V60F STMicroelectronics STGW20V60F 3.8700
RFQ
 ECAD 175 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW20 기준 167 w TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V, 20A 200µJ (on), 130µJ (OFF) 116 NC 38ns/149ns
T835H-8G-TR STMicroelectronics T835H-8G-TR 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics 시간 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T835 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-T835H-8G-TR 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 8 a 1.3 v 80a, 84a 35 MA
STL287N4F7AG STMicroelectronics STL287N4F7AG -
RFQ
 ECAD 8206 0.00000000 stmicroelectronics * 테이프 & tr (TR) 활동적인 STL287 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 3,000
STD3NK50Z-1 STMicroelectronics STD3NK50Z-1 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA std3n MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 2.3A (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50µA 15 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 45W (TC)
PD55025S-E STMicroelectronics PD55025S-E 29.6600
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 40 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD55025 500MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 7a 200 MA 25W 14.5dB - 12.5 v
STGW40V60DF STMicroelectronics STGW40V60DF 4.2900
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW40 기준 283 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13766-5 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 41 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V, 40A 456µJ (ON), 411µJ (OFF) 226 NC 52ns/208ns
STP8NK85Z STMicroelectronics STP8NK85Z -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP8N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 850 v 6.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 3.35a, 10V 4.5V @ 100µa 60 nc @ 10 v ± 30V 1870 pf @ 25 v - 150W (TC)
STAC0912-250 STMicroelectronics STAC0912-250 -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 80 v 섀시 섀시 STAC265B STAC0912 960MHz ~ 1.215GHz LDMOS STAC265B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 90 2µA 285W 16.3db -
STD15P6F6AG STMicroelectronics std15p6f6ag 1.0300
RFQ
 ECAD 2144 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 10A (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 340 pf @ 48 v - 35W (TC)
STP52N25M5 STMicroelectronics STP52N25M5 4.1100
RFQ
 ECAD 551 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP52N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 28A (TC) 10V 65mohm @ 14a, 10V 5V @ 100µa 47 NC @ 10 v ± 25V 1770 pf @ 50 v - 110W (TC)
STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7 1.4000
RFQ
 ECAD 8948 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL20 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 5.4mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 3W (TA), 78W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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