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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| STD3NK100Z | 2.4600 | | 1348 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD3NK100 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 1000 v | 2.5A (TC) | 10V | 6ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 601 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | STPS2H100AY | 0.9900 | | 6573 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Q 자동차 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | STPS2 | Schottky | SMA (DO-214AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 790 MV @ 2 a | 1 µa @ 100 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 2A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | T850-6g | 1.2900 | | 997 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | T850 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 50 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 8 a | 1.2 v | 80a, 84a | 50 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| BTA08-700CRG | - | | 5335 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BTA08 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 25 MA | 기준 | 700 v | 8 a | 1.3 v | 80a, 84a | 25 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPS20170CG-TR | 2.0300 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS20170 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 170 v | 10A | 900 mV @ 10 a | 15 µa @ 170 v | 175 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PD20015C | 62.6200 | | 30 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 상자 | 쓸모없는 | 40 v | M243 | PD20015 | 2GHz | LDMOS | M243 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 7a | 350 MA | 15W | 11db | - | 13.6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STB70NF03L-1 | - | | 2675 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STB70N | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 9.5mohm @ 35a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STF110N10F7 | - | | 3936 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 45A (TC) | 10V | 7mohm @ 22.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 5117 pf @ 50 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| stgipl10c60 | - | | 9721 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 튜브 | 활동적인 | STGIPL10 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 120 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STPSC20065DY | 8.3400 | | 693 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPSC20065 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16557-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.45 V @ 20 a | 0 ns | 150 µa @ 600 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 20A | 1250pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STS2DPF80 | - | | 1894 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS2D | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 80V | 2A | 250mohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 20NC @ 10V | 739pf @ 25v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP5NK100Z | 4.1300 | | 2891 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP5NK100 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4382-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1000 v | 3.5A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 1.75a, 10V | 4.5V @ 100µa | 59 NC @ 10 v | ± 30V | 1154 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACST1235-7GTR | 2.2000 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ACS ™/ASD® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | ACST1235 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 50 MA | 기준 | 700 v | 12 a | 1 v | 120a, 126a | 35 MA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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