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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | MD2103DFX | - | ![]() | 9401 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | MD2103 | 52 W. | to-3pf | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 v | 6 a | 200µA | NPN | 1.8V @ 750MA, 3A | 6.5 @ 3A, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T810-600B-TR | 1.6200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | T810 | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 하나의 | 15 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 600 v | 8 a | 1.3 v | 80a, 84a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACS102-5TA | - | ![]() | 4049 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ASD ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | ACS102 | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 하나의 | 20 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 500 v | 200 MA | 900 MV | 7.3a, 8a | 5 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACS110-7SN | 1.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ASD ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | ACS110 | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 45 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 700 v | 1 a | 1 v | 8a, 11a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0410NF 1AA2 | - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-202 탭이 2 | Z0410 | TO-202-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 하나의 | 25 MA | 기준 | 800 v | 4 a | 1.3 v | 20A, 21A | 25 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA9012TV2 | - | ![]() | 8656 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Turboswitch ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 동위 동위 | STTA90 | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 1200 v | 45A | 2.05 V @ 45 a | 115 ns | 200 µa @ 960 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC10H12DY | 7.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK® | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPSC10 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17244 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.5 V @ 10 a | 0 ns | 60 µa @ 1200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 725pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS2DPFS20V | - | ![]() | 3345 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | STS2D | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TC) | 2.7V, 4.5V | 200mohm @ 1a, 4.5v | 600MV @ 250µa (최소) | 4.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 315 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1635T-8I | 2.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | T1635 | to-220Ab 단열 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 45 MA | 대안 - 너버리스 스 | 800 v | 16 a | 1.3 v | 120a, 126a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530 | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2780-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 458 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB40N20 | - | ![]() | 4332 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB40N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 40A (TC) | 10V | 45mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD3932 | - | ![]() | 5311 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 250 v | M244 | SD3932 | 123MHz | MOSFET | M244 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 2 n 채널 (채널) | 20A | 250 MA | 425W | 26.8dB | - | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STR2240 | - | ![]() | 9085 | 0.00000000 | stmicroelectronics | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | 2STR2240 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 12,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD60NF55LT4 | 1.8100 | ![]() | 8924 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 56 NC @ 5 v | ± 15V | 1950 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stgips10k60t-h | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | stmicroelectronics | SLLIMM ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 25-powerdip ip (0.993 ", 25.23mm) | IGBT | STGIPS10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 11 | 3 단계 | 10 a | 600 v | 2500VRMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF21N65M5 | 4.9500 | ![]() | 8190 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF21 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 17A (TC) | 10V | 190mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1950 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW40N90K5 | 17.9700 | ![]() | 6418 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW40 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 40A (TC) | 10V | 99mohm @ 20a, 10V | 5V @ 100µa | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 3260 pf @ 100 v | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP270N4F3 | - | ![]() | 8758 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP270 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.9mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 7400 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TXN692RG | - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TXN692 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 MA | 800 v | 20 a | 250A, 260A | 25 MA | 1.4 v | 13 a | 10 µA | 표준 표준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTW69-1200RG | 12.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 구멍을 구멍을 | 상위 3 | BTW69 | 상위 3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 30 | 150 MA | 1.2kV | 50 a | 1.3 v | 580A, 610A | 80 MA | 1.9 v | 32 a | 10 µA | 표준 표준 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL200N45LF7 | - | ![]() | 8448 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL200 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 45 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 18a, 10V | 1.2V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5170 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP7N65M2 | 1.4200 | ![]() | 965 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP7N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 5A (TC) | 10V | 1.15ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | ± 25V | 270 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stfiled625 | - | ![]() | 1555 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-262-3 2 팩 팩, i²pak | stfile | MOSFET (금속 (() | I2PAKFP (TO-281) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 620 v | 4.5A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.9a, 10V | 4.5V @ 50µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 560 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STTH102RL | 0.4700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | STTH102 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 970 MV @ 1 a | 20 ns | 1 µa @ 200 v | 175 ° C (°) | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA2512P | - | ![]() | 8826 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Turboswitch ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | SOD-93-2 | STTA251 | 기준 | SOD-93 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 1200 v | 25A | 2.1 V @ 25 a | 110 ns | 150 µa @ 480 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH30R06P | - | ![]() | 8475 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | SOD-93-2 | STTH30 | 기준 | SOD-93-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4631-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 300 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.85 V @ 30 a | 70 ns | 25 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB50N65DM6 | 4.5693 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB50 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-stb50n65dm6tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 33A (TC) | 10V | 91mohm @ 16.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 52.5 nc @ 10 v | ± 25V | 2300 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL62P3LLH6 | - | ![]() | 5585 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL62 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 62A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 7a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 33 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3350 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP16NS25 | - | ![]() | 2463 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 메쉬 메쉬 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP16N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 16A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | ± 20V | 1270 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA12-600CW | - | ![]() | 7034 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BTA12 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 250 | 하나의 | 35 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 12 a | 1.3 v | 120a, 126a | 35 MA |
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