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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | STB6N52K3 | - | ![]() | 5389 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB6N | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 525 v | 5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 670 pf @ 50 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF60N55F3 | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ iii | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF60N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 32a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2st2121 | - | ![]() | 1210 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2st21 | 250 W. | TO-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-8739 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 250 v | 17 a | 5µA (ICBO) | PNP | 3V @ 800ma, 8a | 80 @ 1a, 5V | 25MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD46P4LLF6 | 1.6500 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD46 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 46A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 23a, 10V | 2.5V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3525 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | STO33N60M6 | 5.1400 | ![]() | 88 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | STO33 | MOSFET (금속 (() | 통행료 (HV) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 33.4 NC @ 10 v | ± 25V | 1515 pf @ 100 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS69-05WFILM | - | ![]() | 8286 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BAS69 | Schottky | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 15 v | 10MA (DC) | 570 mV @ 10 ma | 230 na @ 15 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL40N10F7 | 1.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL40 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 10V | 24mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 1270 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T810T-8G | 0.9400 | ![]() | 5979 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | T810 | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-T810T-8G | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 8 a | 1.3 v | 60a, 63a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STK22N6F3 | 4.2100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | Polarpak® | STK22 | MOSFET (금속 (() | Polarpak® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 22A (TC) | 10V | 6MOHM @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 5.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW28NM50N | 8.0100 | ![]() | 579 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW28 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10718-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 21A (TC) | 10V | 158mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1735 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACST830-8FP | 1.6900 | ![]() | 7298 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ACS ™/ASD® | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | ACST830 | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 30 MA | 기준 | 800 v | 8 a | 1 v | 80a, 84a | 30 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW12N150K5 | 10.8400 | ![]() | 4711 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW12 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-16027-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1500 v | 7A (TC) | 10V | 1.9ohm @ 3.5a, 10V | 5V @ 100µa | 47 NC @ 10 v | ± 30V | 1360 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | x0405MB | 0.5500 | ![]() | 7886 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ecopack2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-x0405mbtr | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 5 MA | 600 v | 4 a | 800 MV | 30A, 33A | 50 µA | 1.8 v | 2.5 a | 5 µA | 민감한 민감한 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STWA40N90K5 | 15.6600 | ![]() | 2098 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA40 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 40A (TC) | 10V | 99mohm @ 20a, 10V | 5V @ 100µa | 89 NC @ 10 v | ± 30V | 3260 pf @ 100 v | - | 446W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BD435 | - | ![]() | 6061 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-225AA, TO-126-3 | BD435 | 36 w | SOT-32-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 32 v | 4 a | 100µA | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 40 @ 10ma, 5V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | STPS30170DJF-TR | 1.5900 | ![]() | 215 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powervdfn | STPS30170 | Schottky | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 170 v | 950 MV @ 30 a | 15 µa @ 170 v | 150 ° C (°) | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STTH5R06GY-TR | 1.8400 | ![]() | 363 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH5 | 기준 | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 3.2 v @ 5 a | 35 ns | 30 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP13NM50N | - | ![]() | 8350 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP13N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 320mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 25V | 960 pf @ 50 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD55025-E | 29.6600 | ![]() | 4356 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 40 v | Powerso-10 0 바닥 패드 | PD55025 | 500MHz | LDMOS | 10-Powerso | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 7a | 200 MA | 25W | 14.5dB | - | 12.5 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
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