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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 노이즈 노이즈 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | pd84010tr-e | - | ![]() | 4729 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 40 v | PowerSO-10RF 노출 된 바닥 패드 패드 (2 개의 형성 된 리드 리드) | PD84010 | 870MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (형성) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | 8a | 300 MA | 2W | 16.3db | - | 7.5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STP60NF10 | 2.9000 | ![]() | 8109 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP60 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-4384-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 10V | 23mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 104 NC @ 10 v | ± 20V | 4270 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20L15G-TR | 2.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS20 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 15 v | 410 mV @ 19 a | 6 ma @ 15 v | 125 ° C (°) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP17N80K5 | 2.4262 | ![]() | 3120 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP17 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 800 v | 14A (TC) | 10V | 340mohm @ 7a, 10V | 5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 866 pf @ 100 v | - | 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW40V60F | 4.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGW40 | 기준 | 283 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 160 a | 2.3V @ 15V, 40A | 456µJ (ON), 411µJ (OFF) | 226 NC | 52ns/208ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH4R02FP | - | ![]() | 1996 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 풀 -2 | STTH4R02 | 기준 | TO-220FPAC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5282-5 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 4 a | 30 ns | 3 µa @ 200 v | 175 ° C (°) | 4a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STO24N60M6 | 2.9200 | ![]() | 7267 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | STO24 | MOSFET (금속 (() | 통행료 (HV) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-STO24N60M6 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 190mohm @ 8.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 25V | 960 pf @ 100 v | - | 142W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB25NF06AG | - | ![]() | 2332 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB25N | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 19A (TC) | 4.5V, 10V | - | - | - | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTH802G | 0.9700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STTH802 | 기준 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1.05 V @ 8 a | 30 ns | 6 µa @ 200 v | 175 ° C (°) | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
bul804 | - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | bul804 | 70 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 v | 4 a | 250µA | NPN | 1.2v @ 500ma, 2.5a | 10 @ 2a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPV1512N | - | ![]() | 7419 | 0.00000000 | stmicroelectronics | ECOPACK® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 8-powervdfn | SPV1512 | 기준 | 8-VFQFPN (6x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 짐 | 12 v | 140 MV @ 16 a | 10 µa @ 12 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2stx2220 | - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2stx | 900 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 20 v | 1.5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450MV @ 150MA, 1.5A | 200 @ 100ma, 2v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
팁 121 | 0.6700 | ![]() | 3466 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 121 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 5 a | 500µA | npn-달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP4N90K5 | 2.2000 | ![]() | 1310 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ K5 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP4N90 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-17070 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 3A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1a, 10V | 5V @ 100µa | 5.3 NC @ 10 v | ± 30V | 173 pf @ 100 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF4N62K3 | 1.1422 | ![]() | 1644 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF4N62 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 620 v | 3.8A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.9a, 10V | 4.5V @ 50µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 550 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3NK60Z-1 | 1.0400 | ![]() | 6695 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | STD3NK60 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 2.4A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 11.8 nc @ 10 v | ± 30V | 311 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT46AFILM | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT46 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 100 v | 150MA (DC) | 450 mV @ 10 ma | 5 µa @ 75 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB70NF03LT4 | - | ![]() | 8260 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB70 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 70A (TC) | 5V, 10V | 9.5mohm @ 35a, 10V | 1V @ 250µA | 30 nc @ 5 v | ± 18V | 1440 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF530 | - | ![]() | 2417 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF5 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-2780-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 14A (TC) | 10V | 160mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 458 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SD1726 | - | ![]() | 5008 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | M174 | SD1726 | 318W | M174 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 14db | 55V | 20A | NPN | 18 @ 1.4a, 6V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS8H100D | 1.5200 | ![]() | 8870 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | STPS8 | Schottky | TO-220AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 710 MV @ 8 a | 4.5 µa @ 100 v | 175 ° C (°) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ste30nk90z | - | ![]() | 8230 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 동위 동위 | Ste30 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 900 v | 28A (TC) | 10V | 260mohm @ 14a, 10V | 4.5V @ 150µA | 490 nc @ 10 v | ± 30V | 12000 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWA15S120DF3 | - | ![]() | 9239 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STGWA15 | 기준 | 259 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 22ohm, 15V | 270 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 30 a | 60 a | 2.05V @ 15V, 15a | 540µJ (on), 1.38mj (OFF) | 53 NC | 23ns/140ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA9012TV1 | - | ![]() | 4310 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Turboswitch ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 섀시 섀시 | 동위 동위 | STTA90 | 기준 | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 1200 v | 45A | 2.05 V @ 45 a | 115 ns | 200 µa @ 960 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2stl1525 | - | ![]() | 4404 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 가방 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 2stl | 1.5 w | TO-92L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-10888 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 25 v | 5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500MV @ 40MA, 3.5A | 150 @ 500ma, 2V | 120MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS30M60CG-TR | - | ![]() | 3795 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS30 | Schottky | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 15a | 590 mV @ 15 a | 80 @ 60 v | 150 ° C (°) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T1210T-8T | 1.5900 | ![]() | 79 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | T1210 | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 15 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 12 a | 1.3 v | 90a, 95a | 10 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB22N60M6 | 3.1100 | ![]() | 107 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB22 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 15A (TC) | 10V | 230mohm @ 7.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 25V | 800 pf @ 100 v | - | 130W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA41-400BRG | - | ![]() | 5686 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 상위 3 절연 개 | BTA41 | 상위 3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 80 MA | 기준 | 400 v | 40 a | 1.3 v | 400A, 420A | 50 MA |
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