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불연속 불연속 제품 (6390)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
STTH1R04A STMicroelectronics STTH1R04A 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA STTH1 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.5 v @ 1 a 30 ns 5 µa @ 400 v 175 ° C (°) 1A -
STTH15L06G STMicroelectronics STTH15L06G -
RFQ
 ECAD 5888 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STTH15L06 기준 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.55 V @ 15 a 85 ns 15 µa @ 600 v 175 ° C (°) 20A -
STD3NK60ZT4 STMicroelectronics STD3NK60ZT4 1.3100
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD3NK60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4.5V @ 50µA 11.8 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - 45W (TC)
SPV1001D40 STMicroelectronics SPV1001D40 -
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPV1001 기준 d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 - 40 v 230 mV @ 16 a 1 µa @ 40 v -45 ° C ~ 175 ° C 16A -
RF5L08350CB4 STMicroelectronics RF5L08350CB4 145.2000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 110 v 섀시 섀시 B4E 1GHz LDMOS B4E 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-RF5L08350CB4TR 귀 99 8541.29.0095 120 1µA 200 MA 400W 19db - 50 v
STP80N70F6 STMicroelectronics STP80N70F6 -
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 68 v 96A (TC) 10V 8mohm @ 48a, 10V 4V @ 250µA 99 NC @ 10 v ± 20V 5850 pf @ 25 v - 110W (TC)
STTH6002CW STMicroelectronics STTH6002CW 4.7700
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 STTH6002 기준 TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 30A 1.05 V @ 30 a 27 ns 30 µa @ 200 v 175 ° C (°)
STB16NK65Z-S STMicroelectronics STB16NK65Z-S -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STB16N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 13A (TC) 10V 500mohm @ 6.5a, 10V 4.5V @ 100µa 89 NC @ 10 v ± 30V 2750 pf @ 25 v - 190W (TC)
STD60NF55LT4 STMicroelectronics STD60NF55LT4 1.8100
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 60A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 15V 1950 pf @ 25 v - 100W (TC)
ULN2067B STMicroelectronics ULN2067B 6.8000
RFQ
 ECAD 840 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 -20 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-powerdip (0.300 ", 7.62mm) ULN2067 1W 16-powerdip (20x7.10) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 80V 1.75A - 4 npn 달링턴 (쿼드) 1.5V @ 2.25MA, 1.5A - -
BUL213 STMicroelectronics bul213 -
RFQ
 ECAD 3978 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 bul213 60 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 600 v 3 a 250µA NPN 900mv @ 200ma, 1a 16 @ 350MA, 3V -
BTB10-800BWRG STMicroelectronics BTB10-800BWRG 1.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB10 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 50 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 10 a 1.3 v 100A, 105A 50 MA
TN1215-800G-TR STMicroelectronics TN1215-800G-TR 1.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TN1215 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 30 MA 800 v 12 a 1.3 v 140a, 145a 15 MA 1.6 v 8 a 5 µA 표준 표준
STPS2170AF STMicroelectronics STPS2170AF 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics ECOPACK® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 플랫 리드 STPS2170 Schottky Smaflat 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 170 v 820 MV @ 2 a 2.8 µa @ 170 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A -
STPS20L60CTN STMicroelectronics STPS20L60CTN -
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPS20 Schottky to-220Ab 좁은 ab 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 600 mV @ 10 a 350 µa @ 60 v 150 ° C (°)
STGB30V60F STMicroelectronics STGB30V60F -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB30 기준 260 W. d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 120 a 2.3V @ 15V, 30A 383µJ (on), 233µJ (OFF) 163 NC 45NS/189NS
STP75N20 STMicroelectronics STP75N20 -
RFQ
 ECAD 3852 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP75N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5271-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 75A (TC) 10V 34mohm @ 37a, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 3260 pf @ 25 v - 190W (TC)
STPS3045CPIRG STMicroelectronics STPS3045CPIRG -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 상위 3 절연 개 STPS3045 Schottky 상위 3i 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 570 mV @ 15 a 200 µa @ 45 v 200 ° C (()
SCTWA60N120G2-4 STMicroelectronics SCTWA60N120G2-4 32.9300
RFQ
 ECAD 402 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-SCTWA60N120G2-4 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 60A (TC) 18V 52mohm @ 30a, 18V 5V @ 1MA 94 NC @ 18 v +22V, -10V 1969 pf @ 800 v - 388W (TC)
STT5N2VH5 STMicroelectronics STT5N2VH5 0.6000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 STT5N2 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TJ) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 4.6 NC @ 4.5 v ± 8V 367 pf @ 16 v - 1.6W (TC)
SD2931-12MR STMicroelectronics SD2931-12MR 76.2300
RFQ
 ECAD 4054 0.00000000 stmicroelectronics - 상자 활동적인 125 v M174MR SD2931 175MHz MOSFET M174MR 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 20A 250 MA 150W 15db - 50 v
STP4NB50 STMicroelectronics STP4NB50 -
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP4N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-2719-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 3.8A (TC) 10V 2.8ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 30V 400 pf @ 25 v - 80W (TC)
STX13005-APH STMicroelectronics STX13005-APH 0.5400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STX13005 2.8 w TO-92AP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 3 a 1MA NPN 5V @ 750MA, 3A 8 @ 2a, 5V -
BAT60JFILM STMicroelectronics BAT60JFILM 0.3700
RFQ
 ECAD 212 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAT60 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 10 v 580 mV @ 1 a 6 µa @ 10 v 150 ° C (°) 3A -
Z0107MA 2AL2 STMicroelectronics Z0107MA 2AL2 0.5100
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 stmicroelectronics - 컷 컷 (CT) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 Z0107 To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 8A, 8.5A 5 MA
2N6547 STMicroelectronics 2N6547 -
RFQ
 ECAD 1458 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 200 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-204AA, TO-3 2N65 175 w TO-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 400 v 15 a 1MA NPN 5V @ 3A, 15a 12 @ 5a, 2v 3MHz
STGW40NC60V STMicroelectronics STGW40NC60V 7.8700
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STGW40 기준 260 W. TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 390v, 40a, 3.3ohm, 15v - 600 v 80 a 200a 2.5V @ 15V, 40A 330µJ (on), 720µJ (OFF) 214 NC 43ns/140ns
STD826T4 STMicroelectronics STD826T4 -
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD826 15 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 30 v 3 a 100µA PNP 1.1v @ 150ma, 3a 100 @ 100ma, 2v 100MHz
BD435 STMicroelectronics BD435 -
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD435 36 w SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 32 v 4 a 100µA NPN 500mv @ 200ma, 2a 40 @ 10ma, 5V 3MHz
T2035H-6G STMicroelectronics T2035H-6G 1.7300
RFQ
 ECAD 569 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T2035 D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 20 a 1 v 200a, 210a 35 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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