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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BD235 STMicroelectronics BD235 -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD235 25 W. SOT-32-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 60 v 2 a 100µA (ICBO) NPN 600mv @ 100ma, 1a 25 @ 1a, 2v -
STL33N60DM2 STMicroelectronics STL33N60DM2 5.0700
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL33 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 140mohm @ 10.5a, 10V 5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 25V 1870 pf @ 100 v - 150W (TC)
STTH803D STMicroelectronics STTH803D 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 STTH803 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 300 v 1.25 V @ 8 a 35 ns 20 µa @ 300 v 175 ° C (°) 8a -
BULK128D-B STMicroelectronics bulk128d-b -
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SOT-82 bulk128 55 W. SOT-82-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 400 v 4 a 250µA NPN 1.5v @ 500ma, 2.5a 8 @ 2a, 5V -
STX13004G STMicroelectronics STX13004G -
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX13004 2.5 w To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 2 a 1MA NPN 1V @ 500MA, 2A 10 @ 1a, 5V -
STP6N60M2 STMicroelectronics STP6N60M2 1.6700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP6N60 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 25V 232 pf @ 100 v - 60W (TC)
STL33N60M6 STMicroelectronics STL33N60M6 2.6217
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL33 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 600 v 21A (TC) 10V 137mohm @ 10.5a, 10V 4.75V @ 250µA 33.4 NC @ 10 v ± 25V 1515 pf @ 100 v - 150W (TC)
STPS1H100A STMicroelectronics STPS1H100A 0.5400
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA STPS1 Schottky SMA (DO-214AC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 770 mv @ 1 a 4 µa @ 100 v 175 ° C (°) 1A -
STPS41H100CR STMicroelectronics STPS41H100CR 0.9846
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STPS41 Schottky i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -497-12670-5 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 800 mV @ 20 a 10 µa @ 100 v 175 ° C (°)
STF5N105K5 STMicroelectronics STF5N105K5 2.8800
RFQ
 ECAD 918 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF5N105 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1050 v 3A (TC) 10V 3.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100µa 12.5 nc @ 10 v ± 30V 210 pf @ 100 v - 25W (TC)
STX13005G STMicroelectronics STX13005G -
RFQ
 ECAD 2886 0.00000000 stmicroelectronics - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX13005 2.8 w To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400 v 3 a 1MA NPN 5V @ 750MA, 3A 8 @ 2a, 5V -
STI260N6F6 STMicroelectronics STI260N6F6 5.6200
RFQ
 ECAD 891 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI260N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 3MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 20V 11400 pf @ 25 v - 300W (TC)
STPS15SM80CFP STMicroelectronics STPS15SM80CFP -
RFQ
 ECAD 8033 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STPS15 Schottky TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 7.5A 780 MV @ 7.5 a 20 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STS17NH3LL STMicroelectronics STS17NH3LL -
RFQ
 ECAD 5441 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS17 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 8.5a, 10V 1V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 16V 1810 pf @ 25 v - 2.7W (TC)
BD911 STMicroelectronics BD911 1.6800
RFQ
 ECAD 2773 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD911 90 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 100 v 15 a 1MA NPN 3V @ 2.5A, 10A 15 @ 5a, 4v 3MHz
STTH208U STMicroelectronics STTH208U 0.9000
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB STTH208 기준 SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.65 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 v 175 ° C (°) 2A -
STS7NF60L STMicroelectronics STS7NF60L 2.2300
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS7NF60 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.5A (TC) 5V, 10V 19.5mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
STI19NM65N STMicroelectronics STI19NM65N -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI19N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15.5A (TC) 10V 270mohm @ 7.75a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 1900 pf @ 50 v - 150W (TC)
BTB16-800SWRG STMicroelectronics BTB16-800SWRG 2.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB16 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 16 a 1.3 v 160a, 168a 10 MA
STN724 STMicroelectronics STN724 -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA STN724 1.6 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 3 a 100µA NPN 1.1v @ 150ma, 3a 100 @ 100ma, 2v 100MHz
SGT120R65AL STMicroelectronics sgt120r65al 5.2000
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn SGT120 Ganfet ((갈륨) Powerflat ™ (5x6) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 650 v 15A (TC) 6V 120mohm @ 5a, 6V 2.6v @ 12ma 3 NC @ 6 v +6V, -10V 125 pf @ 400 v - 192W (TC)
T620-600W STMicroelectronics T620-600W -
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOWATT220AB-3 T620 Isowatt220ab 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 6 a 1.3 v 80a, 84a 20 MA
STW4N150 STMicroelectronics STW4N150 8.3200
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW4N150 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-5092-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 4A (TC) 10V 7ohm @ 2a, 10V 5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 25 v - 160W (TC)
STAC2932F STMicroelectronics STAC2932F 85.2500
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 쓸모없는 125 v STAC244F STAC293 175MHz MOSFET STAC244F 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 40a 250 MA 390W 20dB - 50 v
STPS41L60CG STMicroelectronics STPS41L60CG -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STPS41 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 600 mV @ 20 a 600 µa @ 60 v 150 ° C (°)
BAT54ZFILM STMicroelectronics Bat54zfilm -
RFQ
 ECAD 9406 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123 Bat54 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 900 mv @ 100 ma 5 ns 1 µa @ 30 v -40 ° C ~ 150 ° C 300ma 10pf @ 1v, 1MHz
STPS10SM80CFP STMicroelectronics STPS10SM80CFP -
RFQ
 ECAD 1255 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STPS10 Schottky TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 745 MV @ 5 a 15 µa @ 80 v 175 ° C (°)
STTH2R06RL STMicroelectronics STTH2R06RL 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 STTH2 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 50 ns 2 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 2A -
STP4N62K3 STMicroelectronics STP4N62K3 -
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP4N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 3.8A (TC) 10V 1.95ohm @ 1.9a, 10V 4.5V @ 50µA 14 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 50 v - 70W (TC)
STPSC406D STMicroelectronics STPSC406D 1.9500
RFQ
 ECAD 926 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 마지막으로 마지막으로 구멍을 구멍을 TO-220-2 STPSC406 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.9 v @ 4 a 0 ns 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 4a 200pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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