SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
G5S06505AT Global Power Technology-GPT G5S06505AT 4.6400
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24.5A 395pf @ 0V, 1MHz
G3S065100P Global Power Technology-GPT G3S065100p 59.4300
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 40 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 13500pf @ 0V, 1MHz
G3S12002H Global Power Technology-GPT G3S12002H 3.8200
RFQ
ECAD 8263 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 7.3A 136pf @ 0v, 1MHz
G4S06506CT Global Power Technology-GPT G4S06506CT 3.9000
RFQ
ECAD 2101 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.8 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 13.8a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S06520P Global Power Technology-GPT G3S06520p 11.9400
RFQ
ECAD 5761 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a 1170pf @ 0V, 1MHz
G3S06512B Global Power Technology-GPT G3S06512B 6.6700
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 27A (DC) 1.7 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S17005C Global Power Technology-GPT G3S17005C 25.7200
RFQ
ECAD 2406 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 27a 780pf @ 0V, 1MHz
G3S17020B Global Power Technology-GPT G3S17020B 48.6200
RFQ
ECAD 1387 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1700 v 24A (DC) 1.7 V @ 10 a 0 ns 100 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12002H Global Power Technology-GPT G5S12002H 3.0000
RFQ
ECAD 6277 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 7.5A 170pf @ 0V, 1MHz
G5S06504AT Global Power Technology-GPT G5S06504AT 3.6600
RFQ
ECAD 4724 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 4 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.6A 181pf @ 0V, 1MHz
G3S12004B Global Power Technology-GPT G3S12004B 6.7200
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 8.5A (DC) 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G4S12020PM Global Power Technology-GPT G4S12020PM 30.5100
RFQ
ECAD 4007 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 20 a 0 ns 30 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 64.5a 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S06503A Global Power Technology-GPT G3S06503A 2.7300
RFQ
ECAD 400 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.5A 181pf @ 0V, 1MHz
G3S06510P Global Power Technology-GPT G3S06510P 8.2400
RFQ
ECAD 9429 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 32.8a 690pf @ 0V, 1MHz
G4S12020P Global Power Technology-GPT G4S12020p 33.5600
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC - 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 64.5a 2600pf @ 0V, 1MHz
G5S12015PM Global Power Technology-GPT G5S12015pm 16.5000
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1370pf @ 0V, 1MHz
G4S06515CT Global Power Technology-GPT G4S06515CT 8.3300
RFQ
ECAD 4595 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 35.8a 645pf @ 0V, 1MHz
G5S12002A Global Power Technology-GPT G5S12002A 2.8400
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 170pf @ 0V, 1MHz
G5S06510HT Global Power Technology-GPT G5S06510HT 5.7300
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23.8A -
G3S12015A Global Power Technology-GPT G3S12015a 20.6800
RFQ
ECAD 4387 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 57a 1700pf @ 0V, 1MHz
G5S12008D Global Power Technology-GPT G5S12008D 8.0700
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 26.1A 550pf @ 0V, 1MHz
G5S6504Z Global Power Technology-GPT G5S6504Z 3.1900
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 4 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 15.45A 181pf @ 0V, 1MHz
G3S12002D Global Power Technology-GPT G3S12002d 3.8200
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 7a 136pf @ 0v, 1MHz
G5S6506Z Global Power Technology-GPT G5S6506Z 5.5400
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30.5A 395pf @ 0V, 1MHz
G4S06510PT Global Power Technology-GPT G4S06510pt 4.8600
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 31.2A 550pf @ 0V, 1MHz
G3S12020P Global Power Technology-GPT G3S12020p 25.0100
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 64.5a 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S17010B Global Power Technology-GPT G3S17010B 33.3200
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1700 v 29.5A (DC) 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C
G4S06515HT Global Power Technology-GPT G4S06515HT 8.3300
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23.8A 645pf @ 0V, 1MHz
G3S06508D Global Power Technology-GPT G3S06508D 4.8000
RFQ
ECAD 9492 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 25.5A 550pf @ 0V, 1MHz
G4S12020A Global Power Technology-GPT G4S12020A 33.5600
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC - 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 120 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 73A 2600pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고