SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
G3S12003A Global Power Technology-GPT G3S12003A 4.5600
RFQ
ECAD 2379 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 260pf @ 0V, 1MHz
G3S06510M Global Power Technology-GPT G3S06510M 5.3000
RFQ
ECAD 8497 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 21a 690pf @ 0V, 1MHz
G3S12002C Global Power Technology-GPT G3S12002C 3.8200
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8.8a 170pf @ 0V, 1MHz
G5S06504CT Global Power Technology-GPT G5S06504CT 3.6600
RFQ
ECAD 7292 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 4 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 13.8a 181pf @ 0V, 1MHz
G3S06530A Global Power Technology-GPT G3S06530A 15.4900
RFQ
ECAD 1167 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 30 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 110A 2150pf @ 0V, 1MHz
G5S12020B Global Power Technology-GPT G5S12020B 23.8000
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 33A (DC) 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12016B Global Power Technology-GPT G5S12016B 13.9300
RFQ
ECAD 4770 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 27.9A (DC) 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S06508HT Global Power Technology-GPT G5S06508HT 5.3200
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 550pf @ 0V, 1MHz
G4S12020D Global Power Technology-GPT G4S12020D 19.1600
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 75a 2600pf @ 0V, 1MHz
G4S12040BM Global Power Technology-GPT G4S12040BM 53.2300
RFQ
ECAD 3643 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 64.5A (DC) 1.6 V @ 20 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06510B Global Power Technology-GPT G3S06510B 7.1800
RFQ
ECAD 7126 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 27A (DC) 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06505H Global Power Technology-GPT G3S06505H 3.3300
RFQ
ECAD 1856 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 15.4a 424pf @ 0V, 1MHz
G3S06506B Global Power Technology-GPT G3S06506B 5.0200
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 14A (DC) 1.7 V @ 3 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
GAS06520H Global Power Technology-GPT GAS06520H 11.1000
RFQ
ECAD 8334 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A 1390pf @ 0V, 1MHz
G3S06502A Global Power Technology-GPT G3S06502A 2.2800
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 9a 123pf @ 0v, 1MHz
G3S06502H Global Power Technology-GPT G3S06502H 2.2800
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 9a 123pf @ 0v, 1MHz
G3S06550P Global Power Technology-GPT G3S06550p 37.4900
RFQ
ECAD 7840 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 50 a 0 ns 100 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 105a 4400pf @ 0V, 1MHz
G5S12010C Global Power Technology-GPT G5S12010C 12.6300
RFQ
ECAD 7490 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 34.2A 825pf @ 0V, 1MHz
G3S12005C Global Power Technology-GPT G3S12005C 7.6200
RFQ
ECAD 7511 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 34A 475pf @ 0V, 1MHz
GAS06520D Global Power Technology-GPT GAS06520D 11.1000
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 79.5a 1390pf @ 0V, 1MHz
G3S12020B Global Power Technology-GPT G3S12020B 22.1100
RFQ
ECAD 6821 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 37A (DC) 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S06520A Global Power Technology-GPT G3S06520A 11.9400
RFQ
ECAD 1774 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 56.5A 1170pf @ 0V, 1MHz
G3S12005H Global Power Technology-GPT G3S12005H 7.6200
RFQ
ECAD 5288 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 21a 475pf @ 0V, 1MHz
G3S06510H Global Power Technology-GPT G3S06510H 5.3000
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 690pf @ 0V, 1MHz
G5S12016BM Global Power Technology-GPT G5S12016BM 14.2800
RFQ
ECAD 9360 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 27.9A (DC) 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S12005A Global Power Technology-GPT G5S12005a 7.4500
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 20.5A 424pf @ 0V, 1MHz
G3S06508A Global Power Technology-GPT G3S06508A 4.8000
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 25.5A 550pf @ 0V, 1MHz
G3S06502D Global Power Technology-GPT G3S06502D 2.2800
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 9a 123pf @ 0v, 1MHz
G3S06516B Global Power Technology-GPT G3S06516B 9.8300
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 25.5A (DC) 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S12003C Global Power Technology-GPT G3S12003C 4.5600
RFQ
ECAD 8435 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 260pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고