SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
G5S12040B Global Power Technology-GPT G5S12040B 48.2100
RFQ
 ECAD 4119 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 62A (DC) 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G4S06508QT Global Power Technology-GPT G4S06508QT 4.8300
RFQ
 ECAD 1848 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 4-powertsfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN (8x8) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 34A 395pf @ 0V, 1MHz
G5S06520AT Global Power Technology-GPT G5S06520AT 12.1800
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 68.8a 1600pf @ 0V, 1MHz
G4S06508AT Global Power Technology-GPT G4S06508AT 4.6900
RFQ
 ECAD 3519 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24.5A 395pf @ 0V, 1MHz
G5S12008PM Global Power Technology-GPT G5S12008pm 9.6100
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 27.9A 550pf @ 0V, 1MHz
G5S12008H Global Power Technology-GPT G5S12008H 8.0700
RFQ
 ECAD 1340 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 16A 550pf @ 0V, 1MHz
G4S06506AT Global Power Technology-GPT G4S06506AT 3.9000
RFQ
 ECAD 5870 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.8 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.6A 181pf @ 0V, 1MHz
G4S06510DT Global Power Technology-GPT G4S06510DT 4.8600
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 32A 550pf @ 0V, 1MHz
G3S06508H Global Power Technology-GPT G3S06508H 4.8000
RFQ
 ECAD 3000 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 14a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S12005D Global Power Technology-GPT G5S12005d 7.4500
RFQ
 ECAD 5571 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 21a 424pf @ 0V, 1MHz
G4S06510HT Global Power Technology-GPT G4S06510HT 4.8600
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 550pf @ 0V, 1MHz
G5S06505DT Global Power Technology-GPT G5S06505DT 4.6400
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
G5S06510CT Global Power Technology-GPT G5S06510CT 5.7300
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 35.8a 645pf @ 0V, 1MHz
G3S17010A Global Power Technology-GPT G3S17010A 33.3600
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 100 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 1500pf @ 0V, 1MHz
G4S06516BT Global Power Technology-GPT G4S06516BT 7.6700
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 25.9A (DC) 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S06508QT Global Power Technology-GPT G5S06508QT 6.2000
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 4-powertsfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN (8x8) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 44.9a 550pf @ 0V, 1MHz
G3S17005P Global Power Technology-GPT G3S17005p 28.5100
RFQ
 ECAD 8699 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 29.5A 780pf @ 0V, 1MHz
G3S06506A Global Power Technology-GPT G3S06506A 4.0700
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 22.6a 424pf @ 0V, 1MHz
G5S06505HT Global Power Technology-GPT G5S06505HT 4.6400
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 18.5A 395pf @ 0V, 1MHz
G3S12020A Global Power Technology-GPT G3S12020A 30.2000
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 120 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 73A 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S06503D Global Power Technology-GPT G3S06503D 2.7300
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.5A 181pf @ 0V, 1MHz
G3S06505D Global Power Technology-GPT G3S06505D 3.2200
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 22.6a 424pf @ 0V, 1MHz
G4S06515PT Global Power Technology-GPT G4S06515pt 8.3300
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 39a 645pf @ 0V, 1MHz
G4S12020BM Global Power Technology-GPT G4S12020BM 30.5100
RFQ
 ECAD 9645 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 33.2A (DC) 1.6 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GAS06520L Global Power Technology-GPT GAS06520L 11.1000
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 66.5A 1390pf @ 0V, 1MHz
G5S12015A Global Power Technology-GPT G5S12015a 15.2900
RFQ
 ECAD 2352 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 53A 1370pf @ 0V, 1MHz
G3S06510M Global Power Technology-GPT G3S06510M 5.3000
RFQ
 ECAD 8497 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 21a 690pf @ 0V, 1MHz
G3S12003A Global Power Technology-GPT G3S12003A 4.5600
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 260pf @ 0V, 1MHz
G3S12002C Global Power Technology-GPT G3S12002C 3.8200
RFQ
 ECAD 5093 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8.8a 170pf @ 0V, 1MHz
G5S12020B Global Power Technology-GPT G5S12020B 23.8000
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 33A (DC) 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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