| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 모델 지수 | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 냄비에 | 냄비를 조건으로 | Q@VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRLR2905ZTRL | 1.2223 | ![]() | 4745 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | AUIRLR2905 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001519942 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 55V | 42A(Tc) | 13.5m옴 @ 36A, 10V | 3V @ 250μA | 35nC @ 5V | 25V에서 1570pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP110N20NAAKSA1 | 9.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptimWatt™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP110 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 200V | 88A(Tc) | 10V | 10.7m옴 @ 88A, 10V | 4V @ 270μA | 87nC @ 10V | ±20V | 100V에서 7100pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL302SNH6327XTSA1 | - | ![]() | 2939 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 7.1A(타) | 4.5V, 10V | 25m옴 @ 7.1A, 10V | 2V @ 30μA | 6.6nC @ 5V | ±20V | 15V에서 750pF | - | 2W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISC0804NLSATMA1 | 1.5700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | ISC0804N | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 12A(Ta), 59A(Tc) | 4.5V, 10V | 10.9m옴 @ 20A, 10V | 2.3V @ 28μA | 24nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1600pF | - | 2.5W(Ta), 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF4905STRL | 6.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRF4905 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | P채널 | 55V | 42A(Tc) | 10V | 20m옴 @ 42A, 10V | 4V @ 250μA | 180nC @ 10V | ±20V | 3500pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA028N08N3GXKSA1 | - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA028 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 80V | 89A (Tc) | 6V, 10V | 2.8m옴 @ 89A, 10V | 3.5V @ 270μA | 206nC @ 10V | ±20V | 40V에서 14200pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI180N10N3GXKSA1 | 1.0571 | ![]() | 7182 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI180 | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 100V | 43A(Tc) | 6V, 10V | 18m옴 @ 33A, 10V | 3.5V @ 33μA | 25nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1800pF | - | 71W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7306TRPBF | 1.1200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 3.6A | 100m옴 @ 1.8A, 10V | 1V @ 250μA | 25nC @ 10V | 440pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL65R070C7AUMA1 | 10.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-PowerTSFN | IPL65R070 | MOSFET(금속) | PG-VSON-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2A(4주) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 650V | 28A(TC) | 10V | 70m옴 @ 8.5A, 10V | 4V @ 850μA | 64nC @ 10V | ±20V | 100V에서 3020pF | - | 169W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF540NPBF | 1.4900 | ![]() | 151 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF540 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 33A(티씨) | 10V | 44m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 71nC @ 10V | ±20V | 1960pF @ 25V | - | 130W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P3000ZL45X168APTHPSA1 | 10.0000 | ![]() | 8159 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | DO-200AE | 기준 | BG-P16826K-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | 도랑 | 4500V | 3000A | 2.5V @ 15V, 3000A | 200μA | 아니요 | 25V에서 620nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA320N20NM3SXKSA1 | 2.6400 | ![]() | 4901 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™3 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA320 | MOSFET(금속) | PG-TO220 풀팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 200V | 26A(TC) | 10V | 32m옴 @ 26A, 10V | 4V @ 89μA | 30nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2300pF | - | 38W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R040C7ATMA1 | 13.6500 | ![]() | 7269 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-4, D²Pak(3리드 + 탭), TO-263AA | IPB60R040 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 50A(Tc) | 10V | 40m옴 @ 24.9A, 10V | 4V @ 1.24mA | 107nC @ 10V | ±20V | 4340pF @ 400V | - | 227W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R099P6XKSA1 | 6.8500 | ![]() | 7161 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP60R099 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 37.9A(Tc) | 10V | 99m옴 @ 14.5A, 10V | 4.5V @ 1.21mA | 70nC @ 10V | ±20V | 100V에서 3330pF | - | 278W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R600CP | 0.6600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CP | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-313 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 6.1A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 3.3A, 10V | 220μA에서 3.5V | 27nC @ 10V | ±20V | 100V에서 550pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM30GD60DLCBOSA1 | - | ![]() | 6932 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | BSM30G | 135W | 기준 | 기준기준 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 삼상인버터 | - | 600V | 40A | 2.45V @ 15V, 30A | 500μA | 아니요 | 25V에서 1.3nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1900N16TOFVTXPSA1 | 500.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | 135°C (TJ) | 클램프 온 | TO-200AC | T1900N | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 500mA | 1.8kV | 2840A | 2V | 39000A @ 50Hz | 250mA | 1810A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR1010ZTRLPBF | 0.7149 | ![]() | 8864 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR1010 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001564960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 55V | 42A(Tc) | 10V | 7.5m옴 @ 42A, 10V | 4V @ 100μA | 95nC @ 10V | ±20V | 25V에서 2840pF | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3205ZPBF | 1.8500 | ![]() | 4674 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF3205 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 75A(Tc) | 10V | 6.5m옴 @ 66A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 3450pF @ 25V | - | 170W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO303PHXUMA1 | - | ![]() | 4185 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | BSO303 | MOSFET(금속) | 2W | PG-DSO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 7A | 21m옴 @ 8.2A, 10V | 100μA에서 2V | 49nC @ 10V | 2678pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD15P10PLGBTMA1 | 2.2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | SPD15P10 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 100V | 15A(Tc) | 4.5V, 10V | 200m옴 @ 11.3A, 10V | 2V @ 1.54mA | 62nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1490pF | - | 128W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP10R12W1T7B3BOMA1 | 43.5000 | ![]() | 5105 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EasyPIM™ | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FP10R12 | 20mW | 삼상 다리 정류기 | AG-EASY1B-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 10A | 1.6V @ 15V, 10A(일반) | 4.5μA | 예 | 25V에서 1.89nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDB2U30N08VRBOMA1307 | 1.0000 | ![]() | 6912 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | 20mW | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 3면 | - | 600V | 25A | 2.55V @ 15V, 20A | 1mA | 예 | 25V에서 880pF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R280CFD7XKSA1 | 2.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA60R280 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 6A(TC) | 10V | 280m옴 @ 3.6A, 10V | 4.5V @ 180μA | 18nC @ 10V | ±20V | 400V에서 807pF | - | 24W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4410 | - | ![]() | 4585 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRFB4410 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 96A(티씨) | 10V | 10m옴 @ 58A, 10V | 4V @ 150μA | 180nC @ 10V | ±20V | 5150pF @ 50V | - | 250W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1200R12HE4HOSA2 | 637.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FZ1200 | 7150W | 기준 | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 스위치 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 1825A | 2.1V @ 15V, 1.2kA | 5mA | 아니요 | 25V에서 74nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R280P7XKSA1 | 2.6000 | ![]() | 9796 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP60R280 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 12A(TC) | 10V | 280m옴 @ 3.8A, 10V | 4V @ 190μA | 18nC @ 10V | ±20V | 400V에서 761pF | - | 53W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3708STRRPBF | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 30V | 62A(Tc) | 2.8V, 10V | 12m옴 @ 15A, 10V | 2V @ 250μA | 24nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 2417pF | - | 87W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA123501FCV1XWSA1 | - | ![]() | 4901 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 105V | 표면 실장 | 2-플랫팩, 핀 결과, 일치형 | 1.2GHz ~ 1.4GHz | LDMOS | H-37248-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001145562 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2개 | 10μA | 350W | 17dB | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BBY5805WH6327XTSA1 | - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BBY58 | PG-SOT323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 5.5pF @ 6V, 1MHz | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 10V | 3.5 | C1/C4 | - |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고