SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f) 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
IPP60R090CFD7 Infineon Technologies IPP60R090CFD7 -
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ECAD 6875 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
DR11242513NDSA1 Infineon Technologies DR11242513NDSA1 -
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ECAD 4912 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1
FF450R12ME4BDLA1 Infineon Technologies FF450R12ME4BDLA1 133.5700
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ECAD 8244 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 20mW 기준 AG-ECONOD-3-2 - 2156-FF450R12ME4BDLA1 2 머리 다리 컨트롤러 트렌치 필드스톱 1200V 450A 2.1V @ 15V, 450A 3mA 28nF @ 25V
IDB10S60C Infineon Technologies IDB10S60C -
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ECAD 5674 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IDB10 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO263-3-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 600V 1.7V @ 10A 0ns 600V에서 140μA -55°C ~ 175°C 10A 480pF @ 1V, 1MHz
IRF7423TR Infineon Technologies IRF7423TR -
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ECAD 3290 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 11.5A(타) - - - -
IRF6714MTRPBF Infineon Technologies IRF6714MTRPBF -
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ECAD 5790 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MX IRF6714 MOSFET(금속) DIRECTFET™ MX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001532368 EAR99 8541.29.0095 4,800 N채널 25V 29A(Ta), 166A(Tc) 4.5V, 10V 2.1m옴 @ 29A, 10V 100μA에서 2.4V 44nC @ 4.5V ±20V 3890pF @ 13V - 2.8W(Ta), 89W(Tc)
IPLK80R750P7ATMA1 Infineon Technologies IPLK80R750P7ATMA1 1.7100
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ECAD 6393 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ P7 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 8파워TDFN IPLK80 MOSFET(금속) PG-TDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 - 800V - - - - ±20V - -
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 7.4600
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ECAD 592 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-8, D²Pak(7리드 + 탭), TO-263CA IMBF170 SiCFET(탄화규소) PG-TO263-7-13 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 1700V 7.4A(Tc) 12V, 15V 650m옴 @ 1.5A, 15V 5.7V @ 1.7mA 8nC @ 12V +20V, -10V 1000V에서 422pF - 88W(Tc)
IQDH29NE2LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH29NE2LM5CGATMA1 3.8200
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ECAD 1519 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9파워TDFN IQDH29 MOSFET(금속) PG-TTFN-9-U02 - ROHS3 준수 EAR99 8542.39.0001 5,000 N채널 25V 75A(타), 789A(Tc) 4.5V, 10V 0.29m옴 @ 50A, 10V 2V @ 1.448mA 254nC @ 10V ±16V 17000pF @ 12V - 2.5W(Ta), 278W(Tc)
DD241S12KHPSA1 Infineon Technologies DD241S12KHPSA1 -
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ECAD 8858 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 기준기준 기준 기준기준 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍 직렬 연결 1200V 261A 1.55V @ 800A 1200V에서 200mA 150°C
ISK024NE2LM5AULA1 Infineon Technologies ISK024NE2LM5AULA1 0.9200
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ECAD 8 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™, StrongIRFET™ 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. - 표면 실장 6-PowerVDFN ISK024N MOSFET(금속) 6-PQFN 듀얼(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 - 40V - - - - ±16V - -
F450R12KS4BPSA1 Infineon Technologies F450R12KS4BPSA1 134.5400
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ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C (TJ) 방역 기준기준 F450R12 355W 기준 AG-ECONO2B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 풀 패드 인버터 - 1200V 70A 3.75V @ 15V, 50A 5mA 3.4nF @ 25V
BSP373NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP373NH6327XTSA1 0.9600
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ECAD 11 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BSP373 MOSFET(금속) PG-SOT223-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 1.8A(타) 10V 240m옴 @ 1.8A, 10V 4V @ 218μA 9.3nC @ 10V ±20V 25V에서 265pF - 1.8W(타)
BFP405E6433HTMA1 Infineon Technologies BFP405E6433HTMA1 -
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ECAD 6830 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 BFP405 75mW PG-SOT343-3D 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 23dB 5V 25mA NPN 60 @ 5mA, 4V 25GHz 1.25dB @ 1.8GHz
IRL540NSTRL Infineon Technologies IRL540NSTRL -
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ECAD 2442 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 36A(티씨) 44m옴 @ 18A, 10V 2V @ 250μA 74nC @ 5V 25V에서 1800pF -
D950N22TB01XPSA1 Infineon Technologies D950N22TB01XPSA1 -
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ECAD 6062 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 D950N 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 DO-200AA, APuk 기준 - - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 2200V 1.12V @ 650A 2200V에서 40mA 180°C 1024A -
BC860CWE6327HTSA1 Infineon Technologies BC860CWE6327HTSA1 -
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ECAD 1368 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC860 250mW PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 250MHz
AUIRLL2705 Infineon Technologies AUIRLL2705 -
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ECAD 7856 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001522936 EAR99 8541.29.0095 80 N채널 55V 5.2A(타) 4V, 10V 40m옴 @ 3.8A, 10V 2V @ 250μA 48nC @ 10V ±16V 25V에서 870pF - 1W(타)
BSO613SPVGXUMA1 Infineon Technologies BSO613SPVGXUMA1 1.1300
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ECAD 24 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) BSO613 MOSFET(금속) PG-DSO-8-6 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 60V 3.44A(타) 10V 130m옴 @ 3.44A, 10V 4V @ 1mA 30nC @ 10V ±20V 25V에서 875pF - 2.5W(타)
IPB011N04NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB011N04NF2SATMA1 3.2400
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ECAD 770 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 StrongIRFET™2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB011 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 40V 43A(Ta), 201A(Tc) 6V, 10V 1.15m옴 @ 100A, 10V 3.4V @ 249μA 315nC @ 10V ±20V 20V에서 15000pF - 3.8W(Ta), 375W(Tc)
T720N14TOFXPSA1 Infineon Technologies T720N14TOFXPSA1 175.3850
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ECAD 8708 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 DO-200AB, B-PUK T720N14 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 6 300mA 1.8kV 1500A 1.5V 14500A @ 50Hz 250mA 720A 1 SCR
IRG7U100HF12B Infineon Technologies IRG7U100HF12B -
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ECAD 5276 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 상자 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 POWIR® 62 모듈 IRG7U 580W 기준 POWIR® 62 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 다리 다리 - 1200V 200A 2V @ 15V, 100A 1mA 아니요 25V에서 12.5nF
ISK036N03LM5AULA1 Infineon Technologies ISK036N03LM5AULA1 -
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ECAD 4852 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerVDFN ISK036N MOSFET(금속) PG-VSON-6-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-ISK036N03LM5AULA1DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 44A(Tc) 4.5V, 10V 3.6m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 21.5nC @ 10V ±16V 15V에서 1400pF - 11W(Tc)
IPD055N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPD055N08NF2SATMA1 1.8700
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 StrongIRFET™ 2 컷테이프(CT) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 80V 17A(타), 98A(Tc) 6V, 10V 5.5m옴 @ 60A, 10V 55μA에서 3.8V 54nC @ 10V ±20V 40V에서 2500pF - 3W(Ta), 107W(Tc)
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies BSS159NH6906XTSA1 0.7800
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ECAD 35 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS159 MOSFET(금속) PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 230mA(타) 0V, 10V 3.5옴 @ 160mA, 10V 2.4V @ 26μA 2.9nC @ 5V ±20V 25V에서 44pF 고갈 모드 360mW(타)
IMZA120R007M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 90.3000
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ECAD 2668 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SiCFET(탄화규소) PG-TO247-4-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 225A(Tc) 15V, 18V 9.9m옴 @ 108A, 18V 5.2V @ 47mA 220nC @ 18V +20V, -5V 9170nF @ 25V - 750W(Tc)
BSZ0703LSATMA1 Infineon Technologies BSZ0703LSATMA1 1.1800
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ECAD 4 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSZ0703 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 40A(Tc) 4.5V, 10V 6.5m옴 @ 20A, 10V 2.3V @ 20μA 13nC @ 4.5V ±20V 30V에서 1800pF 기준 46W(Tc)
IPD06P005LSAUMA1 Infineon Technologies IPD06P005LSAUMA1 -
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ECAD 4812 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD06P MOSFET(금속) PG-TO252-3-313 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001863510 EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 60V 6.5A(Tc) 4.5V, 10V 250m옴 @ 6.5A, 10V 270μA에서 2V 13.8nC @ 10V ±20V 30V에서 420pF - 28W(Tc)
BBY5806WH6327XTSA1 Infineon Technologies BBY5806WH6327XTSA1 -
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ECAD 2832 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BBY58 PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 5.5pF @ 6V, 1MHz 1쌍 구역 10V 3.5 C1/C4 -
IRG7CH81K10EF-R Infineon Technologies IRG7CH81K10EF-R -
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ECAD 7575 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 분수 IRG7CH 기준 분수 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001537294 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 600V, 150A, 1옴, 15V - 1200V 2.3V @ 15V, 150A - 745nC 70ns/330ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고