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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 현재 - 최대 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼진 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 저항 @ If, F 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 냄비에 냄비를 조건으로 Q@VR, F
IM240S6Z1BALSA1 Infineon Technologies IM240S6Z1BALSA1 -
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ECAD 7790 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IM240-M6 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 23-SMD 모듈 IGBT 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 15 3상 인버터 3A 600V 1900Vrms
IPP12CN10LGHKSA1 Infineon Technologies IPP12CN10LGHKSA1 -
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ECAD 3362 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™2 튜브 활동적인 IPP12CN10 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000308792 EAR99 8541.29.0095 500 69A(Tc)
IPI70N04S406AKSA1 Infineon Technologies IPI70N04S406AKSA1 2.0500
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ECAD 500 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI70N04 MOSFET(금속) PG-TO262-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 40V 70A(Tc) 10V 6.5m옴 @ 70A, 10V 4V @ 26μA 32nC @ 10V ±20V 2550pF @ 25V - 58W(Tc)
BB639CE7908HTSA1 Infineon Technologies BB639CE7908HTSA1 -
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ECAD 3671 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-76, SOD-323 BB639 PG-SOD323-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 2.75pF @ 28V, 1MHz 하나의 30V 15.3 C1/C28 -
BSS126IXTSA1 Infineon Technologies BSS126IXTSA1 0.5200
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS126 MOSFET(금속) PG-SOT23-3-5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 600V 21mA(타) 500옴 @ 16mA, 10V 1.6V @ 8μA 1.4nC @ 5V ±20V 21pF @ 25V - 500mW(타)
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N04S6L025ATMA1 1.2000
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ECAD 38 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN IAUC100 MOSFET(금속) PG-TDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.56m옴 @ 50A, 10V 2V @ 24μA 34nC @ 10V ±16V 2019pF @ 25V - 62W(Tc)
IPP80N08S406AKSA1 Infineon Technologies IPP80N08S406AKSA1 3.1300
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ECAD 488 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP80N08 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 80V 80A(Tc) 10V 5.8m옴 @ 80A, 10V 4V @ 90μA 70nC @ 10V ±20V 4800pF @ 25V - 150W(Tc)
IRG4PH40UD2-EP Infineon Technologies IRG4PH40UD2-EP -
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ECAD 7797 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 160W TO-247AD 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 800V, 21A, 10옴, 15V 50ns - 1200V 41A 82A 3.1V @ 15V, 21A 1.95mJ(켜짐), 1.71mJ(꺼짐) 100nC 22ns/100ns
BCX 54-16 E6327 Infineon Technologies BCX 54-16 E6327 -
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ECAD 6927 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA BCX 54 2W PG-SOT89 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 45V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
T1081N70TOHXPSA1 Infineon Technologies T1081N70TOHXPSA1 -
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ECAD 7466 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 TO-200AF T1081N70 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2 350mA 7kV 2040A 2.5V 35000A @ 50Hz 350mA 1300A 1 SCR
BC846PNH6327XTSA1 Infineon Technologies BC846PNH6327XTSA1 0.4100
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ECAD 115 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250mW PG-SOT363-PO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100mA 15nA(ICBO) NPN, PNP 650mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ120P03NS3GATMA1 0.9000
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ECAD 24 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSZ120 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 11A(Ta), 40A(Tc) 6V, 10V 12m옴 @ 20A, 10V 73μA에서 3.1V 45nC @ 10V ±25V 3360pF @ 15V - 2.1W(Ta), 52W(Tc)
IRLMS5703TRPBF Infineon Technologies IRLMS5703TRPBF -
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ECAD 1937년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 MOSFET(금속) 마이크로6™(TSOP-6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 2.4A(타) 4.5V, 10V 180m옴 @ 1.6A, 10V 1V @ 250μA 11nC @ 10V ±20V 25V에서 170pF - 1.7W(타)
IPP90N06S404AKSA1 Infineon Technologies IPP90N06S404AKSA1 -
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ECAD 2523 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP90N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 60V 90A(Tc) 10V 4m옴 @ 90A, 10V 4V @ 90μA 128nC @ 10V ±20V 25V에서 10400pF - 150W(Tc)
AIGB30N65H5ATMA1 Infineon Technologies AIGB30N65H5ATMA1 3.8600
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ECAD 3223 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB AIGB30 기준 PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 - NPT 650V 30A - - -
BAT240AE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT240AE6327HTSA1 -
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ECAD 4960 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT240A 쇼트키 PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍 직렬 연결 240V 400mA(DC) 900mV @ 400mA 200V에서 5μA 150°C(최대)
IRFH7084TRPBF Infineon Technologies IRFH7084TRPBF 2.1200
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ECAD 429 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN IRFH7084 MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 40V 100A(Tc) 10V 1.25m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.9V 190nC @ 10V ±20V 25V에서 6560pF - 156W(Tc)
IRG4BC40W Infineon Technologies IRG4BC40W -
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ECAD 9963 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 160W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRG4BC40W EAR99 8541.29.0095 50 480V, 20A, 10옴, 15V - 600V 40A 160A 2.5V @ 15V, 20A 110μJ(켜짐), 230μJ(꺼짐) 98nC 27ns/100ns
IRFS31N20DTRLP Infineon Technologies IRFS31N20DTRLP -
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ECAD 5205 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 200V 31A(Tc) 10V 82m옴 @ 18A, 10V 250μA에서 5.5V 107nC @ 10V ±30V 2370pF @ 25V - 3.1W(Ta), 200W(Tc)
AIDW10S65C5XKSA1 Infineon Technologies AIDW10S65C5XKSA1 3.0995
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ECAD 7332 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q100/101, CoolSiC™ 튜브 마지막 구매 스루홀 TO-247-3 AIDW10 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO247-3-41 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 240 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.7V @ 10A 0ns 60μA @ 650V -40°C ~ 175°C 10A 303pF @ 1V, 1MHz
IPG20N06S2L65AUMA1 Infineon Technologies IPG20N06S2L65AUMA1 -
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ECAD 9033 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 IPG20N - - 더 이상 사용하지 않는 경우 1 -
AUIRF7319QTR Infineon Technologies AUIRF7319QTR -
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ECAD 4004 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) AUIRF7319 MOSFET(금속) 2W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001520168 EAR99 8541.29.0095 4,000 N 및 P 채널 30V 6.5A, 4.9A 29m옴 @ 5.8A, 10V 3V @ 250μA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 게임 레벨 레벨
IQDH45N04LM6CGATMA1 Infineon Technologies IQDH45N04LM6CGATMA1 4.0500
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ECAD 8000 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 6 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 9파워TDFN IQDH45 MOSFET(금속) PG-TTFN-9-U02 - ROHS3 준수 EAR99 8542.39.0001 5,000 N채널 40V 60A(타), 637A(Tc) 4.5V, 10V 0.45m옴 @ 50A, 10V 2.3V @ 1.449mA 129nC @ 10V ±20V 20V에서 12000pF - 3W(Ta), 333W(Tc)
TT820N16KS20HPSA1 Infineon Technologies TT820N16KS20HPSA1 453.6150
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ECAD 5412 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 TT820N16 - ROHS3 준수 EAR99 8541.30.0080 2
AUIRF3205ZS Infineon Technologies AUIRF3205ZS -
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ECAD 5410 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001518508 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 75A(Tc) 10V 6.5m옴 @ 66A, 10V 4V @ 250μA 110nC @ 10V ±20V 3450pF @ 25V - 170W(Tc)
IPB60R299CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R299CPATMA1 -
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ECAD 4761 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CP 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 11A(티씨) 10V 299m옴 @ 6.6A, 10V 440μA에서 3.5V 29nC @ 10V ±20V 100V에서 1100pF - 96W(Tc)
BAR64-03WE6327 Infineon Technologies BAR64-03WE6327 1.0000
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ECAD 4531 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2-1 다운로드 EAR99 8541.10.0070 1 100mA 250mW 0.35pF @ 20V, 1MHz 핀 - 인디 150V 1.35옴 @ 100mA, 100MHz
IPC045N10L3X1SA1 Infineon Technologies IPC045N10L3X1SA1 -
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ECAD 4911 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 대부분 활동적인 - 표면 실장 분수 IPC045N MOSFET(금속) 호일에 최고질 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 100V 1A(티제이) 4.5V 100m옴 @ 2A, 4.5V 33μA에서 2.1V - - -
BBY5502VH6327XTSA1 Infineon Technologies BBY5502VH6327XTSA1 0.5200
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ECAD 3466 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-79, SOD-523 BBY5502 PG-SC79-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 6.5pF @ 10V, 1MHz 하나의 16V 3 C2/C10 -
IPB065N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPB065N15N3GATMA1 7.6000
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ECAD 8130 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) IPB065 MOSFET(금속) PG-TO263-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 150V 130A(Tc) 8V, 10V 6.5m옴 @ 100A, 10V 4V @ 270μA 93nC @ 10V ±20V 7300pF @ 75V - 300W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고