| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 파워 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 거주형태 | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IQE018N06NM6CGSCATMA1 | 1992년 1월 | ![]() | 9800 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-IQE018N06NM6CGSCATMA1TR | 6,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7530TR | - | ![]() | 3741 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | IRF7530 | MOSFET(금속) | 1.3W | 마이크로8™ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 5.4A | 30m옴 @ 5.4A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 26nC @ 4.5V | 1310pF @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | IRFC4332ED | - | ![]() | 8074 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLZ44ZS | - | ![]() | 4375 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRLZ44ZS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 55V | 51A(티씨) | 4.5V, 10V | 13.5m옴 @ 31A, 10V | 3V @ 250μA | 36nC @ 5V | ±16V | 25V에서 1620pF | - | 80W(Tc) | |||||||||||
![]() | BFR340L3E6327XTMA1 | 0.4200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | BFR340 | 60mW | PG-TSLP-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 17.5dB | 9V | 10mA | NPN | 90 @ 5mA, 3V | 14GHz | 1.15dB @ 1.8GHz | |||||||||||||||
![]() | IRFIZ48VPBF | - | ![]() | 1724년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220AB 풀팩 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 60V | 39A(Tc) | 10V | 12m옴 @ 43A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 1985pF @ 25V | - | 43W(Tc) |

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