SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 현재 - 최대 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 다이오드 전압 - 역방향(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 저항 @ If, F
BAT 64 B5003 Infineon Technologies 64 B5003 -
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ECAD 5508 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 똥 64 쇼트키 PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 750mV @ 100mA 5ns 30V에서 2μA 150°C(최대) 120mA 6pF @ 1V, 1MHz
IRF7338TRPBF Infineon Technologies IRF7338TRPBF -
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ECAD 5915 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF733 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N 및 P 채널 12V 6.3A, 3A 34m옴 @ 6A, 4.5V 250μA에서 1.5V 8.6nC @ 4.5V 640pF @ 9V 게임 레벨 레벨
D371S45TS02XPSA1 Infineon Technologies D371S45TS02XPSA1 -
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ECAD 3569 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1
IRGP4063-EPBF Infineon Technologies IRGP4063-EPBF -
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ECAD 9533 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 330W TO-247AD 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 400V, 48A, 10옴, 15V 도랑 600V 96A 144A 2.14V @ 15V, 48A 625μJ(켜짐), 1.28mJ(꺼짐) 95nC 60ns/145ns
SPA12N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPA12N50C3XKSA1 -
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ECAD 7330 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 SPA12N MOSFET(금속) PG-TO220-3-31 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 560V 11.6A(Tc) 10V 380m옴 @ 7A, 10V 500μA에서 3.9V 49nC @ 10V ±20V 25V에서 1200pF - 33W(Tc)
BAV199E6359HTMA1 Infineon Technologies BAV199E6359HTMA1 -
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ECAD 1788년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV199 기준 PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 80V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 1.5μs 75V에서 5nA 150°C(최대)
IRFS3307 Infineon Technologies IRFS3307 -
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ECAD 4006 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFS3307 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 130A(Tc) 10V 6.3m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 180nC @ 10V ±20V 5150pF @ 50V - 250W(Tc)
IAUC120N06S5L011ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5L011ATMA1 1.4380
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ECAD 5673 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) PG-TDSON-8-53 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 310A(티제이) 4.5V, 10V 1.1m옴 @ 60A, 10V 2.2V @ 130μA 160nC @ 10V ±20V 30V에서 11400pF - 188W(Tc)
IRFR220NTRL Infineon Technologies IRFR220NTRL -
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ECAD 2665 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 200V 5A(Tc) 10V 600m옴 @ 2.9A, 10V 4V @ 250μA 23nC @ 10V ±20V 25V에서 300pF - 43W(Tc)
BAS3005S-02LRHE6327 Infineon Technologies BAS3005S-02LRHE6327 0.1300
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ECAD 61 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 바스 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-882 쇼트키 PG-TSLP-2-17 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 500mV @ 500mA 300μA @ 30V 150°C 500mA 15pF @ 5V, 1MHz
IPI084N06L3GXKSA1 Infineon Technologies IPI084N06L3GXKSA1 -
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ECAD 5765 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI084N MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 60V 50A(Tc) 4.5V, 10V 8.4m옴 @ 50A, 10V 34μA에서 2.2V 29nC @ 4.5V ±20V 30V에서 4900pF - 79W(Tc)
IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF7313TRPBFXTMA1 0.3739
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ECAD 8553 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 2W(타) PG-DSO-8-902 - ROHS3 준수 448-IRF7313TRPBFXTMA1TR 4,000 2 N채널 30V 6.5A(타) 29m옴 @ 5.8A, 10V 1V @ 250μA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 기준
IRF7353D2TRPBF Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF -
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ECAD 5930 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 FETKY™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 6.5A(타) 4.5V, 10V 29m옴 @ 5.8A, 10V 1V @ 250μA 33nC @ 10V ±20V 25V에서 650pF 쇼트키 다이오드(절연) 2W(타)
BSM50GX120DN2BPSA1 Infineon Technologies BSM50GX120DN2BPSA1 214.4100
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ECAD 6559 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 쟁반 마지막 구매 BSM50G - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15
FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1 2.0000
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ECAD 10 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FZ2000 4.2mW 기준 AG-IHVB190-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 스위치 트렌치 필드스톱 3300V 2000A 2.2V @ 15V, 2kA(표준) 5mA 아니요 280nF @ 25V
IRF7304QTRPBF Infineon Technologies IRF7304QTRPBF -
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ECAD 1606 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 20V 4.3A 90m옴 @ 2.2A, 4.5V 250μA에서 700mV 22nC @ 4.5V 610pF @ 15V 게임 레벨 레벨
BSP149 E6327 Infineon Technologies BSP149 E6327 -
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ECAD 1256 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) PG-SOT223-4 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 200V 660mA(타) 0V, 10V 1.8옴 @ 660mA, 10V 1V에서 400μA 14nC @ 5V ±20V 25V에서 430pF 고갈 모드 1.8W(타)
BAT1704WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT1704WE6327HTSA1 -
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ECAD 4494 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) SC-70, SOT-323 BAT1704 PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 130mA 150mW 0.75pF @ 0V, 1MHz 쇼트키 - 1쌍 직렬 연결 4V 15옴 @ 5mA, 10kHz
TD162N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TD162N16KOFHPSA1 -
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ECAD 8051 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 TD162N16 직렬 연결 - SCR/다이오드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 8 200mA 1.6kV 260A 2V 5200A @ 50Hz 150mA 162A SCR 1개, 다이오드 1개
IPD800N06NGBTMA1 Infineon Technologies IPD800N06NGBTMA1 -
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ECAD 4567 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD800N MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 16A(티씨) 10V 80m옴 @ 16A, 10V 4V @ 16μA 10nC @ 10V ±20V 370pF @ 30V - 47W(Tc)
PTFA210601F V4 Infineon Technologies PTFA210601F V4 -
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ECAD 3356 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 2-플랫팩, 핀 결과, 일치형 PTFA210601 2.14GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 80 10μA 550mA 12W 16dB - 28V
FS770R08A6P2BBPSA1 Infineon Technologies FS770R08A6P2BBPSA1 502.7400
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ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HybridPACK™ 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FS770R08 654W 기준 AG-하이브리드-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 6 삼상인버터 트렌치 필드스톱 750V 450A 1.35V @ 15V, 450A 1mA 50V에서 80nF
IRFB7734PBF Infineon Technologies IRFB7734PBF 2.6800
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ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET®, StrongIRFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRFB7734 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 183A(Tc) 6V, 10V 3.5m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.7V 270nC @ 10V ±20V 25V에서 10150pF - 290W(Tc)
IRFC3006EB Infineon Technologies IRFC3006EB -
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ECAD 4564 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001566680 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 -
IPU13N03LA G Infineon Technologies IPU13N03LAG -
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ECAD 6499 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IPU13N MOSFET(금속) P-TO251-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 25V 30A(Tc) 4.5V, 10V 12.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 20μA 8.3nC @ 5V ±20V 15V에서 1043pF - 46W(Tc)
DD340N20SHPSA1 Infineon Technologies DD340N20SHPSA1 -
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ECAD 1165 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 기준기준 기준 BG-PB50SB-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 3 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍 직렬 연결 2000V 330A 2000V에서 1mA -40°C ~ 135°C
T4771N28TOFXPSA1 Infineon Technologies T4771N28TOFXPSA1 5.0000
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ECAD 9493 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 TO-200AF T4771N28 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1 350mA 2.9kV 6820A 2.5V 100000A @ 50Hz 350mA 6110A 1 SCR
IRLHM620TR2PBF Infineon Technologies IRLHM620TR2PBF -
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ECAD 9524 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-VQFN 옆형 패드 MOSFET(금속) PQFN(3x3) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 20V 26A(Ta), 40A(Tc) 2.5m옴 @ 20A, 4.5V 50μA에서 1.1V 78nC @ 4.5V 10V에서 3620pF -
BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1 0.8700
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ECAD 5 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BSP129 MOSFET(금속) PG-SOT223-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 240V 350mA(타) 0V, 10V 6옴 @ 350mA, 10V 1V @ 108μA 5.7nC @ 5V ±20V 25V에서 108pF 고갈 모드 1.8W(타)
IKU04N60RBKMA1 Infineon Technologies IKU04N60RBKMA1 -
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ECAD 3020 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TrenchStop® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA KU04N 기준 75W PG-TO251-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 400V, 4A, 43옴, 15V 43ns 도랑 600V 8A 12A 2.1V @ 15V, 4A 240μJ 27nC 14ns/146ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고