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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	scrs, 수 다이오드	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
BUZ31 E3045A	-	RFQ	8713	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	buz31	MOSFET (금속 (()			PG-to263-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		200 v	14.5A (TC)	10V	200mohm @ 9a, 5V	4V @ 1MA		± 20V	1120 pf @ 25 v	-	95W (TC)
IRF2807ZPBF	2.0300	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRF2807	MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	100			n 채널		75 v	75A (TC)	10V	9.4mohm @ 53a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	3270 pf @ 25 v	-	170W (TC)
IRF1010ZL	-	RFQ	9312	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF1010ZL	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		55 v	75A (TC)	10V	7.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	2840 pf @ 25 v	-	140W (TC)
IRF3710ZSPBF	-	RFQ	4856	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		100 v	59A (TC)	10V	18mohm @ 35a, 10V	4V @ 250µA	120 nc @ 10 v	± 20V	2900 pf @ 25 v	-	160W (TC)
BSP322PL6327HTSA1	-	RFQ	5729	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4-21	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			p 채널		100 v	1A (TC)	4.5V, 10V	800mohm @ 1a, 10V	1V @ 380µA	16.5 nc @ 10 v	± 20V	372 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IRF7807D2TRPBF	-	RFQ	6160	인피온 인피온	Fetky ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널		30 v	8.3A (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5v	1V @ 250µA	17 nc @ 5 v	± 12V		Schottky 분리 (다이오드)	2.5W (TA)
irf7530tr	-	RFQ	3741	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	IRF7530	MOSFET (금속 (()	1.3W		Micro8 ™	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)				20V	5.4A		30mohm @ 5.4a, 4.5v	1.2V @ 250µA	26NC @ 4.5V		1310pf @ 15V	-
T2851N48ToHXPSA1	-	RFQ	6850	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AF	T2851N48			하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1				350 MA											5.2kV	4860 a	2.5 v	82000a @ 50Hz	350 MA	4120 a								1 scr
BCX53-16E6433	0.0900	RFQ	393	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			2 w		PG-SOT89-4-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,463																													80 v	1 a	100NA (ICBO)	500mv @ 50ma, 500ma	40 @ 50MA, 2V	125MHz
SPB160N04S2L03DTMA1	-	RFQ	5329	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	SPB160N	MOSFET (금속 (()			PG-to263-7-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		40 v	160A (TC)	10V	2.7mohm @ 80a, 10V	2V @ 250µA	230 nc @ 10 v	± 20V	8000 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPW65R050CFD7AXKSA1	12.6000	RFQ	2055	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPW65R050	MOSFET (금속 (()			PG-to247-3-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널		650 v	45A (TC)	10V	50mohm @ 24.8a, 10V	4.5V @ 1.24ma	102 NC @ 10 v	± 20V	4975 pf @ 400 v	-	227W (TC)
IPP60R190C6XKSA1	3.7100	RFQ	4	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP60R190	MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		600 v	20.2A (TC)	10V	190mohm @ 9.5a, 10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 v	± 20V	1400 pf @ 100 v	-	151W (TC)
IPA60R600CPXKSA1	-	RFQ	4185	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	IPA60R	MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-31	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널		600 v	6.1A (TC)	10V	600mohm @ 3.3a, 10V	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 v	± 20V	550 pf @ 100 v	-	28W (TC)
T830N12TOFXPSA1	-	RFQ	7920	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	T830N			하나의		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1				300 MA											1.8 kV	1500 a	1.5 v	14500A @ 50Hz	250 MA	844 a								1 scr
BSO4410	-	RFQ	6576	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		30 v	11.1A (TA)	4.5V, 10V	13mohm @ 11.1a, 10V	2V @ 42µA	21 NC @ 5 v	± 20V	1280 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)
irlu3103	-	RFQ	4125	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA		MOSFET (금속 (()			i-pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		30 v	55A (TC)	4.5V, 10V	19mohm @ 33a, 10V	1V @ 250µA	50 nc @ 4.5 v	± 16V	1600 pf @ 25 v	-	107W (TC)
td92n16kofahpsa1	-	RFQ	2024	인피온 인피온	-	대부분	쓸모 쓸모	140 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	TD92N			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	15				200 MA											1.6kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	102 a								1 scr, 1 다이오드
BAS7004WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	12	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323	BAS7004	Schottky			PG-SOT323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																			1 연결 연결 시리즈	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 v	150 ° C (°)
irfr3708trrpbf	-	RFQ	5439	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRFR3708	MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001575934	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	61A (TC)	2.8V, 10V	12.5mohm @ 15a, 10V	2V @ 250µA	24 nc @ 4.5 v	± 12V	2417 pf @ 15 v	-	87W (TC)
irls3036trl7pp	4.0100	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB	IRLS3036	MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널		60 v	240A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 180a, 10V	2.5V @ 250µA	160 nc @ 4.5 v	± 16V	11270 pf @ 50 v	-	380W (TC)
irfr13n20dtrl	-	RFQ	2469	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		200 v	13A (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	830 pf @ 25 v	-	110W (TC)
IRL540NPBF	1.7100	RFQ	27	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRL540	MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		100 v	36A (TC)	4V, 10V	44mohm @ 18a, 10V	2V @ 250µA	74 NC @ 5 v	± 16V	1800 pf @ 25 v	-	140W (TC)
IPU09N03LA g	-	RFQ	1988	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU09N	MOSFET (금속 (()			PG-to251-3-21	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널		25 v	50A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 30a, 10V	2V @ 20µA	13 nc @ 5 v	± 20V	1642 pf @ 15 v	-	63W (TC)
TT122N18KOFHPSA1	-	RFQ	7905	인피온 인피온	-	대부분	쓸모 쓸모	-40 ° C ~ 140 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TT122N			시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	8				200 MA											1.8 kV	160 a	1.4 v	1050a @ 50Hz	120 MA	104 a								2 scrs
IPD70P04P4L08AUMA2	-	RFQ	4755	인피온 인피온	Optimos®-P2	대부분	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD70	MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-313	-					쓸모없는		1			p 채널		40 v	70A (TC)	4.5V, 10V	7.8mohm @ 70a, 10V	2.2V @ 120µA	92 NC @ 10 v	+5V, -16V	5430 pf @ 25 v	-	75W (TC)
DD400S33K2CNOSA1	-	RFQ	1716	인피온 인피온	-	대부분	쓸모 쓸모		섀시 섀시	기준 기준		기준			A-IHV130-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2		짐																			2 독립	3300 v	-	3.5 V @ 400 a		550 A @ 1800 v	-40 ° C ~ 125 ° C
AUIRFP1405	-	RFQ	2905	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3		MOSFET (금속 (()			TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001515966	귀 99	8541.29.0095	400			n 채널		55 v	95A (TC)	10V	5.3MOHM @ 95A, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 v	± 20V	5600 pf @ 25 v	-	310W (TC)
IRFR3704ZPBF	-	RFQ	2813	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		20 v	60A (TC)	4.5V, 10V	8.4mohm @ 15a, 10V	2.55V @ 250µA	14 nc @ 4.5 v	± 20V	1190 pf @ 10 v	-	48W (TC)
BAW79DH6327XTSA1	0.2765	RFQ	7579	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	TO-243AA	BAW79	기준			PG-SOT89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	1,000		짐																			1 음극 음극 공통	400 v	500ma	1.6 V @ 1 a	1 µs	1 µa @ 400 v	150 ° C (°)
IPU60R2K0C6AKMA1	-	RFQ	1316	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	쓸모 쓸모	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	IPU60R	MOSFET (금속 (()			PG-to251-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널		600 v	2.4A (TC)	10V	2ohm @ 760ma, 10V	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 v	± 20V	140 pf @ 100 v	-	22.3W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²