SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IRG5U50HF12A Infineon Technologies irg5u50hf12a -
RFQ
ECAD 3468 0.00000000 인피온 인피온 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 Powir® 34 4 irg5u50 390 W. 기준 Powir® 34 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001544860 귀 99 8541.29.0095 20 반 반 - 1200 v 85 a 3.5V @ 15V, 50A 1 MA 아니요 5.7 NF @ 25 v
SGP30N60 Infineon Technologies SGP30N60 -
RFQ
ECAD 9277 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 sgp30n 기준 250 W. TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 400V, 30A, 11ohm, 15V NPT 600 v 41 a 112 a 2.4V @ 15V, 30A 1.29mj 140 NC 44ns/291ns
IPB80N06S208ATMA1 Infineon Technologies IPB80N06S208ATMA1 -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 7.7mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 25 v - 215W (TC)
IKD04N60RAATMA1 Infineon Technologies IKD04N60RAATMA1 -
RFQ
ECAD 7332 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 75 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns 도랑 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 90µJ (on), 150µJ (OFF) 27 NC 14ns/146ns
T830N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T830N12TOFXPSA1 -
RFQ
ECAD 7920 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK T830N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 1.8 kV 1500 a 1.5 v 14500A @ 50Hz 250 MA 844 a 1 scr
SPN03N60S5 Infineon Technologies SPN03N60S5 -
RFQ
ECAD 8402 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA SPN03N MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 700MA (TA) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 135µA 12.8 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
BC 817-25 E6433 Infineon Technologies BC 817-25 E6433 -
RFQ
ECAD 4414 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 170MHz
IRFH5004TRPBF Infineon Technologies IRFH5004TRPBF -
RFQ
ECAD 9931 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH5004 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 28A (TA), 100A (TC) 10V 2.6mohm @ 50a, 10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4490 pf @ 20 v - 3.6W (TA), 156W (TC)
IPB14N03LA G Infineon Technologies IPB14N03LA g -
RFQ
ECAD 6208 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB14N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
BF 5020 E6327 Infineon Technologies BF 5020 E6327 -
RFQ
ECAD 6162 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 8 v 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BF 5020 800MHz MOSFET PG-SOT-143-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25MA 10 MA - 26db 1.2db 5 v
IDL04G65C5XUMA1 Infineon Technologies IDL04G65C5XUMA1 -
RFQ
ECAD 9637 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 4-powertsfn IDL04G65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 4 a 0 ns 70 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 4a 1V @ 1V, 1MHz
FP10R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies FP10R12W1T4PB11BPSA1 44.7303
RFQ
ECAD 8804 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP10R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 20 a 2.25V @ 15V, 10A 1 MA 600 pf @ 25 v
BGR405H6327XTSA1 Infineon Technologies BGR405H6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 5521 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 50MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 3,000 - 5V 12MA NPN - - 1db ~ 1.6db @ 400mhz ~ 1.8ghz
IRGS8B60KTRLPBF Infineon Technologies IRGS8B60KTRLPBF -
RFQ
ECAD 1646 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS8B60 기준 167 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 8A, 50ohm, 15V NPT 600 v 28 a 34 a 2.2V @ 15V, 8A 160µJ (on), 160µJ (OFF) 29 NC 23ns/140ns
SPS04N60C3AKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3AKMA1 0.6000
RFQ
ECAD 25 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRF7799L2TRPBF Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF -
RFQ
ECAD 5692 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 250 v 35A (TC) 10V 38mohm @ 21a, 10V 5V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 30V 6714 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 125W (TC)
BC857BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies BC857BL3E6327XTMA1 0.1136
RFQ
ECAD 8462 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 BC857 250 MW PG-TSLP-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IPB120N06S402ATMA2 Infineon Technologies IPB120N06S402ATMA2 3.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 140µA 195 NC @ 10 v ± 20V 15750 pf @ 25 v - 188W (TC)
BCR 146T E6327 Infineon Technologies BCR 146T E6327 -
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 146 250 MW PG-SC-75 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 150MHz 47 Kohms 22 KOHMS
IPP037N08N3GE8181XKSA1 Infineon Technologies IPP037N08N3GE8181XKSA1 -
RFQ
ECAD 6143 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP037N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 80 v 100A (TC) 6V, 10V 3.75mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 155µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8110 pf @ 40 v - 214W (TC)
IRFP4127PBF Infineon Technologies IRFP4127PBF 6.0800
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP4127 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566148 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 75A (TC) 10V 21mohm @ 44a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 50 v - 341W (TC)
IRLR8503PBF Infineon Technologies IRLR8503PBF -
RFQ
ECAD 3456 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 44A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 62W (TC)
IRF6665 Infineon Technologies IRF6665 -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sh MOSFET (금속 (() DirectFet ™ sh 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001554114 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 100 v 4.2A (TA), 19A (TC) 10V 62mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
D690S26TS01XPSA1 Infineon Technologies D690S26TS01XPSA1 -
RFQ
ECAD 8959 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 DO-200AB, B-PUK D690S26 기준 BG-D5726K-1 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001046358 귀 99 8541.10.0080 1 2600 v 2.7 V @ 3000 a 9 µs 25 ma @ 2600 v 150 ° C (°) 690A -
BCR 199T E6327 Infineon Technologies BCR 199T E6327 -
RFQ
ECAD 1693 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 199 250 MW PG-SC75-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 200MHz 47 Kohms
BAR63 Infineon Technologies 바 63 0.0300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000
BFP405E6327BTSA1 Infineon Technologies BFP405E6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 8574 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP405 75MW PG-SOT343-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 23db 5V 25MA NPN 60 @ 5MA, 4V 25GHz 1.25dB @ 1.8GHz
SIGC81T60NCX1SA5 Infineon Technologies SIGC81T60NCX1SA5 -
RFQ
ECAD 9990 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC81T60 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 100A, 2.2OHM, 15V NPT 600 v 100 a 300 a 2.5V @ 15V, 100A - 95NS/200ns
AIMDQ75R016M1HXUMA1 Infineon Technologies AIMDQ75R016M1HXUMA1 17.6739
RFQ
ECAD 4682 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-AAMDQ75R016M1HXUMA1TR 750
IPW60R099C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R099C7XKSA1 6.8500
RFQ
ECAD 7716 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R099 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 14A (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10V 4V @ 490µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1819 pf @ 400 v - 110W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고