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제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	그들	기술	파워 - 파워	구조	입력	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 상태	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	속도	FET 종류	내구성 인증(암페어)	전류 - 유지(Ih)(최대)	테스트 조건	현재 - 테스트	전력 - 출력	얻다	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	전압 - 꺼짐 상태	현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대)	전압 - 수채화(Vgt)(최대)	현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm)	메모리 - 메모리(Igt)(최대)	현재 - 충전상태(It(AV))(최대)	모델 지수	다이오 구성	전압 - DC 역방향(Vr)(최대)	현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당)	전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If	역복구 시간(trr)	현재 - 역방향 위치 @ Vr	작동온도 - 그리고	현재 - 정류된 평균(Io)	커패시턴스 @ Vr, F	SCR, 다이오드 수	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	전압 - 테스트	- 컬렉터 컷오프(최대)	NTC 서미스터	입력 커패시턴스(Cies) @ Vce	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환	저항기 - 리프(R1)	저항기 - 이터레이터(R2)
IRL3715ZPBF	-	보상요청	2546	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-220-3				MOSFET(금속)				TO-220AB	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50			N채널							20V	50A(Tc)	4.5V, 10V	11m옴 @ 15A, 10V	2.55V @ 250μA	11nC @ 4.5V	±20V	10V에서 870pF	-	45W(Tc)
BG5120KH6327XTSA1	-	보상요청	7662	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	8V		표면 실장	6-VSSOP, SC-88, SOT-363			800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 N채널(듀얼)			20mA			10mA	-	23dB																	1.1dB																			5V
BSC097N06NSTATMA1	1.2400	보상요청	5	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	BSC097			MOSFET(금속)				PG-TDSON-8-1	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	5,000			N채널							60V	13A(Ta), 48A(Tc)	6V, 10V	9.7m옴 @ 40A, 10V	3.3V @ 14μA	15nC @ 10V	±20V	30V에서 1075pF	-	3W(Ta), 43W(Tc)
FS3L35R07W2H5C56BPSA1	45.9900	보상요청	2250	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인													-	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	448-FS3L35R07W2H5C56BPSA1			15
IRF7580MTRPBF	-	보상요청	5911	인피니언 테크놀로지스	StrongIRFET™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	DirectFET™ 아이소메트릭 ME	IRF7580			MOSFET(금속)				DirectFET™ 아이소메트릭 ME	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	4,800			N채널							60V	114A(Tc)	6V, 10V	3.6m옴 @ 70A, 10V	150μA에서 3.7V	180nC @ 10V	±20V	25V에서 6510pF	-	115W(Tc)
DD180N22SHPSA1	57.0000	보상요청	9739	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	활동적인			방역	기준기준	DD180N22			기준				BG-PB34SB-1	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	8		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																									1쌍 직렬 연결	2200V	226A			2200V에서 1mA	-40°C ~ 135°C
ISC104N12LM6ATMA1	2.0900	보상요청	5	인피니언 테크놀로지스	OptiMOS™ 6	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN	ISC104			MOSFET(금속)				PG-TDSON-8	-		1(무제한)					5,000			N채널							120V	11A(Ta), 63A(Tc)	3.3V, 10V	10.4m옴 @ 28A, 10V	35μA에서 2.2V	26nC @ 10V	±20V	60V에서 1800pF	-	3W(Ta), 94W(Tc)
BSS138IXTSA1	0.4100	보상요청	771	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3				MOSFET(금속)				PG-SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000			N채널							60V	230mA(타)	4.5V, 10V	3.5옴 @ 230mA, 10V	1.4V @ 26μA	1nC @ 10V	±20V	32pF @ 25V	-	360mW(타)
IPB80N06S208ATMA1	-	보상요청	7306	인피니언 테크놀로지스	옵티모스™	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB80N			MOSFET(금속)				PG-TO263-3-2	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널							55V	80A(Tc)	10V	7.7m옴 @ 58A, 10V	4V @ 150μA	96nC @ 10V	±20V	25V에서 2860pF	-	215W(Tc)
IRFS3107TRL7PP	5.0200	보상요청	14	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB	IRFS3107			MOSFET(금속)				D2PAK(7리드)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	800			N채널							75V	240A(Tc)	10V	2.6m옴 @ 160A, 10V	4V @ 250μA	240nC @ 10V	±20V	50V에서 9200pF	-	370W(Tc)
54W E6327	-	보상요청	9765	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우			표면 실장	SC-70, SOT-323	똥 54			쇼트키				PG-SOT323	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																										30V		800mV @ 100mA	5ns	25V에서 2μA	150°C(최대)	200mA	10pF @ 1V, 1MHz
BCR 35PN H6327	0.0700	보상요청	6	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	활동적인			표면 실장	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR 35				250mW			PG-SOT363-6	다운로드	해당 없음	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	4,116																																						50V	100mA							-			NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중)	500μA, 10mA에서 300mV	70 @ 5mA, 5V	150MHz	10kΩ	47k옴
IRF9520NSPBF	-	보상요청	6663	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET(금속)				D2PAK	다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SP001551696	EAR99	8541.29.0095	50			P채널							100V	6.8A(Tc)	10V	480m옴 @ 4A, 10V	4V @ 250μA	27nC @ 10V	±20V	25V에서 350pF	-	3.8W(Ta), 48W(Tc)
FZ1800R12HP4B9HOSA2	1.0000	보상요청	4603	인피니언 테크놀로지스	IHM-B	쟁반	활동적인		-40°C ~ 150°C	방역	기준기준	FZ1800				10500W		기준	기준기준	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	1	스위치																																				도랑	1200V	2700A		2.05V @ 15V, 1800A					5mA	아니요	25V에서 110nF
BCR533E6327HTSA1	0.4800	보상요청	18	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	마지막 구매			표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR533				330mW			PG-SOT23	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0075	3,000																																						50V	500mA							100nA(ICBO)			NPN - 사전 바이어스됨	300mV @ 2.5mA, 50mA	70 @ 50mA, 5V	100MHz	10kΩ	10kΩ
IPA50R650CEZKSA2	-	보상요청	7670	인피니언 테크놀로지스	쿨모스™	대부분	활동적인		-40°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-220-3 풀팩				MOSFET(금속)				PG-TO220 풀팩	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1			N채널							500V	9A(타)	13V	650m옴 @ 1.8A, 13V	150μA에서 3.5V	15nC @ 10V	±20V	100V에서 342pF	-	27.2W(Tc)
BCP 56-10 H6433	-	보상요청	8771	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		150°C (TJ)	표면 실장	TO-261-4, TO-261AA	BCP 56				2W			PG-SOT223-4	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0075	4,000																																						80V	1A							100nA(ICBO)			NPN	500mV @ 50mA, 500mA	63 @ 150mA, 2V	100MHz
D2200N24TVFPRXPSA1	-	보상요청	5867	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	SIC에서는 존재하지 않았습니다.			클램프 온	DO-200AC, K-PUK	D2200N24			기준				-	다운로드	ROHS3 준수	해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																										2400V		1.2V @ 2000A		2400V에서 150mA	-40°C ~ 160°C	2200A	-
D1230N12TXPSA1	-	보상요청	3830	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우			방역	DO-200AA, A-PUK	D1230N12			기준				-	다운로드		해당사항 없음	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0080	1		표준 복구 >500ns, > 200mA(Io)																										1200V		1.063V @ 800A		1200V에서 50mA	-40°C ~ 180°C	1230A	-
T420N12TOFXPSA1	-	보상요청	6071	인피니언 테크놀로지스	-	쟁반	더 이상 사용하지 않는 경우		-40°C ~ 125°C	클램프 온	DO-200AA, A-PUK	T420N					하나의			다운로드		1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.30.0080	1					300mA															1.8kV	750A	2V	7200A @ 50Hz	200mA	424A											1 SCR
BTS247ZE3062AATMA1	-	보상요청	3779	인피니언 테크놀로지스	TEMPFET®	대부분	활동적인		-40°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장	TO-263-5, D²Pak(4 리드 + 탭), TO-263BB				MOSFET(금속)				PG-TO263-5-2	다운로드	해당 없음	1(무제한)	공급자가 규정하지 않는 경우		EAR99	8541.29.0095	1,000			N채널							55V	33A(티씨)	4.5V, 10V	18m옴 @ 12A, 10V	2V @ 90μA	90nC @ 10V	±20V	1950pF @ 25V	-	120W(Tc)
SGW20N60	2.4800	보상요청	5	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-247-3		기준			179W			PG-TO247-3-21	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	0000.00.0000	122						400V, 20A, 16옴, 15V																															NPT	600V	40A	80A	2.4V @ 15V, 20A	440μJ(켜짐), 330μJ(꺼짐)	100nC	36ns/225ns
액세서리34031NOSA1	-	보상요청	9377	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우					액세서리3								-			REACH 영향을 받지 않았습니다.	448-액세서리34031NOSA1	EAR99	8542.39.0001	1
IRFP7537PBF	3.5000	보상요청	366	인피니언 테크놀로지스	HEXFET®, StrongIRFET™	튜브	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	스루홀	TO-247-3	IRFP7537			MOSFET(금속)				TO-247	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	25			N채널							60V	172A(Tc)	6V, 10V	3.3m옴 @ 100A, 10V	150μA에서 3.7V	210nC @ 10V	±20V	25V에서 7020pF	-	230W(Tc)
BSS139IXTMA1	-	보상요청	8470	인피니언 테크놀로지스	-	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS139			MOSFET(금속)				PG-SOT23-3-5	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0095	3,000			N채널							250V	100mA(타)	0V, 10V	14옴 @ 100mA, 10V	1V @ 56μA	2.3nC @ 5V	±20V	25V에서 60pF	-	360mW(타)
IRF7534D1TR	-	보상요청	7119	인피니언 테크놀로지스	FETKY™	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비)				MOSFET(금속)				마이크로8™	다운로드	RoHS 비준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	4,000			P채널							20V	4.3A(타)	2.5V, 4.5V	55m옴 @ 4.3A, 4.5V	1.2V @ 250μA	15nC @ 5V	±12V	1066pF @ 10V	쇼트키 다이오드(절연)	1.25W(타)
IPG20N04S4L11AATMA1	1.2600	보상요청	5435	인피니언 테크놀로지스	자동차, AEC-Q101, OptiMOS™	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 175°C (TJ)	표면 실장, 일부	8-PowerVDFN	IPG20N			MOSFET(금속)	41W			PG-TDSON-8-10	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N채널(듀얼)									40V	20A		11.6m옴 @ 17A, 10V	2.2V @ 15μA	26nC @ 10V		1990pF @ 25V	게임 레벨 레벨
IRG4BC15UD-LPBF	-	보상요청	8850	인피니언 테크놀로지스	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		-55°C ~ 150°C (TJ)	스루홀	TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA		기준			49W			TO-262	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	50						480V, 7.8A, 75옴, 15V																									28ns						-	600V	14A	42A	2.4V @ 15V, 7.8A	240μJ(켜짐), 260μJ(꺼짐)	23nC	17ns/160ns
BSC019N04NSG	-	보상요청	1784년	인피니언 테크놀로지스	OptiMOS™ 3	대부분	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	8파워TDFN				MOSFET(금속)				PG-TDSON-8-1	-						0000.00.0000	1			N채널							40V	29A(타), 204A(Tc)	10V	1.9m옴 @ 50A, 10V	4V @ 85μA	108nC @ 10V	±20V	20V에서 8800pF	-	2.5W(Ta), 125W(Tc)
BAW56WE6327	-	보상요청	4805	인피니언 테크놀로지스	-	대부분	활동적인			표면 실장	SC-70, SOT-323	BAW56			기준				SOT-323	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.10.0070	3,000		작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도																									1쌍 구역	80V	200mA(DC)	1.25V @ 150mA	4ns	70V에서 150nA	150°C(최대)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

디스크리트 같은 제품(16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²