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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
IPD90P04P405AUMA1 Infineon Technologies IPD90P04P405AUMA1 -
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 ECAD 9134 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 IPD90 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001004240 EAR99 8541.29.0095 2,500 10V ±20V
BSL215PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL215PL6327HTSA1 -
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 ECAD 2887 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 BSL215 MOSFET(금속) 500mW PG-TSOP6-6 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 1.5A 150m옴 @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 11μA 3.55nC @ 4.5V 346pF @ 15V 게임 레벨 레벨
IDP09E120 Infineon Technologies IDP09E120 -
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 ECAD 5603 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-2 IDP09 기준 PG-TO220-2-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1200V 2.15V @ 9A 140ns 1200V에서 100μA -55°C ~ 150°C 23A -
BAS3005A-02VH6327 Infineon Technologies BAS3005A-02VH6327 1.0000
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 ECAD 9978 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 SC-79, SOD-523 쇼트키 PG-SC79-2-1 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 30V 500mV @ 500mA 300μA @ 30V 150°C 500mA 10pF @ 5V, 1MHz
IRFC4668EF Infineon Technologies IRFC4668EF -
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 ECAD 4218 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 -
BAV70SH6827XTSA1 Infineon Technologies BAV70SH6827XTSA1 0.1186
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 ECAD 8228 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 표면 실장 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BAV70 기준 PG-SOT363-6-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 2쌍씩 시작됩니다 80V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 70V에서 150nA 150°C(최대)
IDW30C65D1XKSA1 Infineon Technologies IDW30C65D1XKSA1 3.2900
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 ECAD 1425 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 1 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 IDW30C65 기준 PG-TO247-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍씩 시작됩니다 650V 15A 1.7V @ 15A 71ns 650V에서 40μA -40°C ~ 175°C
IPC95R750P7X7SA1 Infineon Technologies IPC95R750P7X7SA1 -
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 ECAD 9866 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 활동적인 IPC95 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP002134100 0000.00.0000 1
IRF1404ZSPBF Infineon Technologies IRF1404ZSPBF -
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 ECAD 3745 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 180A(Tc) 10V 3.7m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 4340pF - 200W(Tc)
IRF3710SPBF Infineon Technologies IRF3710SPBF -
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 ECAD 6453 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 57A (Tc) 10V 23m옴 @ 28A, 10V 4V @ 250μA 130nC @ 10V ±20V 3130pF @ 25V - 200W(Tc)
FF600R12BE7B11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12BE7B11BPSA1 -
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 ECAD 7631 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. FF600R12 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 6
FP30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies FP30R06W1E3BOMA1 49.0500
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 ECAD 24 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EasyPIM™ 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FP30R06 115W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 24 삼상인버터 트렌치 필드스톱 600V 37A 2V @ 15V, 30A 1mA 예 25V에서 1.65nF
IRG6S320UPBF Infineon Technologies IRG6S320UPBF -
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 ECAD 7420 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRG6S320 기준 114W D2PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001533800 EAR99 8541.29.0095 50 196V, 12A, 10옴 도랑 330V 50A 1.65V @ 15V, 24A - 46nC 24ns/89ns
BSC100N03LSG Infineon Technologies BSC100N03LSG 1.0000
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 ECAD 5106 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™3 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) PG-TDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 13A(Ta), 44A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 17nC @ 10V ±20V 15V에서 1500pF - 2.5W(Ta), 30W(Tc)
BSC050NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC050NE2LSATMA1 0.9600
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 ECAD 29 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC050 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 25V 39A(Ta), 58A(Tc) 4.5V, 10V 5m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250μA 10.4nC @ 10V ±20V 12V에서 760pF - 2.5W(Ta), 28W(Tc)
IRF7530TR Infineon Technologies IRF7530TR -
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 ECAD 3741 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) IRF7530 MOSFET(금속) 1.3W 마이크로8™ 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 5.4A 30m옴 @ 5.4A, 4.5V 1.2V @ 250μA 26nC @ 4.5V 1310pF @ 15V -
IPD06P007NATMA1 Infineon Technologies IPD06P007NATMA1 -
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 ECAD 1877년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD06P MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001661938 EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 60V 4.3A(Tc) 10V 400m옴 @ 4.3A, 10V 4V @ 166μA 6.7nC @ 10V ±20V 30V에서 260pF - 19W(Tc)
SGW15N60FKSA1 Infineon Technologies SGW15N60FKSA1 -
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 ECAD 8449 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SGW15N 기준 139W PG-TO247-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 240 400V, 15A, 21옴, 15V NPT 600V 31A 62A 2.4V @ 15V, 15A 570μJ 76nC 32ns/234ns
IPD048N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD048N06L3GATMA1 1.3500
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 ECAD 1465 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD048N MOSFET(금속) PG-TO252-3-311 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 90A(Tc) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 90A, 10V 2.2V @ 58μA 50nC @ 4.5V ±20V 30V에서 8400pF - 115W(Tc)
IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB081N06L3GATMA1 1.7900
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 ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB081 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 50A(Tc) 4.5V, 10V 8.1m옴 @ 50A, 10V 34μA에서 2.2V 29nC @ 4.5V ±20V 30V에서 4900pF - 79W(Tc)
IPC60R099CPX1SA2 Infineon Technologies IPC60R099CPX1SA2 -
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 ECAD 2534 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 IPC60 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000482526 0000.00.0000 1 -
IPB45P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPB45P03P4L11ATMA2 0.9150
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 ECAD 9219 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB45P MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 30V 45A(Tc) 4.5V, 10V 10.8m옴 @ 45A, 10V 2V @ 85μA 55nC @ 10V +5V, -16V 3770pF @ 25V - 58W(Tc)
BDP950H6327XTSA1 Infineon Technologies BDP950H6327XTSA1 0.5094
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 ECAD 5280 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BDP950 5W PG-SOT223-4-10 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 3A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 200mA, 2A 85 @ 500mA, 1V 100MHz
IRF7807ATR Infineon Technologies IRF7807ATR -
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 ECAD 5663 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 8.3A(타) 4.5V 25m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 250μA 17nC @ 5V ±12V - 2.5W(타)
IPI120N06S4H1AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S4H1AKSA1 -
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 ECAD 6795 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI120N MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 60V 120A(Tc) 10V 2.4m옴 @ 100A, 10V 4V @ 200μA 270nC @ 10V ±20V 21900pF @ 25V - 250W(Tc)
IRG7PH30K10DPBF Infineon Technologies IRG7PH30K10DPBF -
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 ECAD 6533 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRG7PH 기준 180W TO-247AC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001549446 EAR99 8541.29.0095 25 600V, 9A, 22옴, 15V 140ns 도랑 1200V 30A 27A 2.35V @ 15V, 9A 530μJ(켜짐), 380μJ(꺼짐) 45nC 14ns/110ns
DD89N12KHPSA1 Infineon Technologies DD89N12KHPSA1 114.8300
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 ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 방역 기준기준 DD89N12 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 15 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 1200V 89A 1.5V @ 300A 1200V에서 20mA -40°C ~ 150°C
SIDC04D60F6X1SA2 Infineon Technologies SIDC04D60F6X1SA2 -
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 ECAD 7851 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 분수 SIDC04 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.6V @ 9A 600V에서 27μA -40°C ~ 175°C 9A -
IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1 11.0300
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 ECAD 443 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 IMZ120 SiCFET(탄화규소) PG-TO247-4-1 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 13A(티씨) 15V, 18V 220m옴 @ 4A, 18V 5.7V @ 1.6mA 8.5nC @ 18V +23V, -7V 800V에서 289pF - 75W(Tc)
T2001N36TOFXPSA1 Infineon Technologies T2001N36TOFXPSA1 2.0000
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 ECAD 1300 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 TO-200AF T2001N36 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2 350mA 3.6kV 29900A 2.5V 44000A @ 50Hz 350mA 1900A 1 SCR
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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