SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
F3L600R10W4S7FC22BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W4S7FC22BPSA1 306.6000
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ECAD 5 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 이지팩™ 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 20mW 기준 AG-EASY4B 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 6 3레벨 인버터 트렌치 필드스톱 950V 310A 2.25V @ 15V, 400A 1mA 49.2nF @ 25V
TZ425N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ425N18KOFHPSA1 236.6700
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ECAD 2489 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 TZ425N18 하나의 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 3 300mA 1.8kV 800A 1.5V 14500A @ 50Hz 250mA 510A 1 SCR
IPD70P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies IPD70P04P4L08ATMA1 1.7400
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ECAD 7769 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD70 MOSFET(금속) PG-TO252-3-313 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 70A(Tc) 4.5V, 10V 7.8m옴 @ 70A, 10V 2.2V @ 120μA 92nC @ 10V ±16V 5430pF @ 25V - 75W(Tc)
IRFR3704TRRPBF Infineon Technologies IRFR3704TRRPBF -
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ECAD 4721 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 75A(Tc) 10V 9.5m옴 @ 15A, 10V 3V @ 250μA 19nC @ 4.5V ±20V 1996pF @ 10V - 90W(Tc)
T1900N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1900N18TOFVTXPSA1 527.5700
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ECAD 3 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 135°C (TJ) 방역 TO-200AC T1900N 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 4 500mA 1.8kV 2840A 2V 39000A @ 50Hz 250mA 1810A 1 SCR
FF150R17ME3GBOSA1 Infineon Technologies FF150R17ME3GBOSA1 184.7820
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ECAD 9313 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoDUAL™ 3 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FF150R17 1050W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 2개의 면 트렌치 필드스톱 1700V 240A 2.45V @ 15V, 150A 3mA 25V에서 13.5nF
TD61N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TD61N16KOFHPSA1 -
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ECAD 7616 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 TD61N16 직렬 연결 - SCR/다이오드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 15 200mA 1.6kV 120A 1.4V 1550A @ 50Hz 120mA 76A SCR 1개, 다이오드 1개
IRF2907ZS-7PPBF Infineon Technologies IRF2907ZS-7PPBF -
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ECAD 9770 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 160A(Tc) 10V 3.8m옴 @ 110A, 10V 4V @ 250μA 260nC @ 10V ±20V 25V에서 7580pF - 300W(Tc)
ISZ75DP15LMATMA1 Infineon Technologies ISZ75DP15LMATMA1 0.9000
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ECAD 5 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000
SIGC42T120CQX1SA1 Infineon Technologies SIGC42T120CQX1SA1 -
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ECAD 1358 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC42T120 기준 분수 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - - 1200V 75A 2.1V @ 15V, 25A - -
IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies IHW30N160R2FKSA1 -
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ECAD 5073 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TrenchStop® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IHW30 기준 312W PG-TO247-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 240 600V, 30A, 10옴, 15V NPT, 트렌치 필드스톱 1600V 60A 90A 2.1V @ 15V, 30A 4.37mJ 94nC -/525ns
IRL3705NL Infineon Technologies IRL3705NL -
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ECAD 3780 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRL3705NL EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 89A (Tc) 4V, 10V 10m옴 @ 46A, 10V 2V @ 250μA 98nC @ 5V ±16V 3600pF @ 25V - 3.8W(Ta), 170W(Tc)
DF75R12W1H4FB11BOMA2 Infineon Technologies DF75R12W1H4FB11BOMA2 99.2950
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ECAD 8967 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 이지팩™ 쟁반 마지막 구매 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 DF75R12 20mW 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 24 삼상인버터 - 1200V 25A 2.65V @ 15V, 25A 1mA 25V에서 2nF
IRF7807A Infineon Technologies IRF7807A -
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ECAD 1942년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF7807A EAR99 8541.29.0095 95 N채널 30V 8.3A(타) 4.5V 25m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 250μA 17nC @ 5V ±12V - 2.5W(타)
FF225R65T3E3P2BPSA1 Infineon Technologies FF225R65T3E3P2BPSA1 1.0000
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ECAD 2499 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 XHP™3 쟁반 활동적인 125°C (TJ) 방역 기준기준 FF225R65 1000W 기준 AG-XHP3K65 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2 2개의 면 트렌치 필드스톱 5900V 225A 3.4V @ 15V, 225A 5mA 아니요 25V에서 65.6nF
IKW50N65H5FKSA1 Infineon Technologies IKW50N65H5FKSA1 6.2400
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ECAD 124 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IKW50N65 기준 305W PG-TO247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12옴, 15V 57ns - 650V 80A 150A 2.1V @ 15V, 50A 520μJ(켜짐), 180μJ(꺼짐) 120nC 21ns/180ns
BCX5616H6433XTMA1 Infineon Technologies BCX5616H6433XTMA1 0.1920
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ECAD 9843 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA BCX5616 2W PG-SOT89 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 80V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies IRLS3034-7PPBF -
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ECAD 3923 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 240A(Tc) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 200A, 10V 2.5V @ 250μA 180nC @ 4.5V ±20V 40V에서 10990pF - 380W(Tc)
IFCM10P60GDXKMA1 Infineon Technologies IFCM10P60GDXKMA1 19.2800
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ECAD 2816 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CIPOS™ 튜브 활동적인 스루홀 24-PowerDIP 모듈(1.028", 26.10mm) IGBT IFCM10 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 14 3상 인버터 10A 600V 2000Vrms
64-2155PBF Infineon Technologies 64-2155PBF -
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ECAD 9780 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 튜브 활동적인 64-2155 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001550640 EAR99 8541.29.0095 50
BAT5403WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT5403WE6327HTSA1 0.5300
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ECAD 112 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 BAT5403 쇼트키 PG-SOD323-3D 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 30V 800mV @ 100mA 5ns 25V에서 2μA 150°C(최대) 200mA 10pF @ 1V, 1MHz
BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies BSB008NE2LXXUMA1 -
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ECAD 6458 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-WDSON BSB008 MOSFET(금속) MG-WDSON-2, CanPAK M™ 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 25V 46A(Ta), 180A(Tc) 4.5V, 10V 0.8m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250μA 343nC @ 10V ±20V 16000pF @ 12V - 2.8W(Ta), 89W(Tc)
IPB015N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB015N04NGATMA1 4.5100
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB015 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 120A(Tc) 10V 1.5m옴 @ 100A, 10V 4V @ 200μA 250nC @ 10V ±20V 20000pF @ 20V - 250W(Tc)
IPP60R450E6 Infineon Technologies IPP60R450E6 0.7300
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ECAD 6442 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 318 N채널 600V 9.2A(Tc) 10V 450m옴 @ 3.4A, 10V 280μA에서 3.5V 28nC @ 10V ±20V 100V에서 620pF - 74W(Tc)
TD162N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TD162N12KOFHPSA1 -
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ECAD 8694 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 TD162N 직렬 연결 - SCR/다이오드 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 8 200mA 1.6kV 260A 2V 5200A @ 50Hz 150mA 162A SCR 1개, 다이오드 1개
DDB6U104N16RRB37BPSA1 Infineon Technologies DDB6U104N16RRB37BPSA1 107.7300
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ECAD 8 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 150°C (TJ) 방역 기준기준 DDB6U104 20mW 기준 AG-ECONO2B - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 헬기 - 1200V 50A 2.8V @ 15V, 50A 1mA 3.3nF @ 25V
FP75R07N2E4B16BOSA1 Infineon Technologies FP75R07N2E4B16BOSA1 -
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ECAD 2818 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoPIM™ 2 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FP75R07 20mW 삼상 다리 정류기 AG-ECONO2B - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 삼상인버터 트렌치 필드스톱 650V 95A 1.95V @ 15V, 75A 1mA 25V에서 4.6nF
IPB65R190CFDAATMA1 Infineon Technologies IPB65R190CFDAATMA1 5.4900
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ECAD 5094 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R190 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 650V 17.5A(Tc) 10V 190m옴 @ 7.3A, 10V 700μA에서 4.5V 68nC @ 10V ±20V 100V에서 1850pF - 151W(Tc)
SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60C3FKSA1 6.6600
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SPW20N60 MOSFET(금속) PG-TO247-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 20.7A(Tc) 10V 190m옴 @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114nC @ 10V ±20V 2400pF @ 25V - 208W(Tc)
IGCM04G60HAXKMA1 Infineon Technologies IGCM04G60HAXKMA1 10.1100
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ECAD 22 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CIPOS™ 튜브 활동적인 스루홀 24-PowerDIP 모듈(1.028", 26.10mm) IGBT IGCM04 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 14 3상 4A 600V 2000Vrms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고