SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC 847C E6433 Infineon Technologies BC 847C E6433 0.0300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330 MW PG-SOT23 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 9,427 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
BFP410H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP410H6327XTSA1 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP410 150MW PG-SOT343-4-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 5V 40ma NPN 60 @ 13MA, 2V 25GHz 1.2dB @ 2GHz
AUIRFS8409 Infineon Technologies AUIRFS8409 -
RFQ
ECAD 3891 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS8409 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 14240 pf @ 25 v - 375W (TC)
94-3412PBF Infineon Technologies 94-3412pbf -
RFQ
ECAD 9007 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7811 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V 12mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA 33 NC @ 5 v ± 12V 2335 pf @ 16 v - 3.1W (TA)
BCP 56-10 H6433 Infineon Technologies BCP 56-10 H6433 -
RFQ
ECAD 8771 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP 56 2 w PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
IRF7451TRPBF Infineon Technologies IRF7451TRPBF 1.6300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7451 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 150 v 3.6A (TA) 10V 90mohm @ 2.2a, 10V 5.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 30V 990 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IRFC4668EF Infineon Technologies IRFC4668EF -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
T2351N52TOHXPSA1 Infineon Technologies T2351N52TOHXPSA1 3.0000
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AF T2351N52 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 350 MA 5.2kV 3530 a 2.5 v 55000A @ 50Hz 350 MA 3110 a 1 scr
BSM75GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies BSM75GB120DLCHOSA1 -
RFQ
ECAD 6812 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM75GB120 690 W. 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 - 1200 v 170 a 2.6V @ 15V, 75A 5 MA 아니요 5.1 NF @ 25 v
SPA07N60CFDXKSA1 Infineon Technologies SPA07N60CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 6698 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SPA07N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 6.6A (TC) 10V 700mohm @ 4.6a, 10V 5V @ 300µA 47 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S51R7ATMA1 2.2200
RFQ
ECAD 5502 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC100 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 7V, 10V 1.7mohm @ 50a, 10V 3.4V @ 60µA 83 NC @ 10 v ± 20V 4810 pf @ 25 v - 115W (TC)
BCR108SH6327 Infineon Technologies BCR108SH6327 -
RFQ
ECAD 5451 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR108 250MW PG-SOT363-6-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 1 50V 100ma 100NA (ICBO) 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
IRF3315LPBF Infineon Technologies IRF3315LPBF -
RFQ
ECAD 5636 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3315LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 21A (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR141SH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR141 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22kohms 22kohms
T880N12TOFXPSA1 Infineon Technologies T880N12TOFXPSA1 -
RFQ
ECAD 4758 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK T880N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 1.8 kV 1750 a 2.2 v 17500A @ 50Hz 250 MA 880 a 1 scr
T2851N52TS08PRQRXPSA1 Infineon Technologies T2851N52TS08PRQRXPSA1 -
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AF T2851N 하나의 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000539788 쓸모없는 0000.00.0000 1 350 MA 5.2kV 4680 a 2.5 v 82000a @ 50Hz 350 MA 4120 a 1 scr
IRL1004 Infineon Technologies IRL1004 -
RFQ
ECAD 6692 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL1004 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 200W (TC)
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC026N08NS5ATMA1 3.2600
RFQ
ECAD 5856 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC026 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 23A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 2.6mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 115µA 92 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 156W (TC)
IRFP054NPBF Infineon Technologies IRFP054NPBF 2.9400
RFQ
ECAD 947 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP054 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 55 v 81A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRL3202STRR Infineon Technologies irl3202strr -
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 48A (TC) 4.5V, 7V 16mohm @ 29a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 43 NC @ 4.5 v ± 10V 2000 pf @ 15 v - 69W (TC)
IRL540NSTRRPBF Infineon Technologies irl540nstrrpbf -
RFQ
ECAD 9138 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550372 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2V @ 250µA 74 NC @ 5 v ± 16V 1800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
IRFR3504ZTRRPBF Infineon Technologies irfr3504ztrrpbf -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
BSC160N15NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC160N15NS5ATMA1 2.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC160 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 56A (TC) 8V, 10V 16mohm @ 28a, 10V 4.6V @ 60µA 23.1 NC @ 10 v ± 20V 1820 pf @ 75 v - 96W (TC)
BUZ73E3046XK Infineon Technologies BUZ73E3046XK -
RFQ
ECAD 1972 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buz73 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 530 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRF6215PBF Infineon Technologies IRF6215PBF -
RFQ
ECAD 6570 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPD06N03LA G Infineon Technologies IPD06N03LA g -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD06N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
BCR 135L3 E6327 Infineon Technologies BCR 135L3 E6327 -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 135 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 150MHz 10 KOHMS 47 Kohms
IRFR3504ZTRPBF Infineon Technologies irfr3504ztrpbf 1.4600
RFQ
ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3504 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
SIDC09D60E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC09D60E6X1SA1 -
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC09D60 기준 호일에 호일에 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 20 a 150 ns 27 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
IRFP064VPBF Infineon Technologies IRFP064VPBF -
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 60 v 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 78a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 6760 pf @ 25 v - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고