| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFSL4228PBF | - | ![]() | 7176 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001567954 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 150V | 83A(티씨) | 10V | 15m옴 @ 33A, 10V | 5V @ 250μA | 107nC @ 10V | ±30V | 25V에서 4530pF | - | 330W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 158T E6327 | - | ![]() | 4802 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | SC-75, SOT-416 | BCR 158 | 250mW | PG-SC-75 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 200MHz | 2.2kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKB30N65EH5ATMA1 | 4.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IKB30N65 | 기준 | 188W | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 30A, 22옴, 15V | 75ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 55A | 90A | 2.1V @ 15V, 30A | 870μJ(켜짐), 300μJ(꺼짐) | 70nC | 24ns/159ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP35R12N2T4B86BPSA1 | 178.3073 | ![]() | 6563 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R260M1HXUMA1 | 7.0100 | ![]() | 9708 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | 8-PowerSFN | SiCFET(탄화규소) | PG-HSOF-8-1 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650V | - | 18V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0902NSIATMA1 | 1.2300 | ![]() | 2095 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSZ0902 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 21A(타), 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.8m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1500pF | - | 2.5W(Ta), 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM100GB170DN2HOSA1 | - | ![]() | 3370 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | BSM100 | 1000W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000092012 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 다리 다리 | - | 1700V | 145A | 3.9V @ 15V, 100A | 1mA | 아니요 | 25V에서 16nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUA250N08S5N018AUMA1 | 4.4300 | ![]() | 7576 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 5-PowerSFN | IAUA250 | MOSFET(금속) | PG-HSOF-5-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 80V | 250A(티제이) | 6V, 10V | 1.8m옴 @ 100A, 10V | 150μA에서 3.8V | 125nC @ 10V | ±20V | 40V에서 8715pF | - | 238W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR142B6327HTLA1 | - | ![]() | 1887년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR142 | 200mW | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 30,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 150MHz | 22kΩ | 47kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7328PBF | - | ![]() | 5269 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF732 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001555158 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,800 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 8A | 21m옴 @ 8A, 10V | 2.5V @ 250μA | 78nC @ 10V | 2675pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL802SNH6327XTSA1 | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | MOSFET(금속) | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001101012 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 7.5A(타) | 1.8V, 2.5V | 22m옴 @ 7.5A, 2.5V | 30μA에서 750mV | 4.7nC @ 2.5V | ±8V | 1347pF @ 10V | - | 2W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3715ZSTRL | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 20V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 11m옴 @ 15A, 10V | 2.55V @ 250μA | 11nC @ 4.5V | ±20V | 10V에서 870pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D2520N22TVFXPSA1 | 408.0400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | 방역 | DO-200AC, K-PUK | D2520N22 | 기준 | BG-D7526K0-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 4 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 2200V에서 75mA | -40°C ~ 175°C | 2520A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAUC60N04S6L045HATMA1 | 2.0500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | IAUC60 | MOSFET(금속) | 52W(Tc) | PG-TDSON-8-57 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 N 채널(하프 다리) | 40V | 60A(티제이) | 4.5m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 13μA | 19nC @ 10V | 1136pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7759L2TR | 10.6300 | ![]() | 2028년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | AUIRF7759 | MOSFET(금속) | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 75V | 375A(Tc) | 10V | 2.3m옴 @ 96A, 10V | 4V @ 250μA | 300nC @ 10V | ±20V | 25V에서 12222pF | - | 3.3W(Ta), 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 129L3 E6327 | - | ![]() | 9483 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | BCR 129 | 250mW | PG-TSLP-3-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 120 @ 5mA, 5V | 150MHz | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S2L09AKSA2 | - | ![]() | 5219 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 55V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.5m옴 @ 52A, 10V | 2V @ 125μA | 105nC @ 10V | ±20V | 2620pF @ 25V | - | 190W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7204PBF | - | ![]() | 7848 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | P채널 | 20V | 5.3A(타) | 4.5V, 10V | 60m옴 @ 5.3A, 10V | 2.5V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±12V | 10V에서 860pF | - | 2.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-2042 | - | ![]() | 7675 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IRF1404 | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 75A(Tc) | 10V | 3.7m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 150nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4340pF | - | 220W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIGB15N65F5ATMA1 | 2.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | - | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AIGB15 | 기준 | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650V | 15A | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTS113AE3045ANTMA1 | - | ![]() | 7158 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TEMPFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 11.5A(Tc) | 4.5V | 170m옴 @ 5.8A, 4.5V | 2.5V @ 1mA | ±10V | 25V에서 560pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7420 | - | ![]() | 4619 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRF7420 | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | P채널 | 12V | 11.5A(Tc) | 1.8V, 4.5V | 14m옴 @ 11.5A, 4.5V | 250μA에서 900mV | 38nC @ 4.5V | ±8V | 3529pF @ 10V | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T590N12TOFXPSA1 | - | ![]() | 6562 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | DO-200AB, B-PUK | T590N | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300mA | 1.8kV | 1250A | 2.2V | 9400A @ 50Hz | 250mA | 590A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP07N600S5 | 0.8800 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7350TRPBF | - | ![]() | 4854 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF7350 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N 및 P 채널 | 100V | 2.1A, 1.5A | 210m옴 @ 2.1A, 10V | 4V @ 250μA | 28nC @ 10V | 380pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP321PH6327XTSA1 | 0.9200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BSP321 | MOSFET(금속) | PG-SOT223-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 100V | 980mA(Tc) | 10V | 900m옴 @ 980mA, 10V | 4V @ 380μA | 12nC @ 10V | ±20V | 25V에서 319pF | - | 1.8W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC10SPBF | - | ![]() | 2336 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 38W | TO-220AB | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 8A, 100옴, 15V | - | 600V | 14A | 18A | 1.8V @ 15V, 8A | 140μJ(켜짐), 2.58mJ(꺼짐) | 15nC | 25ns/630ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM75GB120DN2_E3223C-SE | 101.9500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4RC10SDPBF | - | ![]() | 5371 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRG4RC10SDPBF | 기준 | 38W | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 480V, 8A, 100옴, 15V | 28ns | - | 600V | 14A | 18A | 1.8V @ 15V, 8A | 310μJ(켜짐), 3.28mJ(꺼짐) | 15nC | 76ns/815ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPLK80R600P7ATMA1 | 1.9400 | ![]() | 3046 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | 8파워TDFN | IPLK80 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | 800V | - | - | - | - | ±20V | - | - |

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