| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFC5305B | - | ![]() | 5571 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | 분수 | MOSFET(금속) | 분수 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-IRFC5305B | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | - | 55V | 31A | 10V | 60m옴 @ 31A, 10V | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7328PBF | - | ![]() | 5269 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF732 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001555158 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,800 | 2 P채널(듀얼) | 30V | 8A | 21m옴 @ 8A, 10V | 2.5V @ 250μA | 78nC @ 10V | 2675pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T420N14TOFXPSA1 | 134.5400 | ![]() | 6354 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 마지막 구매 | -40°C ~ 125°C | 방역 | DO-200AA, A-PUK | T420N14 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 12 | 300mA | 1.8kV | 750A | 2V | 7200A @ 50Hz | 200mA | 424A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP35R12N2T4B86BPSA1 | 178.3073 | ![]() | 6563 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R260M1HXUMA1 | 7.0100 | ![]() | 9708 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | 8-PowerSFN | SiCFET(탄화규소) | PG-HSOF-8-1 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650V | - | 18V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC850CWE6327 | 0.0200 | ![]() | 3884 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 250mW | PG-SOT323-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,900 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7476 | - | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N채널 | 12V | 15A(타) | 2.8V, 4.5V | 8m옴 @ 15A, 4.5V | 250μA에서 1.9V | 40nC @ 4.5V | ±12V | 2550pF @ 6V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7501TRPBF | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | IRF7501 | MOSFET(금속) | 1.25W | 마이크로8™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 2.4A | 135m옴 @ 1.7A, 4.5V | 250μA에서 700mV | 8nC @ 4.5V | 260pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD105N04LGBTMA1 | - | ![]() | 9631 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD105N | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 40V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 10.5m옴 @ 40A, 10V | 2V @ 14μA | 23nC @ 10V | ±20V | 1900pF @ 20V | - | 42W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP50H6327XTSA1 | 0.2819 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BSP50 | 1.5W | PG-SOT223-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 1A | 10μA | NPN-달링턴 | 1.8V @ 1mA, 1A | 2000 @ 500mA, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F423MR12W1M1B11BOMA1 | 154.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 이지팩™ | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | F423MR12 | 20mW | 기준 | AG-EASY1BM-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 다리를 풀다 | 도랑 | 1200V | 50A | - | 예 | 800V에서 3.68nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR120NPBF | - | ![]() | 4484 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 9.4A(Tc) | 10V | 210m옴 @ 5.6A, 10V | 4V @ 250μA | 25nC @ 10V | ±20V | 330pF @ 25V | - | 48W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0902NSIATMA1 | 1.2300 | ![]() | 2095 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSZ0902 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 21A(타), 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.8m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 250μA | 24nC @ 10V | ±20V | 15V에서 1500pF | - | 2.5W(Ta), 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM100GB170DN2HOSA1 | - | ![]() | 3370 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | BSM100 | 1000W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000092012 | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 다리 다리 | - | 1700V | 145A | 3.9V @ 15V, 100A | 1mA | 아니요 | 25V에서 16nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUA250N08S5N018AUMA1 | 4.4300 | ![]() | 7576 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 5-PowerSFN | IAUA250 | MOSFET(금속) | PG-HSOF-5-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 80V | 250A(티제이) | 6V, 10V | 1.8m옴 @ 100A, 10V | 150μA에서 3.8V | 125nC @ 10V | ±20V | 40V에서 8715pF | - | 238W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD035N06L3GATMA1 | - | ![]() | 3347 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD035N | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 90A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.5m옴 @ 90A, 10V | 2.2V @ 93μA | 79nC @ 4.5V | ±20V | 30V에서 13000pF | - | 167W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGPF50F | - | ![]() | 8855 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 가방 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 200W | TO-247AC | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 900V | 51A | 2.7V @ 15V, 28A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF3MR20KM1HPHPSA1 | 1.0000 | ![]() | 3045 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | 방역 | 기준기준 | 기준 | AG-62MMHB | - | ROHS3 준수 | 8 | 다리 다리 | 트렌치 필드스톱 | 2kV | - | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD92N08KOFHPSA1 | - | ![]() | 2915 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | TD92N | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRAM538-1065A | - | ![]() | 9636 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | IGBT | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001544404 | EAR99 | 8542.39.0001 | 130 | 3상 | 10A | 600V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF7759L2TR | 10.6300 | ![]() | 2028년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | AUIRF7759 | MOSFET(금속) | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 75V | 375A(Tc) | 10V | 2.3m옴 @ 96A, 10V | 4V @ 250μA | 300nC @ 10V | ±20V | 25V에서 12222pF | - | 3.3W(Ta), 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7451TRPBF | 1.6300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF7451 | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 150V | 3.6A(타) | 10V | 90m옴 @ 2.2A, 10V | 250μA에서 5.5V | 41nC @ 10V | ±30V | 25V에서 990pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7105QTRPBF | - | ![]() | 7150 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF71 | MOSFET(금속) | 2W | 8-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N 및 P 채널 | 25V | 3.5A, 2.3A | 100m옴 @ 1A, 10V | 3V @ 250μA | 27nC @ 10V | 330pF @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70WE6327 | - | ![]() | 1236 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BAV70 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍의 세션이 시작됩니다 | 80V | 200mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 70V에서 150nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N03S4L04AKSA1 | - | ![]() | 1508년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.7m옴 @ 80A, 10V | 2.2V에서 45μA | 75nC @ 10V | ±16V | 5100pF @ 25V | - | 94W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 92-0262PBF | - | ![]() | 7132 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 활동적인 | 92-0262 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP80N06S2L11AKSA2 | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 55V | 80A(Tc) | 10V | 10.7m옴 @ 40A, 10V | 2V @ 93μA | 80nC @ 10V | ±20V | 2075pF @ 25V | - | 158W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC040N10NS5ATMA1 | 2.9600 | ![]() | 97 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSC040 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 100A(Tc) | 6V, 10V | 4m옴 @ 50A, 10V | 3.8V @ 95μA | 72nC @ 10V | ±20V | 5300pF @ 50V | - | 2.5W(Ta), 139W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKB30N65EH5ATMA1 | 4.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IKB30N65 | 기준 | 188W | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 30A, 22옴, 15V | 75ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 55A | 90A | 2.1V @ 15V, 30A | 870μJ(켜짐), 300μJ(꺼짐) | 70nC | 24ns/159ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-02W E6327 | - | ![]() | 6412 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-80 | BAT64 | 쇼트키 | SCD-80 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 40V | 750mV @ 100mA | 5ns | 30V에서 2μA | 150°C(최대) | 120mA | 6pF @ 1V, 1MHz |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

전세계 제조업체

재고 창고