SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BAS7004E6327HTSA1 Infineon Technologies BAS7004E6327HTSA1 0.3700
RFQ
ECAD 27 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS7004 Schottky PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 70 v 70MA (DC) 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 v 150 ° C (°)
BCR148E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR148E6327HTSA1 0.3800
RFQ
ECAD 350 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 47 Kohms 47 Kohms
BCR198SE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR198SE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 9016 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR198 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 190mhz 47kohms 47kohms
AUIRFU8403-701TRL Infineon Technologies auirfu8403-701trl -
RFQ
ECAD 5764 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10V 3.9V @ 100µA 99 NC @ 10 v ± 20V 3171 pf @ 25 v - 99W (TC)
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP072N10N3GXKSA1 2.4000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP072 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 7.2MOHM @ 80A, 10V 3.5V @ 90µA 68 NC @ 10 v ± 20V 4910 pf @ 50 v - 150W (TC)
IRF7342TRPBF Infineon Technologies IRF7342TRPBF 1.5200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF734 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 55V 3.4a 105mohm @ 3.4a, 10V 1V @ 250µA 38NC @ 10V 690pf @ 25V 논리 논리 게이트
T640N16TOFXPSA1 Infineon Technologies T640N16TOFXPSA1 133.7700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 DO-200AA, A-PUK T640N16 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 300 MA 1.8 kV 1250 a 2.2 v 9400A @ 50Hz 250 MA 644 a 1 scr
BCR119WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR119WH6327XTSA1 0.0553
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR119 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 120 @ 5MA, 5V 150MHz 4.7 Kohms
SPP100N08S2-07 Infineon Technologies SPP100N08S2-07 -
RFQ
ECAD 4330 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 100A (TC) 4.5V, 10V 7.1MOHM @ 66A, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 6020 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFB23N15DPBF Infineon Technologies IRFB23N15DPBF -
RFQ
ECAD 8840 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 23A (TC) 10V 90mohm @ 14a, 10V 5.5V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 136W (TC)
BCR 133L3 E6327 Infineon Technologies BCR 133L3 E6327 -
RFQ
ECAD 9894 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-101, SOT-883 BCR 133 250 MW PG-TSLP-3-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 130MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
IRF7325 Infineon Technologies IRF7325 -
RFQ
ECAD 6236 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF732 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 2 p 채널 (채널) 12V 7.8a 24mohm @ 7.8a, 4.5v 900MV @ 250µA 33NC @ 4.5V 2020pf @ 10V 논리 논리 게이트
BFP 196R E6501 Infineon Technologies BFP 196R E6501 -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BFP 196 700MW PG-SOT-143-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10.5dB ~ 16.5dB 12V 150ma NPN 70 @ 50MA, 8V 7.5GHz 1.3dB ~ 2.3db @ 900MHz ~ 1.8GHz
SMBTA92E6327HTSA1 Infineon Technologies SMBTA92E6327HTSA1 0.4800
RFQ
ECAD 3104 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MBTA92 360 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
SIDC09D60E6X1SA1 Infineon Technologies SIDC09D60E6X1SA1 -
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC09D60 기준 호일에 호일에 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 20 a 150 ns 27 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BCR 519 E6327 Infineon Technologies BCR 519 E6327 -
RFQ
ECAD 6541 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 519 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 120 @ 50MA, 5V 100MHz 4.7 Kohms
BSS138N E8004 Infineon Technologies BSS138N E8004 -
RFQ
ECAD 5842 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230ma, 10V 1.4V @ 250µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V 41 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IRFS4115PBF Infineon Technologies IRFS4115PBF -
RFQ
ECAD 6409 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 195a (TC) 10V 12.1MOHM @ 62A, 10V 5V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 5270 pf @ 50 v - 375W (TC)
IRF7379 Infineon Technologies IRF7379 -
RFQ
ECAD 2239 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF737 MOSFET (금속 (() 2.5W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7379 귀 99 8541.29.0095 95 n 및 p 채널 30V 5.8A, 4.3A 45mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 520pf @ 25V -
BC817K40WH6327XTSA1 Infineon Technologies BC817K40WH6327XTSA1 0.0634
RFQ
ECAD 4975 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 250 MW PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 170MHz
T860N32TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T860N32TOFVTXPSA1 -
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC T860N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 500 MA 3.6kV 2000 a 2 v 18000a @ 50Hz 250 MA 860 a 1 scr
BAS 40-07 B6327 Infineon Technologies BAS 40-07 B6327 -
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-253-4, TO-253AA BAS 40 Schottky PG-SOT-143-3D 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 30,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 100 ps 1 µa @ 30 v 150 ° C (°)
IRFU4104PBF Infineon Technologies IRFU4104PBF -
RFQ
ECAD 5182 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF7353D2TRPBF Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF -
RFQ
ECAD 5930 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 29mohm @ 5.8a, 10V 1V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IPP100N10S305AKSA1 Infineon Technologies IPP100N10S305AKSA1 6.4800
RFQ
ECAD 65 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 5.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 240µA 176 NC @ 10 v ± 20V 11570 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF3707STRL Infineon Technologies IRF3707STRL -
RFQ
ECAD 8335 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1990 pf @ 15 v - 87W (TC)
IPI90N06S4L04AKSA1 Infineon Technologies IPI90N06S4L04AKSA1 -
RFQ
ECAD 4281 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI90N MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 90µA 170 nc @ 10 v ± 16V 13000 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPB03N03LA G Infineon Technologies IPB03N03LA g -
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB03N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.7mohm @ 55a, 10V 2V @ 100µa 57 NC @ 5 v ± 20V 7027 pf @ 15 v - 150W (TC)
BCR 162F E6327 Infineon Technologies BCR 162F E6327 -
RFQ
ECAD 6346 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-723 BCR 162 200 MW PG-TSFP-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5V 200MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies SPD30N03S2L-07 -
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 85µA 68 NC @ 10 v ± 20V 2530 pf @ 25 v - 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고