| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AIKB15N65DH5ATMA1 | 3.7300 | ![]() | 5606 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | - | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AIKB15 | 기준 | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650V | 15A | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW61C | 1.0000 | ![]() | 3200 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250mW | SOT-23 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32V | 100mA | 20nA(ICBO) | PNP | 550mV @ 1.25mA, 50mA | 250 @ 2mA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IST026N10NM5AUMA1 | 4.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 5-PowerSFN | IST026N | MOSFET(금속) | PG-HSOF-5-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 100V | 27A(Ta), 248A(Tc) | 6V, 10V | 2.6m옴 @ 100A, 10V | 3.8V @ 148μA | 125nC @ 10V | ±20V | 50V에서 6300pF | - | 3.8W(Ta), 313W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP30R06W1E3B11BOMA1 | 45.2600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EasyPIM™ | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FP30R06 | 115W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 600V | 37A | 2V @ 15V, 30A | 1mA | 예 | 25V에서 1.65nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB47N10S33ATMA1 | - | ![]() | 8007 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB47N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 47A (Tc) | 10V | 33m옴 @ 33A, 10V | 4V @ 2mA | 105nC @ 10V | ±20V | 2500pF @ 25V | - | 175W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R800CEATMA1 | - | ![]() | 5199 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CE | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 5.6A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 2A, 10V | 170μA에서 3.5V | 17.2nC @ 10V | ±20V | 100V에서 373pF | - | 48W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPG20N10S4L22ATMA1 | 1.6800 | ![]() | 236 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | IPG20N | MOSFET(금속) | 60W | PG-TDSON-8-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 N채널(듀얼) | 100V | 20A | 22m옴 @ 17A, 10V | 2.1V @ 25μA | 27nC @ 10V | 1755pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS139IXTMA1 | - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS139 | MOSFET(금속) | PG-SOT23-3-5 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 250V | 100mA(타) | 0V, 10V | 14옴 @ 100mA, 10V | 1V @ 56μA | 2.3nC @ 5V | ±20V | 25V에서 60pF | - | 360mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7534D1TR | - | ![]() | 7119 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | FETKY™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | MOSFET(금속) | 마이크로8™ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P채널 | 20V | 4.3A(타) | 2.5V, 4.5V | 55m옴 @ 4.3A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 15nC @ 5V | ±12V | 1066pF @ 10V | 쇼트키 다이오드(절연) | 1.25W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKW07N120FKSA1 | - | ![]() | 3870 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SKW07N | 기준 | 125W | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 800V, 8A, 47옴, 15V | 60ns | NPT | 1200V | 16.5A | 27A | 3.6V @ 15V, 8A | 1mJ | 70nC | 27ns/440ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7416QTRPBF | - | ![]() | 8989 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P채널 | 30V | 10A(타) | 20m옴 @ 5.6A, 10V | 1V @ 250μA | 92nC @ 10V | 25V에서 1700pF | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLC8259ED | - | ![]() | 1809년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001573876 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP49H6327XTSA1 | 0.2627 | ![]() | 1920년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | BCP49 | 1.5W | PG-SOT223-4-10 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN-달링턴 | 1V @ 100μA, 100mA | 10000 @ 100mA, 5V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB65R125C7ATMA1 | - | ![]() | 4611 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C7 | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 18A(타) | 10V | 125m옴 @ 8.9A, 10V | 4V @ 440μA | 35nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1670pF | - | 101W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD450S45T3E4BPSA1 | - | ![]() | 2525 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DD400S33K2CNOSA1 | - | ![]() | 1716년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | 기준기준 | 기준 | A-IHV130-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 2개의 면 | 3300V | - | 3.5V @ 400A | 550A @ 1800V | -40°C ~ 125°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPW47N60CFDFKSA1 | 14.0008 | ![]() | 9322 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SPW47N60 | MOSFET(금속) | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N채널 | 600V | 46A(Tc) | 10V | 83m옴 @ 29A, 10V | 5V @ 2.9mA | 322nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7700pF | - | 417W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9520NSPBF | - | ![]() | 6663 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001551696 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P채널 | 100V | 6.8A(Tc) | 10V | 480m옴 @ 4A, 10V | 4V @ 250μA | 27nC @ 10V | ±20V | 25V에서 350pF | - | 3.8W(Ta), 48W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR533E6327HTSA1 | 0.4800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR533 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 70 @ 50mA, 5V | 100MHz | 10kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR116E6433HTMA1 | 0.0495 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR116 | 200mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 150MHz | 4.7kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR802NL6327HTSA1 | 0.6300 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSR802 | MOSFET(금속) | PG-SC59-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 3.7A(타) | 1.8V, 2.5V | 23m옴 @ 3.7A, 2.5V | 30μA에서 750mV | 4.7nC @ 2.5V | ±8V | 1447pF @ 10V | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD30N06S2L13ATMA1 | - | ![]() | 2127 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-11 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N채널 | 55V | 30A(Tc) | 4.5V, 10V | 13m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 80μA | 69nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1800pF | - | 136W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR166WE6327 | 0.0200 | ![]() | 9479 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BCR166 | 250mW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 160MHz | 4.7kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1800R12HP4B9HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 4603 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FZ1800 | 10500W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 스위치 | 도랑 | 1200V | 2700A | 2.05V @ 15V, 1800A | 5mA | 아니요 | 25V에서 110nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D2200N24TVFPRXPSA1 | - | ![]() | 5867 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 클램프 온 | DO-200AC, K-PUK | D2200N24 | 기준 | - | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 2400V | 1.2V @ 2000A | 2400V에서 150mA | -40°C ~ 160°C | 2200A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D1230N12TXPSA1 | - | ![]() | 3830 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | DO-200AA, A-PUK | D1230N12 | 기준 | - | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1200V | 1.063V @ 800A | 1200V에서 50mA | -40°C ~ 180°C | 1230A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB7430PBF | 3.2100 | ![]() | 625 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFB7430 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 195A(Tc) | 6V, 10V | 1.3m옴 @ 100A, 10V | 3.9V @ 250μA | 460nC @ 10V | ±20V | 25V에서 14240pF | - | 375W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1081N70TOHPRXPSA1 | 3.0000 | ![]() | 9782 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C(TC) | 방역 | TO-200AF | T1081N70 | 하나의 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 350mA | 7kV | 2040A | 2.5V | 35000A @ 50Hz | 350mA | 1800A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6798MTR1PBF | - | ![]() | 6599 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MX | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 25V | 37A(타), 197A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.3m옴 @ 37A, 10V | 150μA에서 2.35V | 75nC @ 4.5V | ±20V | 6560pF @ 13V | 쇼트키 다이오드(본체) | 2.8W(Ta), 78W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7085TRPBF | 1.9700 | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | StrongIRFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | IRFH7085 | MOSFET(금속) | PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 60V | 100A(Tc) | 6V, 10V | 3.2m옴 @ 75A, 10V | 150μA에서 3.7V | 165nC @ 10V | ±20V | 25V에서 6460pF | - | 156W(Tc) |

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