| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급업체 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 모델 지수 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS214NL6327HTSA1 | - | ![]() | 7072 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 20V | 1.5A(타) | 2.5V, 4.5V | 140m옴 @ 1.5A, 4.5V | 1.2V @ 3.7μA | 0.8nC @ 5V | ±12V | 10V에서 143pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847PNH6327XTSA1 | 0.0886 | ![]() | 1211 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 250mW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN, PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T2160N26TOFVTXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 8317 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 방역 | DO-200AE | T2160N26 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300mA | 2.8kV | 4600A | 3V | 44000A @ 50Hz | 300mA | 2400A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIMZH120R040M1TXKSA1 | 16.4400 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 튜브 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-AIMZH120R040M1TXKSA1 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP4768PBF | 7.4000 | ![]() | 1737년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRFP4768 | MOSFET(금속) | TO-247AC | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N채널 | 250V | 93A(티씨) | 10V | 17.5m옴 @ 56A, 10V | 5V @ 250μA | 270nC @ 10V | ±20V | 50V에서 10880pF | - | 520W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS800R07A2E3B32BOSA1 | 947.9533 | ![]() | 4575 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 쟁반 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | FS800R07 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA90R500C3XKSA2 | 4.0500 | ![]() | 2066년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA90R500 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 900V | 11A(티씨) | 10V | 500m옴 @ 6.6A, 10V | 740μA에서 3.5V | 68nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1700pF | - | 34W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD250N1825KOFHPSA1 | - | ![]() | 5648 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | TD250N | 직렬 연결 - SCR/다이오드 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300mA | 1.8kV | 410A | 2V | 8000A @ 50Hz | 200mA | 250A | SCR 1개, 다이오드 1개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC100N04S51R7ATMA1 | 2.2200 | ![]() | 5502 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IPC100 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-34 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 7V, 10V | 1.7m옴 @ 50A, 10V | 60μA에서 3.4V | 83nC @ 10V | ±20V | 4810pF @ 25V | - | 115W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP315PE6327T | - | ![]() | 7341 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | PG-SOT223-4 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 60V | 1.17A(타) | 4.5V, 10V | 800m옴 @ 1.17A, 10V | 2V @ 160μA | 7.8nC @ 10V | ±20V | 25V에서 160pF | - | 1.8W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T880N12TOFXPSA1 | - | ![]() | 4758 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 클램프 온 | DO-200AB, B-PUK | T880N | 하나의 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300mA | 1.8kV | 1750A | 2.2V | 17500A @ 50Hz | 250mA | 880A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50R520CPBTMA1 | - | ![]() | 8332 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CP | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD50R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-313 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000307380 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 500V | 7.1A(Tc) | 10V | 520m옴 @ 3.8A, 10V | 250μA에서 3.5V | 17nC @ 10V | ±20V | 100V에서 680pF | - | 66W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGOT60R070D1AUMA1 | - | ![]() | 6771 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolGaN™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 20-PowerSOIC(0.433", 11.00mm 폭) | IGOT60 | GaNFET(질화갈륨) | PG-DSO-20-87 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 600V | 31A(Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | -10V | 400V에서 380pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR9343-701PBF | - | ![]() | 3226 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-4, DPak(리드 3개 + 탭) | MOSFET(금속) | 아이팩 (LF701) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | P채널 | 55V | 20A(TC) | 4.5V, 10V | 105m옴 @ 3.4A, 10V | 1V @ 250μA | 47nC @ 10V | ±20V | 50V에서 660pF | - | 79W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 액세서리33234NOSA1 | - | ![]() | 2965년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 액세서리3 | - | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-액세서리33234NOSA1 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC 847C E6433 | 0.0300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 9,427 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | NPN | 600mV @ 5mA, 100mA | 420 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | P2000DL45X168APT8HPSA1 | 7.0000 | ![]() | 7355 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | P2000D | - | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4086PBF | - | ![]() | 2211 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 160W | TO-247AC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001532854 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 196V, 25A, 10옴 | 도랑 | 300V | 70A | 2.96V @ 15V, 120A | - | 65nC | 36ns/112ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM818MCCXKMA1 | 45.7400 | ![]() | 555 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | IM818-SCC | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | 24-PowerDIP 모듈(1.205", 30.60mm) | IGBT | IM818 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 14 | 3상 인버터 | 16A | 1.2kV | 2500Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO201SPHXUMA1 | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | BSO201 | MOSFET(금속) | PG-DSO-8 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 20V | 12A(타) | 2.5V, 4.5V | 8m옴 @ 14.9A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 88nC @ 4.5V | ±12V | 9600pF @ 15V | - | 1.6W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRD3CH16DB6 | - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 분수 | IRD3CH16 | 기준 | 좀 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001539714 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) | 1200V | 2.7V @ 25A | 190ns | 1200V에서 5μA | -40°C ~ 150°C | 25A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6100PBF | - | ![]() | 4195 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-FlipFet™ | IRF6100 | MOSFET(금속) | 4-FlipFet™ | 다운로드 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | P채널 | 20V | 5.1A(타) | 2.5V, 4.5V | 65m옴 @ 5.1A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 21nC @ 5V | ±12V | 1230pF @ 15V | - | 2.2W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6725MTRPBF | - | ![]() | 3843 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MX | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,800 | N채널 | 30V | 28A(타), 170A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.2m옴 @ 28A, 10V | 100μA에서 2.35V | 54nC @ 4.5V | ±20V | 4700pF @ 15V | - | 2.8W(Ta), 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6648TRPBF | 2.3700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MN | IRF6648 | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MN | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,800 | N채널 | 60V | 86A(티씨) | 10V | 7m옴 @ 17A, 10V | 150μA에서 4.9V | 50nC @ 10V | ±20V | 2120pF @ 25V | - | 2.8W(Ta), 89W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3504TRRPBF | - | ![]() | 1055 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 30A(Tc) | 10V | 9.2m옴 @ 30A, 10V | 4V @ 250μA | 71nC @ 10V | ±20V | 2150pF @ 25V | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12KT4B11BPSA1 | 83.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoPIM™ 2 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FP25R12 | 160W | 삼상 다리 정류기 | AG-ECONO2B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 25A | 2.15V @ 15V, 25A | 1mA | 예 | 25V에서 1.45nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IHW20N140R5LXKSA1 | 3.2200 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC27T120T8LX1SA2 | - | ![]() | 1014 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 트렌치스톱™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 분수 | IGC27T120 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 75A | 2.07V @ 15V, 25A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF 1009SR E6327 | 0.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 12V | 표면 실장 | SOT-143R | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143R-3D | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,730 | N채널 | 25mA | - | 22dB | 1.4dB | 9V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R190P6XKSA1 | 3.1800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP60R190 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 20.2A(Tc) | 10V | 190m옴 @ 7.6A, 10V | 4.5V @ 630μ | 11nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1750pF | - | 151W(Tc) |

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