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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
PTFA211801F V4 R250 Infineon Technologies PTFA211801F V4 R250 -
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 ECAD 5938 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 2-플랫팩, 핀 결과, 일치형 PTFA211801 2.14GHz LDMOS H-37260-2 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 10μA 1.2A 35W 15.5dB - 28V
IRFR2607Z Infineon Technologies IRFR2607Z -
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 ECAD 5583 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFR2607Z EAR99 8541.29.0095 75 N채널 75V 42A(Tc) 10V 22m옴 @ 30A, 10V 4V @ 50μA 51nC @ 10V ±20V 25V에서 1440pF - 110W(Tc)
98-0193 Infineon Technologies 98-0193 -
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 ECAD 1157 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 튜브 활동적인 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001514712 EAR99 8541.29.0095 50
FF800R12KL4CNOSA1 Infineon Technologies FF800R12KL4CNOSA1 -
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 ECAD 8684 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 기음 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C (TJ) 방역 기준기준 5000W - AG-프라임2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2 2개의 면 - 1200V 1250A 2.6V @ 15V, 800A 5mA 아니요 25V에서 56nF
D126B45CXPSA1 Infineon Technologies D126B45CXPSA1 -
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 ECAD 8511 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 덤불 DO-205AA, DO-8, 그리고 D126B45 기준 - - 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 4500V 4500V에서 30mA -40°C ~ 160°C 200A -
IRGSL4640DPBF Infineon Technologies IRGSL4640DPBF -
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 ECAD 9212 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 250W TO-262 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 50 400V, 24A, 10옴, 15V 89ns - 600V 65A 72A 1.9V @ 15V, 24A 115μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) 75nC 41ns/104ns
BCR48PNE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR48PNE6327BTSA1 -
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 ECAD 7847 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR48 250mW PG-SOT363-PO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 70mA, 100mA - NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 70 @ 5mA, 5V 100MHz, 200MHz 47k옴, 2.2k옴 47kΩ
IRG4RC10SPBF Infineon Technologies IRG4RC10SPBF -
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 ECAD 7513 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRG4RC10SPBF 기준 38W D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001537126 EAR99 8541.29.0095 75 480V, 8A, 100옴, 15V - 600V 14A 18A 1.8V @ 15V, 8A 140μJ(켜짐), 2.58mJ(꺼짐) 15nC 25ns/630ns
BSP316PE6327T Infineon Technologies BSP316PE6327T -
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 ECAD 6406 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) PG-SOT223-4 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 100V 680mA(타) 4.5V, 10V 1.8옴 @ 680mA, 10V 2V @ 170μA 6.4nC @ 10V ±20V 25V에서 146pF - 1.8W(타)
IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE050N08NM5CGSCATMA1 3.0700
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 ECAD 1085 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 9-파워WDFN MOSFET(금속) PG-WHTFN-9-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 6,000 N채널 80V 16A(타), 99A(Tc) 6V, 10V 5m옴 @ 20A, 10V 49μA에서 3.8V 44nC @ 10V ±20V 40V에서 2900pF - 2.5W(Ta), 100W(Tc)
64-4092PBF Infineon Technologies 64-4092PBF -
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 ECAD 8564 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IRLU2705 MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 55V 28A(TC) 4V, 10V 40m옴 @ 17A, 10V 2V @ 250μA 25nC @ 5V ±16V 25V에서 880pF - 68W(Tc)
D1050N18TXPSA1 Infineon Technologies D1050N18TXPSA1 141.7400
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 ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 방역 DO-200AB, B-PUK D1050N 기준 - 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 6 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1800V 1V @ 1000A 1800V에서 60mA -40°C ~ 180°C 1050A -
IRG4BC20MDPBF Infineon Technologies IRG4BC20MDPBF -
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 ECAD 5715 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 60W TO-220AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 480V, 11A, 50옴, 15V 37ns - 600V 18A 36A 2.1V @ 15V, 11A 410μJ(켜짐), 2.03mJ(꺼짐) 39nC 21ns/463ns
FF4MR12KM1HHPSA1 Infineon Technologies FF4MR12KM1HHPSA1 499.8000
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 ECAD 3226 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 FF4MR12 - - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 10 -
IPF019N12NM6ATMA1 Infineon Technologies IPF019N12NM6ATMA1 3.5501
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 ECAD 8992 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 IPDQ65 - ROHS3 준수 1,000
IRF3707 Infineon Technologies IRF3707 -
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 ECAD 9150 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF3707 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 30V 62A(Tc) 4.5V, 10V 12.5m옴 @ 15A, 10V 3V @ 250μA 19nC @ 4.5V ±20V 1990pF @ 15V - 87W(Tc)
DF450R12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies DF450R12N2E4PB11BPSA1 169.0850
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 ECAD 4719 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 마지막 구매 - - - DF450 - - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001664370 0000.00.0000 10 - - -
IRF6655TRPBF Infineon Technologies IRF6655TRPBF -
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 ECAD 2710 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 SH MOSFET(금속) DIRECTFET™ SH 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,800 N채널 100V 4.2A(Ta), 19A(Tc) 10V 62m옴 @ 5A, 10V 4.8V @ 25μA 11.7nC @ 10V ±20V 25V에서 530pF - 2.2W(Ta), 42W(Tc)
IRG4PH40UD-EPBF Infineon Technologies IRG4PH40UD-EPBF -
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 ECAD 5511 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 160W TO-247AC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 800V, 21A, 10옴, 15V 63ns - 1200V 41A 82A 3.1V @ 15V, 21A 1.8mJ(켜짐), 1.93mJ(꺼짐) 86nC 46ns/97ns
IRF7468 Infineon Technologies IRF7468 -
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 ECAD 4428 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF7468 EAR99 8541.29.0095 95 N채널 40V 9.4A(타) 4.5V, 10V 15.5m옴 @ 9.4A, 10V 2V @ 250μA 34nC @ 4.5V ±12V 2460pF @ 20V - 2.5W(타)
IPP147N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP147N12N3GXKSA1 2.0100
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 ECAD 11 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP147 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 120V 56A(타) 10V 14.7m옴 @ 56A, 10V 4V @ 61μA 49nC @ 10V ±20V 3220pF @ 60V - 107W(Tc)
D121N18BXPSA1 Infineon Technologies D121N18BXPSA1 -
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 ECAD 5825 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 덤불 DO-205AA, DO-8, 그리고 D121N 기준 - 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1800V 1800V에서 20mA -40°C ~ 180°C 230A -
IPF011N08NM6ATMA1 Infineon Technologies IPF011N08NM6ATMA1 3.5613
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 ECAD 7487 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 1,000
41040324AWLXPSA1 Infineon Technologies 41040324AWLXPSA1 -
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 ECAD 2889 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 41040324 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1
AIMBG75R016M1HXTMA1 Infineon Technologies AIMBG75R016M1HXTMA1 17.7456
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 ECAD 1873년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-AIMBG75R016M1HXTMA1TR 1,000
IRGR3B60KD2TRLP Infineon Technologies IRGR3B60KD2TRLP -
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 ECAD 9916 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRGR3B60 기준 52W D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 400V, 3A, 100옴, 15V 77ns NPT 600V 7.8A 15.6A 2.4V @ 15V, 3A 62μJ(켜짐), 39μJ(꺼짐) 13nC 18ns/110ns
BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies BSC082N10LSGATMA1 2.8800
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 ECAD 1858년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC082 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 13.8A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 8.2m옴 @ 100A, 10V 110μA에서 2.4V 104nC @ 10V ±20V 50V에서 7400pF - 156W(Tc)
IRFR3103TRL Infineon Technologies IRFR3103TRL -
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 ECAD 4564 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 400V 1.7A(타) 10V 3.6옴 @ 1A, 10V 4V @ 250μA 12nC @ 10V ±20V 25V에서 170pF - 2.5W(Ta), 25W(Tc)
IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R050CFD7AXKSA1 12.6000
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 ECAD 2055년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IPW65R050 MOSFET(금속) PG-TO247-3-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 45A(Tc) 10V 50m옴 @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102nC @ 10V ±20V 4975pF @ 400V - 227W(Tc)
SPI07N60S5HKSA1 Infineon Technologies SPI07N60S5HKSA1 -
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 ECAD 7945 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA SPI07N MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 7.3A(Tc) 10V 600m옴 @ 4.6A, 10V 350μA에서 5.5V 35nC @ 10V ±20V 25V에서 970pF - 83W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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