SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
BC817UPNB6327XT Infineon Technologies BC817UPNB6327XT -
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ECAD 5737 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-74, SOT-457 BC817 330mW PG-SC74-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 30,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN, PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 170MHz
TD520N22KOFHPSA2 Infineon Technologies TD520N22KOFHPSA2 380.8700
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ECAD 1318 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 125°C (TJ) 표면 실장 기준기준 TD520N22 직렬 연결 - SCR/다이오드 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2 300mA 2.2kV 1050A 2.2V - 250mA 520A SCR 1개, 다이오드 1개
SPP08N50C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N50C3XKSA1 -
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ECAD 6305 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP08N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 560V 7.6A(Tc) 10V 600m옴 @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350μA 32nC @ 10V ±20V 25V에서 750pF - 83W(Tc)
IPB22N03S4L15ATMA1 Infineon Technologies IPB22N03S4L15ATMA1 -
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ECAD 3362 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB22N03 MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 22A(TC) 4.5V, 10V 14.6m옴 @ 22A, 10V 2.2V @ 10μA 14nC @ 10V ±16V 980pF @ 25V - 31W(Tc)
T2871N80TS04PRXPSA1 Infineon Technologies T2871N80TS04PRXPSA1 -
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ECAD 6875 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 125°C (TJ) 방역 TO-200AF 하나의 - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1 350mA 8kV 4120A 2.5V 93000A @ 50Hz 350mA 3660A 1 SCR
TZ500N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ500N14KOFHPSA1 -
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ECAD 1671년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 TZ500N 하나의 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 3 300mA 1.4kV 1050A 2.2V 17A @ 50Hz 250mA 669A 1 SCR
IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies IPB60R160P6ATMA1 4.2300
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ P6 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R160 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 23.8A(Tc) 10V 160m옴 @ 9A, 10V 750μA에서 4.5V 44nC @ 10V ±20V 100V에서 2080pF - 176W(Tc)
T940N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T940N18TOFXPSA1 210.4022
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ECAD 5514 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 DO-200AB, B-PUK T940N18 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 9 300mA 1.8kV 1759A 2.2V 17500A @ 50Hz 250mA 959A 1 SCR
DD560N45KHPSA1 Infineon Technologies DD560N45KHPSA1 370.4500
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ECAD 3926 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 쟁반 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2
BSL806NL6327 Infineon Technologies BSL806NL6327 1.0000
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ECAD 9381 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 BSL806 MOSFET(금속) 500mW PG-TSOP6-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 20V 2.3A 57m옴 @ 2.3A, 2.5V 11μA에서 750mV 1.7nC @ 2.5V 259pF @ 10V 게임 레벨 레벨
IRL3715STRL Infineon Technologies IRL3715STRL -
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ECAD 2559 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 20V 54A(티씨) 4.5V, 10V 14m옴 @ 26A, 10V 3V @ 250μA 17nC @ 4.5V ±20V 1060pF @ 10V - 3.8W(Ta), 71W(Tc)
SPP06N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPP06N60C3HKSA1 -
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ECAD 2166 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP06N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 6.2A(Tc) 10V 750m옴 @ 3.9A, 10V 260μA에서 3.9V 31nC @ 10V ±20V 25V에서 620pF - 74W(Tc)
IPB80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies IPB80P03P4L07ATMA1 1.1390
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ECAD 3128 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80P MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 30V 80A(Tc) 4.5V, 10V 6.9m옴 @ 80A, 10V 2V @ 130μA 80nC @ 10V +5V, -16V 5700pF @ 25V - 88W(Tc)
FF4MR12KM1H Infineon Technologies FF4MR12KM1H -
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ECAD 2795 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 FF4MR12 - - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-FF4MR12KM1H EAR99 8541.29.0095 1 -
IRL3715ZLPBF Infineon Technologies IRL3715ZLPBF -
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ECAD 8559 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 20V 50A(Tc) 4.5V, 10V 11m옴 @ 15A, 10V 2.55V @ 250μA 11nC @ 4.5V ±20V 10V에서 870pF - 45W(Tc)
BSP125L6433 Infineon Technologies BSP125L6433 0.3100
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ECAD 231 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) PG-SOT223-4-21 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 120mA(타) 4.5V, 10V 45옴 @ 120mA, 10V 2.3V @ 94μA 6.6nC @ 10V ±20V 25V에서 150pF - 1.8W(타)
IM111X6Q1BAUMA1 Infineon Technologies IM111X6Q1BAUMA1 12.0300
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ECAD 4905 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q100, CIPOS™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 39-PowerVQFN MOSFET 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 2,000 H-브리지 12A 600V 1500Vrms
ICA21V01X1SA1 Infineon Technologies ICA21V01X1SA1 -
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ECAD 8672 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001035636 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1
FF2MR12KM1HP Infineon Technologies FF2MR12KM1HP -
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ECAD 9236 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 - 방역 기준기준 FF2MR12 기준 AG-62MM - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-FF2MR12KM1HP EAR99 8541.29.0095 1 다리 다리 트렌치 필드스톱 1200V - 아니요
FZ400R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies FZ400R17KE3S4HOSA1 214.2880
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ECAD 3524 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 기음 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FZ400R17 2250W 기준 기준기준 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 필드스톱 1700V 620A 2.45V @ 15V, 400A 3mA 아니요 25V에서 36nF
SPI16N50C3 Infineon Technologies SPI16N50C3 1.1300
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ECAD 300 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 300 N채널 500V 16A(티씨) 10V 280m옴 @ 10A, 10V 675μA에서 3.9V 66nC @ 10V ±20V 25V에서 1600pF - 160W(Tc)
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies IPC100N04S5L1R9ATMA1 1.7200
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ECAD 69 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN IPC100 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-34 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.9m옴 @ 50A, 10V 2V @ 50μA 81nC @ 10V ±16V 4310pF @ 25V - 100W(Tc)
AUIRF1324WL Infineon Technologies AUIRF1324WL 11.1800
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ECAD 2650 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 와이드 리드 AUIRF1324 MOSFET(금속) TO-262-3 확장 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 24V 240A(Tc) 10V 1.3m옴 @ 195A, 10V 4V @ 250μA 180nC @ 10V ±20V 7630pF @ 19V - 300W(Tc)
IRFB7734PBF Infineon Technologies IRFB7734PBF 2.6800
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ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET®, StrongIRFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRFB7734 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 183A(Tc) 6V, 10V 3.5m옴 @ 100A, 10V 250μA에서 3.7V 270nC @ 10V ±20V 25V에서 10150pF - 290W(Tc)
IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 10.0800
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ECAD 463 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB407 MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 300V 44A(Tc) 10V 40.7m옴 @ 44A, 10V 4V @ 270μA 87nC @ 10V ±20V 7180pF @ 100V - 300W(Tc)
BC817K-25WH6433 Infineon Technologies BC817K-25WH6433 0.0500
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ECAD 20 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC817 500mW PG-SOT323-3-1 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 6,217 45V 500mA 100nA(ICBO) 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 170MHz
BAW 56 E6433 Infineon Technologies BAW 56 E6433 -
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ECAD 2140 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAW 56 기준 PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 10,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 70V에서 150nA 150°C(최대)
IRF9395MTR1PBF Infineon Technologies IRF9395MTR1PBF -
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ECAD 8490 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MC IRF9395 MOSFET(금속) 2.1W DIRECTFET™ MC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 2 P채널(듀얼) 30V 14A 7m옴 @ 14A, 10V 50μA에서 2.4V 64nC @ 10V 3241pF @ 15V 게임 레벨 레벨
SIGC07T60NCX1SA4 Infineon Technologies SIGC07T60NCX1SA4 -
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ECAD 1160 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC07 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 300V, 6A, 54옴, 15V NPT 600V 6A 18A 2.5V @ 15V, 6A - 21ns/110ns
SGD06N60BUMA1 Infineon Technologies SGD06N60BUMA1 -
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ECAD 9913 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 SGD06N 기준 68W PG-TO252-3-11 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 400V, 6A, 50옴, 15V NPT 600V 12A 24A 2.4V @ 15V, 6A 215μJ 32nC 25ns/220ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고