| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | T1601N35TOFXPSA1 | - | ![]() | 6633 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | TO-200AF | T1601N35 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 350mA | 3.6kV | 29900A | 2.5V | 44000A @ 50Hz | 350mA | 1900A | 1 SCR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7103TRPBFXTMA1 | 0.3972 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 2W(타) | PG-DSO-8-902 | - | ROHS3 준수 | 448-IRF7103TRPBFXTMA1TR | 4,000 | 2 N채널 | 50V | 3A(타) | 130m옴 @ 3A, 10V | 3V @ 250μA | 30nC @ 10V | 290pF @ 25V | 기준 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB4020PBF | 1.8600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFB4020 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 200V | 18A(TC) | 10V | 100m옴 @ 11A, 10V | 100μA에서 4.9V | 29nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1200pF | - | 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP129L6327HTSA1 | - | ![]() | 6906 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 240V | 350mA(타) | 0V, 10V | 6옴 @ 350mA, 10V | 1V @ 108μA | 5.7nC @ 5V | ±20V | 25V에서 108pF | 고갈 모드 | 1.8W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ530N32KOFHPSA1 | - | ![]() | 8935 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | TZ530N | 하나의 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 500mA | 3.2kV | 1500A | 2V | 22A @ 50Hz | 250mA | 955A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE7PHPSA1 | 261.2688 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | C, 트렌치스톱™ | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | 기준 | AG-62MMHB | - | ROHS3 준수 | 8 | 머리 다리 컨트롤러 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 600A | 1.75V @ 15V, 600A | 100μA | 아니요 | 92300pF @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS33MR12W1M1HB11BPSA1 | 158.8800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 쟁반 | 활동적인 | - | 방역 | 기준기준 | FS33MR12 | 실리콘 카바이드(SiC) | - | AG-EASY1B | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | - | 1200V | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF2804STRL7PP | 3.6300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB | IRF2804 | MOSFET(금속) | D2PAK(7리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 40V | 160A(Tc) | 10V | 1.6m옴 @ 160A, 10V | 4V @ 250μA | 260nC @ 10V | ±20V | 6930pF @ 25V | - | 330W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5316E6327HTSA1 | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | BCX53 | 2W | PG-SOT89 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDYH80G200C5XKSA1 | 49.5219 | ![]() | 6204 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 튜브 | 활동적인 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-IDYH80G200C5XKSA1 | 240 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPZ60R017C7XKSA1 | 27.0600 | ![]() | 171 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-4 | IPZ60R017 | MOSFET(금속) | PG-TO247-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N채널 | 600V | 109A(Tc) | 10V | 17m옴 @ 58.2A, 10V | 4V @ 2.91mA | 240nC @ 10V | ±20V | 400V에서 9890pF | - | 446W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD07N60S5BTMA1 | 0.6400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | PG-TO252 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 7.3A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 4.6A, 10V | 350μA에서 5.5V | 35nC @ 10V | ±20V | 25V에서 970pF | - | 83W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D255N04BXPSA1 | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 덤불 | DO-205AA, DO-8, 그리고 | D255N | 기준 | - | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 400V | 400V에서 20mA | -40°C ~ 180°C | 255A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6616 | - | ![]() | 1238 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MX | 다운로드 | RoHS 비준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001530696 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,800 | N채널 | 30V | 19A(타), 106A(Tc) | 4.5V, 10V | 5m옴 @ 19A, 10V | 2.25V @ 250μA | 44nC @ 4.5V | ±20V | 3765pF @ 20V | - | 2.8W(Ta), 89W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS65R1K4C6 | - | ![]() | 2101 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C6 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | MOSFET(금속) | PG-TO251-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 650V | 3.2A(Tc) | 1.4옴 @ 1A, 10V | 100μA에서 3.5V | 10.5nC @ 10V | ±20V | 100V에서 225pF | - | 28W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA20N60C3 | - | ![]() | 3680 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-111 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 600V | 20.7A(Tc) | 190m옴 @ 13.1A, 10V | 3.9V @ 1mA | 114nC @ 10V | ±20V | 2400pF @ 25V | - | 34.5W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC42T60UNX7SA2 | - | ![]() | 1024 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 분수 | SIGC42T60 | 기준 | 분수 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 400V, 50A, 6.8옴, 15V | NPT | 600V | 50A | 150A | 3.15V @ 15V, 50A | - | 48ns/350ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW68E6359HTMA1 | - | ![]() | 3775 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000015038 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSP08N50C3 | - | ![]() | 1253 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR 166F E6327 | - | ![]() | 1601 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SOT-723 | BCR 166 | 250mW | PG-TSFP-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | PNP - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 70 @ 5mA, 5V | 160MHz | 4.7kΩ | 47kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R12HE4B9HOSA2 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | IHM-B | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FZ2400 | 13500W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 스위치 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 3560A | 2.1V @ 15V, 2400A | 5mA | 아니요 | 25V에서 150nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL23N20D | - | ![]() | 1015 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRFSL23N20D | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 200V | 24A(TC) | 10V | 100m옴 @ 14A, 10V | 250μA에서 5.5V | 86nC @ 10V | ±30V | 1960pF @ 25V | - | 3.8W(Ta), 170W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3704LPBF | - | ![]() | 5267 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRF3704LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 20V | 77A (Tc) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 19nC @ 4.5V | ±20V | 1996pF @ 10V | - | 87W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS200R12PT4BOSA1 | 280.3700 | ![]() | 2121 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoPACK™ 4 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FS200R12 | 1000W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 24 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 280A | 2.15V @ 15V, 200A | 1mA | 예 | 25V에서 14nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3105TRPBF | 1.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRLR3105 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 55V | 25A(TC) | 5V, 10V | 37m옴 @ 15A, 10V | 3V @ 250μA | 20nC @ 5V | ±16V | 25V에서 710pF | - | 57W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC10SD | - | ![]() | 1572년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRG4BC10 | 기준 | 38W | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRG4BC10SD | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 8A, 100옴, 15V | 28ns | - | 600V | 14A | 18A | 1.8V @ 15V, 8A | 310μJ(켜짐), 3.28mJ(꺼짐) | 15nC | 76ns/815ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N06S3-05 | - | ![]() | 2642 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000102222 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 55V | 80A(Tc) | 10V | 5.1m옴 @ 63A, 10V | 4V @ 110μA | 240nC @ 10V | ±20V | 10760pF @ 25V | - | 165W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SGW20N60HSFKSA1 | - | ![]() | 4229 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | SGW20N | 기준 | 178W | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 20A, 16옴, 15V | NPT | 600V | 36A | 80A | 3.15V @ 15V, 20A | 690μJ | 100nC | 18ns/207ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ND350N12KHPSA1 | - | ![]() | 9011 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 방역 | 기준기준 | ND350N12 | 기준 | BG-PB50ND-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 3 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1200V | 1200V에서 30mA | -40°C ~ 135°C | 350A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS8407 | - | ![]() | 3206 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS8407 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 40V | 195A(Tc) | 10V | 1.8m옴 @ 100A, 10V | 4V @ 150μA | 225nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7330pF | - | 230W(Tc) |

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