| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPB100N08S2L07ATMA1 | - | ![]() | 8598 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB100 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 6.5m옴 @ 80A, 10V | 2V @ 250μA | 246nC @ 10V | ±20V | 5400pF @ 25V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FF450R12KE4HOSA1 | 213.3600 | ![]() | 2477 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FF450R12 | 2400W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 다리 다리 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 520A | 2.15V @ 15V, 450A | 5mA | 아니요 | 28nF @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF100B201 | 2.9700 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF100 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 192A(Tc) | 10V | 4.2m옴 @ 115A, 10V | 4V @ 250μA | 255nC @ 10V | ±20V | 50V에서 9500pF | - | 441W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPDQ60R022S7AXTMA1 | 18.4800 | ![]() | 2391 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 22-PowerBSOP 모듈 | IPDQ60R | MOSFET(금속) | PG-HDSOP-22-1 | 다운로드 | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 750 | N채널 | 600V | 24A(TC) | 12V | 22m옴 @ 23A, 12V | 4.5V @ 1.44mA | 150nC @ 12V | ±20V | 300V에서 5640pF | - | 416W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2L-05G | - | ![]() | 9028 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.9m옴 @ 55A, 10V | 2V @ 110μA | 89.7nC @ 10V | ±20V | 3320pF @ 25V | - | 167W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFN39E6327HTSA1 | - | ![]() | 1348 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5W | PG-SOT223-4 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300V | 200mA | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 2mA, 20mA | 30 @ 30mA, 10V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP100N04S2L03AKSA1 | - | ![]() | 2849 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP100N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.3m옴 @ 80A, 10V | 2V @ 250μA | 230nC @ 10V | ±20V | 6000pF @ 25V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB3306GPBF | 1.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRFB3306 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 60V | 120A(Tc) | 10V | 4.2m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 150μA | 120nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4520pF | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISS06P010LXTSA1 | - | ![]() | 6713 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | ISS06P | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001728022 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ77B | - | ![]() | 5622 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS ® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 2.9A(Tc) | 10V | 3.5옴 @ 1.7A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 25V에서 690pF | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA220081MV4S500XUMA1 | - | ![]() | 9006 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | - | - | - | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000838882 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB80N04S204ATMA2 | 7.0400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 40V | 80A(Tc) | 10V | 3.4m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 170nC @ 10V | ±20V | 25V에서 5300pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7821TRPBFXTMA1 | 1.1400 | ![]() | 4314 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 155°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | PG-DSO-8-902 | - | ROHS3 준수 | 4,000 | N채널 | 30V | 13.6A(타) | 4.5V, 10V | 9.1m옴 @ 13A, 10V | 1V @ 250μA | 14nC @ 4.5V | ±20V | 1010pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3207TRLPBF | 4.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS3207 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 75V | 170A(Tc) | 10V | 4.5m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 260nC @ 10V | ±20V | 7600pF @ 50V | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL4310PBF | - | ![]() | 6999 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 130A(Tc) | 10V | 7m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 250nC @ 10V | ±20V | 50V에서 7670pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R120C7ATMA1 | 5.5100 | ![]() | 2004년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C7 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R120 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 600V | 19A(TC) | 10V | 120m옴 @ 7.8A, 10V | 4V @ 390μA | 34nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1500pF | - | 92W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD04N60R | - | ![]() | 2732 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IKD04N | 기준 | 75W | PG-TO252-3-11 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 4A, 43옴, 15V | 43ns | 도랑 | 600V | 8A | 12A | 2.1V @ 15V, 4A | 240μJ | 27nC | 14ns/146ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT170N18KOFHPSA1 | - | ![]() | 4896 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | TT170N18 | 직렬 연결 - 모든 SCR | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300mA | 1.8kV | 350A | 2V | 5200A @ 50Hz | 200mA | 223A | SCR 2개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGW50N65H5AXKSA1 | 5.0535 | ![]() | 1667년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, TrenchStop™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IGW50N65 | 기준 | 270W | PG-TO247-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 25A, 12옴, 15V | 도랑 | 650V | 80A | 150A | 2.1V @ 15V, 50A | 450μJ(켜짐), 160μJ(꺼짐) | 116nC | 21ns/173ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS50R06KE3BPSA1 | 94.6000 | ![]() | 5078 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoPACK™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FS50R06 | 190W | 기준 | AG-ECONO2B | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 풀 패드 인버터 | 트렌치 필드스톱 | 600V | 70A | 1.9V @ 15V, 50A | 1mA | 예 | 3.1nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R600E6XKSA1 | 1.1200 | ![]() | 1509 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA60R600 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 600V | 7.3A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 2.4A, 10V | 200μA에서 3.5V | 20.5nC @ 10V | ±20V | 100V에서 440pF | - | 28W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3504ZTRR | - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 40V | 42A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 42A, 10V | 4V @ 50μA | 45nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1510pF | - | 90W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AIKB50N65DH5ATMA1 | 6.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AIKB50 | 기준 | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | NPT | 650V | 50A | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKB02N60E3266ATMA1 | - | ![]() | 4261 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SKB02N | 기준 | 30W | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 2A, 118옴, 15V | 130ns | NPT | 600V | 6A | 12A | 2.4V @ 15V, 2A | 64μJ | 14nC | 20ns/259ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR8743TRLPBF | - | ![]() | 2419 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001568702 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 30V | 160A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.1m옴 @ 25A, 10V | 100μA에서 2.35V | 59nC @ 4.5V | ±20V | 4880pF @ 15V | - | 135W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFR5410 | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 100V | 13A(티씨) | 10V | 205m옴 @ 7.8A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±20V | 25V에서 760pF | - | 66W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB70N04S406ATMA1 | 1.9600 | ![]() | 1711 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB70N04 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 40V | 70A(Tc) | 10V | 6.2m옴 @ 70A, 10V | 4V @ 26μA | 32nC @ 10V | ±20V | 2550pF @ 25V | - | 58W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3714STRR | - | ![]() | 6135 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 20V | 36A(티씨) | 4.5V, 10V | 20m옴 @ 18A, 10V | 3V @ 250μA | 9.7nC @ 4.5V | ±20V | 10V에서 670pF | - | 47W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS80R1K4P7AKMA1 | 0.5697 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 스텁 레코드, IPak | IPS80R1 | MOSFET(금속) | PG-TO251-3-11 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 800V | 4A(TC) | 10V | 1.4옴 @ 1.4A, 10V | 700μA에서 3.5V | 10nC @ 10V | ±20V | - | 32W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F3L300R12MT4_B23 | 216.8200 | ![]() | 471 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoDUAL™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | F3L300 | 1550W | 기준 | AG-경제-3 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 머리 다리 컨트롤러 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 450A | 2.1V @ 15V, 300A | 1mA | 예 | 19nF @ 25V |

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