SIC
close

불연속 불연속 제품 (16626)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N08S5N018AUMA1 4.4300
RFQ
 ECAD 7576 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 250A (TJ) 6V, 10V 1.8mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 150µA 125 nc @ 10 v ± 20V 8715 pf @ 40 v - 238W (TC)
IRF7341QTRPBF Infineon Technologies IRF7341QTRPBF -
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF734 MOSFET (금속 (() 2.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 55V 5.1A 50mohm @ 5.1a, 10V 1V @ 250µA (Min) 44NC @ 10V 780pf @ 25V 논리 논리 게이트
PTFA210601F V4 R250 Infineon Technologies PTFA210601F V4 R250 -
RFQ
 ECAD 2888 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFA210601 2.14GHz LDMOS H-37265-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 550 MA 12W 16db - 28 v
IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S403ATMA1 1.8900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 3.2MOHM @ 90A, 10V 4V @ 53µA 66.8 nc @ 10 v ± 20V 5260 pf @ 25 v - 94W (TC)
D450S16TXPSA1 Infineon Technologies D450S16TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 1563 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 DO-200AA, A-PUK D450S 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1600 v 2.25 V @ 1200 a 6.2 µs 10 ma @ 1600 v -25 ° C ~ 180 ° C 443A -
IRFR220NTRR Infineon Technologies irfr220ntrr -
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR220 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 5A (TC) 10V 600mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 43W (TC)
IRF3711ZCL Infineon Technologies IRF3711ZCL -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3711ZCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
BSL214NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSL214NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 5265 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL214 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.5A 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 3.7µA 0.8NC @ 5V 143pf @ 10V 논리 논리 게이트
IFS150B12N3E4PB50BPSA1 Infineon Technologies IFS150B12N3E4PB50BPSA1 331.9400
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 IFS150 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6
PTFA092211FLV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA092211FLV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 5107 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 920MHz ~ 960MHz LDMOS H-34288-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000688948 5A991G 8541.29.0095 40 - 175 MA 50W 18db - 30 v
IRF3315LPBF Infineon Technologies IRF3315LPBF -
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3315LPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 21A (TC) 10V 82mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 94W (TC)
BCR533E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR533E6327HTSA1 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR533 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 100MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BUZ73LHXKSA1 Infineon Technologies BUZ73LHXKSA1 -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 200 v 7A (TC) 5V 400mohm @ 3.5a, 5V 2V @ 1mA ± 20V 840 pf @ 25 v - 40W (TC)
FF400R07A01E3S6XKSA2 Infineon Technologies FF400R07A01E3S6XKSA2 161.5100
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 FF400R07 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 12
BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies BSC0906NSATMA1 0.7000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0906 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 18A (TA), 63A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRF7807VD2TR Infineon Technologies IRF7807VD2TR -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TA)
IRF7705 Infineon Technologies IRF7705 -
RFQ
 ECAD 5309 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7705 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 20V 2774 pf @ 25 v - 1.5W (TC)
BCW68E6359HTMA1 Infineon Technologies BCW68E6359HTMA1 -
RFQ
 ECAD 3775 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000015038 0000.00.0000 3,000
IPB180N04S302ATMA1 Infineon Technologies IPB180N04S302ATMA1 5.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB180 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 1.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 210 nc @ 10 v ± 20V 14300 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFP150N Infineon Technologies IRFP150N -
RFQ
 ECAD 7536 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 42A (TC) 10V 36mohm @ 23a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 25 v - 160W (TC)
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies BSG0810ndiatma1 3.2500
RFQ
 ECAD 3148 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSG0810 MOSFET (금속 (() 2.5W PG-Tison-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 19a, 39a 3MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.4nc @ 4.5v 1040pf @ 12v 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
BAW78C Infineon Technologies baw78c 0.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 TO-243AA 기준 PG-SOT89-4-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0080 4,000 짐 200 v 1.6 V @ 1 a 1 µs 1 µa @ 200 v 150 ° C 1A 10pf @ 0V, 1MHz
IPI65R150CFD Infineon Technologies IPI65R150CFD 1.4700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos CFD2 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 22.4A (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195.3W (TC)
ND89N12KHPSA1 Infineon Technologies ND89N12KHPSA1 128.3200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 ND89N12 기준 BG-PB20-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 짐 1200 v 20 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 135 ° C 89a -
IRFHM792TRPBF Infineon Technologies irfhm792trpbf -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFHM792 MOSFET (금속 (() 2.3W 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 100V 2.3a 195mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 10µA 6.3NC @ 10V 251pf @ 25v -
BSL373SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL373SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 1810 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2A (TA) 10V 2A 2A, 10V 230mohm 4V @ 218µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 265 pf @ 25 v - 2W (TA)
BCX68-25 Infineon Technologies BCX68-25 -
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 3 w PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500ma, 1V 100MHz
IRGC50B120UB Infineon Technologies IRGC50B120UB -
RFQ
 ECAD 1732 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 주사위 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 - NPT 1200 v 50 a 3.5V @ 15V, 50A - -
FZ400R33KL2CB5NOSA1 Infineon Technologies Fz400R33KL2CB5NOSA1 -
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FZ400 4900 w 기준 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4 하나의 - 3300 v 750 a 3.65V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 48 NF @ 25 v
ISP06P008NXTSA1 Infineon Technologies ISP06P008NXTSA1 -
RFQ
 ECAD 9289 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ISP06P - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001727910 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다