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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
BCR108SH6327	-	RFQ	5451	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인				표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR108			250MW		PG-SOT363-6-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1																								50V	100ma						100NA (ICBO)		2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
IPQC60R040S7AXTMA1	11.1000	RFQ	5127	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	22-powerbsop op			MOSFET (금속 (()			PG-HDSOP-22	-		1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	750			n 채널			600 v	14A (TC)	12V	40mohm @ 13a, 12v	4.5V @ 790µA	83 NC @ 12 v	± 20V		-	272W (TC)
IRF7341QTRPBF	-	RFQ	8867	인피온 인피온	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는				표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF734		MOSFET (금속 (()	2.4W		도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)					55V	5.1A		50mohm @ 5.1a, 10V	1V @ 250µA (Min)	44NC @ 10V		780pf @ 25V	논리 논리 게이트
IRFS4010TRRPBF	-	RFQ	9317	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001576222	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			100 v	180A (TC)	10V	4.7mohm @ 106a, 10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 v	± 20V	9575 pf @ 50 v	-	375W (TC)
AIDK10S65C5ATMA1	5.4200	RFQ	7703	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Coolsic ™	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AIDK10		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to263-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)														650 v	1.7 V @ 10 a	0 ns	60 µa @ 650 v	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	303pf @ 1v, 1MHz
IRF3205STRR	-	RFQ	9591	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			55 v	110A (TC)	10V	8mohm @ 62a, 10V	4V @ 250µA	146 NC @ 10 v	± 20V	3247 pf @ 25 v	-	200W (TC)
IRFB3306PBF	2.0700	RFQ	2	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB3306		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			60 v	120A (TC)	10V	4.2MOHM @ 75A, 10V	4V @ 150µA	120 nc @ 10 v	± 20V	4520 pf @ 50 v	-	230W (TC)
IRL3705ZS	-	RFQ	5661	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL3705Z	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			55 v	75A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 52a, 10V	3V @ 250µA	60 nc @ 5 v	± 16V	2880 pf @ 25 v	-	130W (TC)
IPD50N06S409ATMA2	1.2600	RFQ	2	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD50		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			60 v	50A (TC)	10V	9mohm @ 50a, 10V	4V @ 34µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	3785 pf @ 25 v	-	71W (TC)
irf7329tr	-	RFQ	6854	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF732		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 p 채널 (채널)					12V	9.2A		17mohm @ 9.2a, 4.5v	900MV @ 250µA	57NC @ 4.5V		3450pf @ 10V	논리 논리 게이트
irgr4607dpbf	-	RFQ	3238	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		기준		58 W.		D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001546134	귀 99	8541.29.0095	75					400V, 4A, 100ohm, 15V													48 ns					-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V, 4A	140µJ (on), 62µJ (OFF)	9 NC	27ns/120ns
IRL1404L	-	RFQ	8279	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL1404L	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			40 v	160A (TC)	4.3V, 10V	4mohm @ 95a, 10V	3V @ 250µA	140 nc @ 5 v	± 20V	6600 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 200W (TC)
irf1010zstrlpbf	2.0900	RFQ	4	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRF1010		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			55 v	75A (TC)	10V	7.5mohm @ 75a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	2840 pf @ 25 v	-	140W (TC)
BSZ037N06LS5ATMA1	1.8200	RFQ	10	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	BSZ037		MOSFET (금속 (()			PG-TSDSON-8-FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			60 v	18A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	3.7mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 36µA	47 NC @ 10 v	± 20V	3100 pf @ 30 v	-	2.1W (TA), 69W (TC)
IPN80R2K0P7	-	RFQ	8214	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-3	IPN80R2		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-3	다운로드					귀 99	8542.39.0001	1			n 채널			800 v	3A (TC)	10V	2ohm @ 940ma, 10V	3.5V @ 50µA	9 NC @ 10 v	± 20V	175 pf @ 500 v	-	6.4W (TC)
IPP80N04S204AKSA1	-	RFQ	7124	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP80N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			40 v	80A (TC)	10V	3.7mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	170 nc @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IM241S6T2BAKMA1	10.0600	RFQ	719	인피온 인피온	IM241, CIPOS ™	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		구멍을 구멍을		IM241S6			9 w	기준	23-DIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	3 단계 인버터																						-	600 v			1.78V @ 15V, 500MA					예
BCV61BE6327HTSA1	0.5000	RFQ	48	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	30V		현재 현재	표면 표면	TO-253-4, TO-253AA	BCV61					PG-SOT-143-3D	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000				100ma																													2 npn,, 수집기 접합부
IPI80N04S404AKSA1	1.2716	RFQ	6501	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IPI80N04		MOSFET (금속 (()			PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			40 v	80A (TC)	10V	4.6mohm @ 80a, 10V	4V @ 35µA	43 NC @ 10 v	± 20V	3440 pf @ 25 v	-	71W (TC)
IRF6655TRPBF	-	RFQ	2710	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Sh			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ sh	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,800			n 채널			100 v	4.2A (TA), 19A (TC)	10V	62mohm @ 5a, 10V	4.8V @ 25µA	11.7 NC @ 10 v	± 20V	530 pf @ 25 v	-	2.2W (TA), 42W (TC)
IRFB7734PBF	2.6800	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB7734		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			75 v	183A (TC)	6V, 10V	3.5mohm @ 100a, 10V	3.7V @ 250µA	270 nc @ 10 v	± 20V	10150 pf @ 25 v	-	290W (TC)
IRF7102	-	RFQ	4981	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는				표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF71		MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	95	2 n 채널 (채널)					50V	2A		300mohm @ 1.5a, 10V	3V @ 250µA	6.6NC @ 10V		120pf @ 25V	-
IPD30N06S2L13ATMA4	1.6900	RFQ	8	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD30N06		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			55 v	30A (TC)	4.5V, 10V	13mohm @ 30a, 10V	2V @ 80µa	69 NC @ 10 v	± 20V	1800 pf @ 25 v	-	136W (TC)
BSC120N12LSGATMA1	2.0200	RFQ	8233	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn			MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			120 v	10A (TA), 68A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 34A, 10V	2.4V @ 72µA	51 NC @ 10 v	± 20V	4900 pf @ 60 v	-	114W (TC)
T1590N54P158XPSA1	-	RFQ	5210	인피온 인피온	*	쟁반	쓸모없는						T1590N						-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1
irls4030pbf	-	RFQ	5280	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001568730	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			100 v	180A (TC)	4.5V, 10V	4.3mohm @ 110a, 10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 v	± 16V	11360 pf @ 50 v	-	370W (TC)
MA13025741NDSA1	-	RFQ	6528	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는												-			영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1
IRFZ44VSTRR	-	RFQ	1720	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			60 v	55A (TC)	10V	16.5mohm @ 31a, 10V	4V @ 250µA	67 NC @ 10 v	± 20V	1812 pf @ 25 v	-	115W (TC)
IGB15N65S5ATMA1	2.2300	RFQ	1	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인						IGB15N65						다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000
IQE022N06LM5ATMA1	2.5900	RFQ	1977	인피온 인피온	Optimos ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	IQE022		MOSFET (금속 (()			PG-TSON-8-5	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지				5,000			n 채널			60 v	24A (TA), 151A (TC)	4.5V, 10V	2.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 48µA	53 NC @ 10 v	± 20V	4420 pf @ 30 v	-	2.5W (TA), 100W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²