SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce
IRG4BC20FD Infineon Technologies IRG4BC20FD -
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ECAD 5790 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 60W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRG4BC20FD EAR99 8541.29.0095 50 480V, 9A, 50옴, 15V 37ns - 600V 16A 64A 2V @ 15V, 9A 250μJ(켜짐), 640μJ(꺼짐) 27nC 43ns/240ns
BSS315PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS315PL6327HTSA1 -
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ECAD 6022 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 30V 1.5A(타) 4.5V, 10V 150m옴 @ 1.5A, 10V 2V @ 11μA 2.3nC @ 5V ±20V 15V에서 282pF - 500mW(타)
IRFS3307PBF Infineon Technologies IRFS3307PBF -
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ECAD 4930 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001557274 EAR99 8541.29.0095 50 N채널 75V 120A(Tc) 10V 6.3m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 180nC @ 10V ±20V 5150pF @ 50V - 200W(Tc)
FS200R12KT4RB11BOSA1 Infineon Technologies FS200R12KT4RB11BOSA1 336.4400
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ECAD 9827 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FS200R12 1000W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 삼상인버터 - 1200V 280A 2.15V @ 15V, 200A 1mA 25V에서 14nF
PTFA142401FLV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA142401FLV4XWSA1 -
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ECAD 2001년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 2-플랫팩, 핀 결과, 일치형 1.5GHz LDMOS H-34288-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 35 10μA 2A 240W 16.5dB - 30V
IRFPS3815PBF Infineon Technologies IRFPS3815PBF -
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ECAD 6678 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-274AA MOSFET(금속) SUPER-247™(TO-274AA) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 150V 105A(Tc) 10V 15m옴 @ 63A, 10V 5V @ 250μA 390nC @ 10V ±30V 25V에서 6810pF - 441W(Tc)
IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies IMT65R163M1HXUMA1 7.7100
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ECAD 1981년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 8-PowerSFN SiCFET(탄화규소) PG-HSOF-8-1 - ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 - 650V - 18V - - - - -
BAW 79D E6327 Infineon Technologies BAW 79D E6327 0.1100
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ECAD 4 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 TO-243AA BAW 79 기준 PG-SOT89 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1쌍씩 시작됩니다 400V 1A(DC) 1.6V @ 1A 1μs 400V에서 1μA 150°C(최대)
64-4095PBF Infineon Technologies 64-4095PBF -
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ECAD 9281 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 - - - - - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - - - - - - - -
IRL3803LPBF Infineon Technologies IRL3803LPBF -
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ECAD 6332 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 30V 140A(Tc) 4.5V, 10V 6m옴 @ 71A, 10V 1V @ 250μA 140nC @ 4.5V ±16V 25V에서 5000pF - 3.8W(Ta), 200W(Tc)
IGC70T120T8RL Infineon Technologies IGC70T120T8RL -
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ECAD 5812 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 분수 IGC70T120 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 - 트렌치 필드스톱 1200V 225A 2.07V @ 15V, 75A - -
IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP10N60TXKSA1 1.8600
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ECAD 5852 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IGP10N60 기준 110W PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 23옴, 15V NPT, 트렌치 필드스톱 600V 20A 30A 2.05V @ 15V, 10A 430μJ 62nC 12ns/215ns
IRGP4266PBF Infineon Technologies IRGP4266PBF -
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ECAD 8415 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 450W TO-247AC 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 400V, 75A, 10옴, 15V - 650V 140A 300A 2.1V @ 15V, 75A 3.2mJ(켜짐), 1.7mJ(꺼짐) 210nC 80ns/200ns
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 510.6300
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ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FF6MR12 실리콘 카바이드(SiC) 20mW(Tc) AG-EASY2BM-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001716496 EAR99 8541.21.0095 15 2 N채널(듀얼) 1200V(1.2kV) 200A(티제이) 5.63m옴 @ 200A, 15V 5.55V @ 80mA 496nC @ 15V 800V에서 14700pF -
IRLR2703TRPBF Infineon Technologies IRLR2703TRPBF 1.1600
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRLR2703 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 30V 23A(TC) 4V, 10V 45m옴 @ 14A, 10V 1V @ 250μA 15nC @ 4.5V ±16V 25V에서 450pF - 45W(Tc)
IPI100N06S3-03 Infineon Technologies IPI100N06S3-03 -
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ECAD 7246 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI100N MOSFET(금속) PG-TO262-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 55V 100A(Tc) 10V 3.3m옴 @ 80A, 10V 4V @ 230μA 480nC @ 10V ±20V 21620pF @ 25V - 300W(Tc)
IPA80R310CEXKSA2 Infineon Technologies IPA80R310CEXKSA2 3.7100
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ECAD 2500 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IPA80R310 MOSFET(금속) PG-TO220-FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 16.7A(Tc) 10V 310m옴 @ 11A, 10V 3.9V @ 1mA 91nC @ 10V ±20V 100V에서 2320pF - 35W(Tc)
BSO203SPNTMA1 Infineon Technologies BSO203SPNTMA1 -
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ECAD 2955 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) PG-DSO-8 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 9A(타) 2.5V, 4.5V 21m옴 @ 9A, 4.5V 1.2V @ 100μA 50.4nC @ 4.5V ±12V 15V에서 2265pF - 2.35W(타)
SPP100N04S2-04 Infineon Technologies SPP100N04S2-04 -
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ECAD 2189 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP100N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 40V 100A(Tc) 10V 3.6m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 172nC @ 10V ±20V 25V에서 7220pF - 300W(Tc)
IRG4BC40K Infineon Technologies IRG4BC40K -
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ECAD 1954년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 160W TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRG4BC40K EAR99 8541.29.0095 50 480V, 25A, 10옴, 15V - 600V 42A 84A 2.6V @ 15V, 25A 620μJ(켜짐), 330μJ(꺼짐) 120nC 30ns/140ns
SIDC14D60F6X1SA4 Infineon Technologies SIDC14D60F6X1SA4 -
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ECAD 1255 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 분수 SIDC14D60 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.6V @ 45A 600V에서 27μA -40°C ~ 175°C 45A -
94-3316 Infineon Technologies 94-3316 -
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ECAD 3726 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 활동적인 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET(금속) SOT-223 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 80 N채널 55V 2A(타) 140m옴 @ 2A, 10V 2V @ 250μA 14nC @ 10V 230pF @ 25V -
IPP60R520CP Infineon Technologies IPP60R520CP 0.7900
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ECAD 500 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 600V 6.8A(Tc) 10V 520m옴 @ 3.8A, 10V 250μA에서 3.5V 31nC @ 10V ±20V 100V에서 630pF - 66W(Tc)
IPD031N03M G Infineon Technologies IPD031N03M G -
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ECAD 1674년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD031N MOSFET(금속) PG-TO252-3-11 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 90A(Tc) 4.5V, 10V 3.1m옴 @ 30A, 10V 2.2V @ 250μA 51nC @ 10V ±20V 15V에서 5300pF - -
IPL65R1K0C6SATMA1 Infineon Technologies IPL65R1K0C6SATMA1 0.6844
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ECAD 2205 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ C6 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN IPL65R1 MOSFET(금속) PG-TSON-8-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 650V 4.2A(Tc) 10V 1옴 @ 1.5A, 10V 150μA에서 3.5V 15nC @ 10V ±20V 100V에서 328pF - 34.7W(Tc)
ITD50N04S4L07ATMA1 Infineon Technologies ITD50N04S4L07ATMA1 -
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ECAD 8800 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-5, DPak(4리드 + 탭), TO-252AD ITD50 MOSFET(금속) 46W(Tc) PG-TO252-5-311 다운로드 EAR99 8542.39.0001 363 2 N채널(듀얼) 40V 50A(Tc) 7.2m옴 @ 50A, 10V 2.2V @ 18μA 33nC @ 10V 2480pF @ 25V 게임 레벨 레벨
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon Technologies IKCM10L60GAXKMA1 13.1500
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ECAD 5726 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CIPOS™ 튜브 활동적인 스루홀 24-PowerDIP 모듈(1.028", 26.10mm) IGBT IKCM10 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 14 3상 10A 600V 2000Vrms
IRGP35B60PD-EP Infineon Technologies IRGP35B60PD-EP -
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ECAD 6238 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 308W TO-247AD 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001533980 EAR99 8541.29.0095 400 390V, 22A, 3.3옴, 15V 42ns NPT 600V 60A 120A 2.55V @ 15V, 35A 220μJ(켜짐), 215μJ(꺼짐) 160nC 26ns/110ns
IPB26CNE8N G Infineon Technologies IPB26CNE8N G -
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ECAD 3863 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB26C MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 85V 35A(Tc) 10V 26m옴 @ 35A, 10V 4V @ 39μA 31nC @ 10V ±20V 2070pF @ 40V - 71W(Tc)
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies IRF6629TR1PBF -
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ECAD 1640년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MX MOSFET(금속) DIRECTFET™ MX 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 25V 29A(타), 180A(Tc) 4.5V, 10V 2.1m옴 @ 29A, 10V 100μA에서 2.35V 51nC @ 4.5V ±20V 13V에서 4260pF - 2.8W(Ta), 100W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고