| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 모델 지수 | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC20FD | - | ![]() | 5790 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 60W | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRG4BC20FD | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 9A, 50옴, 15V | 37ns | - | 600V | 16A | 64A | 2V @ 15V, 9A | 250μJ(켜짐), 640μJ(꺼짐) | 27nC | 43ns/240ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS315PL6327HTSA1 | - | ![]() | 6022 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 1.5A(타) | 4.5V, 10V | 150m옴 @ 1.5A, 10V | 2V @ 11μA | 2.3nC @ 5V | ±20V | 15V에서 282pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3307PBF | - | ![]() | 4930 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001557274 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 120A(Tc) | 10V | 6.3m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 150μA | 180nC @ 10V | ±20V | 5150pF @ 50V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS200R12KT4RB11BOSA1 | 336.4400 | ![]() | 9827 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FS200R12 | 1000W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 삼상인버터 | - | 1200V | 280A | 2.15V @ 15V, 200A | 1mA | 예 | 25V에서 14nF | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA142401FLV4XWSA1 | - | ![]() | 2001년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | 2-플랫팩, 핀 결과, 일치형 | 1.5GHz | LDMOS | H-34288-2 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 35 | 10μA | 2A | 240W | 16.5dB | - | 30V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFPS3815PBF | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-274AA | MOSFET(금속) | SUPER-247™(TO-274AA) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 150V | 105A(Tc) | 10V | 15m옴 @ 63A, 10V | 5V @ 250μA | 390nC @ 10V | ±30V | 25V에서 6810pF | - | 441W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R163M1HXUMA1 | 7.7100 | ![]() | 1981년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | - | 표면 실장 | 8-PowerSFN | SiCFET(탄화규소) | PG-HSOF-8-1 | - | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 650V | - | 18V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW 79D E6327 | 0.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-243AA | BAW 79 | 기준 | PG-SOT89 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1쌍씩 시작됩니다 | 400V | 1A(DC) | 1.6V @ 1A | 1μs | 400V에서 1μA | 150°C(최대) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-4095PBF | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | - | - | - | - | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3803LPBF | - | ![]() | 6332 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 30V | 140A(Tc) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 71A, 10V | 1V @ 250μA | 140nC @ 4.5V | ±16V | 25V에서 5000pF | - | 3.8W(Ta), 200W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGC70T120T8RL | - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 분수 | IGC70T120 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 225A | 2.07V @ 15V, 75A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP10N60TXKSA1 | 1.8600 | ![]() | 5852 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop® | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IGP10N60 | 기준 | 110W | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 10A, 23옴, 15V | NPT, 트렌치 필드스톱 | 600V | 20A | 30A | 2.05V @ 15V, 10A | 430μJ | 62nC | 12ns/215ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4266PBF | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 450W | TO-247AC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75A, 10옴, 15V | - | 650V | 140A | 300A | 2.1V @ 15V, 75A | 3.2mJ(켜짐), 1.7mJ(꺼짐) | 210nC | 80ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF6MR12W2M1B11BOMA1 | 510.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FF6MR12 | 실리콘 카바이드(SiC) | 20mW(Tc) | AG-EASY2BM-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001716496 | EAR99 | 8541.21.0095 | 15 | 2 N채널(듀얼) | 1200V(1.2kV) | 200A(티제이) | 5.63m옴 @ 200A, 15V | 5.55V @ 80mA | 496nC @ 15V | 800V에서 14700pF | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR2703TRPBF | 1.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRLR2703 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 30V | 23A(TC) | 4V, 10V | 45m옴 @ 14A, 10V | 1V @ 250μA | 15nC @ 4.5V | ±16V | 25V에서 450pF | - | 45W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI100N06S3-03 | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI100N | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 55V | 100A(Tc) | 10V | 3.3m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 230μA | 480nC @ 10V | ±20V | 21620pF @ 25V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA80R310CEXKSA2 | 3.7100 | ![]() | 2500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA80R310 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 16.7A(Tc) | 10V | 310m옴 @ 11A, 10V | 3.9V @ 1mA | 91nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2320pF | - | 35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO203SPNTMA1 | - | ![]() | 2955 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | PG-DSO-8 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 20V | 9A(타) | 2.5V, 4.5V | 21m옴 @ 9A, 4.5V | 1.2V @ 100μA | 50.4nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 2265pF | - | 2.35W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP100N04S2-04 | - | ![]() | 2189 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SPP100N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 40V | 100A(Tc) | 10V | 3.6m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 172nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7220pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC40K | - | ![]() | 1954년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 160W | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRG4BC40K | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 25A, 10옴, 15V | - | 600V | 42A | 84A | 2.6V @ 15V, 25A | 620μJ(켜짐), 330μJ(꺼짐) | 120nC | 30ns/140ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC14D60F6X1SA4 | - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 분수 | SIDC14D60 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 600V | 1.6V @ 45A | 600V에서 27μA | -40°C ~ 175°C | 45A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-3316 | - | ![]() | 3726 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | IRLL014 | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N채널 | 55V | 2A(타) | 140m옴 @ 2A, 10V | 2V @ 250μA | 14nC @ 10V | 230pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R520CP | 0.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 6.8A(Tc) | 10V | 520m옴 @ 3.8A, 10V | 250μA에서 3.5V | 31nC @ 10V | ±20V | 100V에서 630pF | - | 66W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD031N03M G | - | ![]() | 1674년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD031N | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-11 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 90A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.1m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±20V | 15V에서 5300pF | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL65R1K0C6SATMA1 | 0.6844 | ![]() | 2205 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C6 | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IPL65R1 | MOSFET(금속) | PG-TSON-8-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 650V | 4.2A(Tc) | 10V | 1옴 @ 1.5A, 10V | 150μA에서 3.5V | 15nC @ 10V | ±20V | 100V에서 328pF | - | 34.7W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ITD50N04S4L07ATMA1 | - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-5, DPak(4리드 + 탭), TO-252AD | ITD50 | MOSFET(금속) | 46W(Tc) | PG-TO252-5-311 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 363 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 50A(Tc) | 7.2m옴 @ 50A, 10V | 2.2V @ 18μA | 33nC @ 10V | 2480pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKCM10L60GAXKMA1 | 13.1500 | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CIPOS™ | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | 24-PowerDIP 모듈(1.028", 26.10mm) | IGBT | IKCM10 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 14 | 3상 | 10A | 600V | 2000Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP35B60PD-EP | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 308W | TO-247AD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001533980 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390V, 22A, 3.3옴, 15V | 42ns | NPT | 600V | 60A | 120A | 2.55V @ 15V, 35A | 220μJ(켜짐), 215μJ(꺼짐) | 160nC | 26ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB26CNE8N G | - | ![]() | 3863 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB26C | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 85V | 35A(Tc) | 10V | 26m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 39μA | 31nC @ 10V | ±20V | 2070pF @ 40V | - | 71W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6629TR1PBF | - | ![]() | 1640년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MX | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 25V | 29A(타), 180A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.1m옴 @ 29A, 10V | 100μA에서 2.35V | 51nC @ 4.5V | ±20V | 13V에서 4260pF | - | 2.8W(Ta), 100W(Tc) |

일일 평균 견적 요청량

표준제품단위

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