전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 역 역 시간 (TRR) | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF7403PBF | - | ![]() | 7528 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001563614 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 8.5A (TA) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB720P15LMATMA1 | 6.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB720P | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 150 v | 4.6A (TA), 41A (TC) | 4.5V, 10V | 72mohm @ 37a, 10V | 2V @ 5.55MA | 224 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 75 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB50R199CP | - | ![]() | 9067 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 17A (TC) | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 660µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 PF @ 100 v | - | 139W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC091N03MSCGATMA1 | 0.2700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 44A (TC) | 4.5V, 10V | 9.1MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU04N03LB g | - | ![]() | 7376 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU04N | MOSFET (금속 (() | P-to251-3-1 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 50a, 10V | 2V @ 70µA | 40 nc @ 5 v | ± 20V | 5200 pf @ 15 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFSA8409-7P | - | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | auirfsa8409 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520354 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 523A (TC) | 10V | 0.69mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 13975 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR7746PBF | - | ![]() | 4518 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001576124 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 6V, 10V | 11.2MOHM @ 35A, 10V | 3.7v @ 100µa | 89 NC @ 10 v | ± 20V | 3107 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr2407trl | - | ![]() | 3040 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR2407 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3711PBF | - | ![]() | 9059 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2980 pf @ 10 v | - | 3.1W (TA), 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE050N08NM5ATMA1 | 2.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IQE050N | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 80 v | 16A (TA), 101A (TC) | 6V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 3.8V @ 49µA | 43.2 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 40 v | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC240NB | - | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 대부분 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 448-IRFC240NB | 쓸모없는 | 1 | - | 200 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CWH6433XTMA1 | 0.0561 | ![]() | 8621 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BC847 | 250 MW | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL60R125P7AUMA1 | 4.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-powertsfn | IPL60R | MOSFET (금속 (() | PG-VSON-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 27A (TC) | 10V | 125mohm @ 8.2a, 10V | 4V @ 410µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 1544 pf @ 400 v | - | 111W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC430N25NSFDATMA1 | 5.2000 | ![]() | 3509 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC430 | MOSFET (금속 (() | PG-TSON-8-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 250 v | 36A (TC) | - | - | - | ± 20V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI60R199CP | - | ![]() | 6242 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | IPI60R | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF540NSTRLPBF | 1.6700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF540 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 33A (TC) | 10V | 44mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 71 NC @ 10 v | ± 20V | 1960 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP50R12KT4GB15BOSA1 | 163.7300 | ![]() | 6624 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Econopim ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP50R12 | 280 W. | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 50 a | 2.15V @ 15V, 50A | 1 MA | 예 | 2.8 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC15UD-L | - | ![]() | 9548 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | 기준 | 49 w | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 7.8A, 75ohm, 15V | 28 ns | - | 600 v | 14 a | 42 a | 2.4V @ 15V, 7.8A | 240µJ (on), 260µJ (OFF) | 23 NC | 17ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFB33N15D | - | ![]() | 1966 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB33N15D | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 33A (TC) | 10V | 56MOHM @ 20A, 10V | 5.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 2020 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TDB6HK95N16LOFHOSA1 | 252.3500 | ![]() | 3560 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TDB6HK95 | 다리 다리, 3 상- 모든 scrs | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 3 | 200 MA | 1.6kV | 75 a | 2.5 v | 720A @ 50Hz | 150 MA | 130 a | 6 scrs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 64-4095pbf | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC0435T2F117HPSA2 | - | ![]() | 9054 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF17MR12W1M1HPB11BPSA1 | 148.8400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ | 쟁반 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF17MR12 | MOSFET (금속 (() | - | Ag-Easy1b | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1200V (1.2kv) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846AE6327 | 0.0200 | ![]() | 357 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUTN06S5N008GATMA1 | 7.0000 | ![]() | 7867 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1,800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F423MR12W1M1B11BOMA1 | 154.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | F423MR12 | 20 MW | 기준 | Ag-EASY1BM-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 전체 전체 | 도랑 | 1200 v | 50 a | - | 예 | 3.68 NF @ 800 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfr7540trlpbf | - | ![]() | 9339 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR7540 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001565094 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 6V, 10V | 4.8mohm @ 66a, 10V | 3.7v @ 100µa | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 4360 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ETD630N16P60HPSA1 | 293.4200 | ![]() | 8272 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 135 ° C (TC) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | ETD630 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2 | 300 MA | 1.6kV | 700 a | 2 v | 19800a @ 50Hz | 250 MA | 635 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirls3036-7p | - | ![]() | 5986 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 180a, 10V | 2.5V @ 250µA | 160 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11270 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD05N03LA g | - | ![]() | 6405 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD05N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 50µA | 25 nc @ 5 v | ± 20V | 3110 pf @ 15 v | - | 94W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고