| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 모델 지수 | 역복구 시간(trr) | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLR3714ZPBF | - | ![]() | 7036 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 20V | 37A (Tc) | 4.5V, 10V | 15m옴 @ 15A, 10V | 2.55V @ 250μA | 7.1nC @ 4.5V | ±20V | 10V에서 560pF | - | 35W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA07N60CFDXKSA1 | - | ![]() | 6698 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | SPA07N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-31 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 650V | 6.6A(Tc) | 10V | 700m옴 @ 4.6A, 10V | 300μA에서 5V | 47nC @ 10V | ±20V | 25V에서 790pF | - | 32W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS75R12KS4BOSA1 | 304.2550 | ![]() | 1544년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | FS75R12 | 500W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 삼상인버터 | - | 1200V | 100A | 3.7V @ 15V, 75A | 5mA | 아니요 | 5.1nF @ 25V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FS75R12W2T4B11BOMA1 | 81.7100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 이지팩™ | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FS75R12 | 375W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | 다리를 풀다 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 107A | 2.15V @ 15V, 75A | 1mA | 예 | 25V에서 4.3nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS7434-7PPBF | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK(7리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001576182 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 40V | 240A(Tc) | 6V, 10V | 1m옴 @ 100A, 10V | 3.9V @ 250μA | 315nC @ 10V | ±20V | 25V에서 10250pF | - | 245W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ETD420N22P60HPSA1 | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 135°C(TC) | 방역 | 기준기준 | ETD420 | 직렬 연결 - SCR/다이오드 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300mA | 2.2kV | 700A | 2.2V | 13400A @ 50Hz | 250mA | 427A | SCR 1개, 다이오드 1개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS159NL6906HTSA1 | - | ![]() | 4911 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 60V | 230mA(타) | 0V, 10V | 3.5옴 @ 160mA, 10V | 2.4V @ 26μA | 2.9nC @ 5V | ±20V | 25V에서 44pF | 고갈 모드 | 360mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB80N03S2-03 | - | ![]() | 5617 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB80N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 80A(Tc) | 10V | 3.1m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 150nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7020pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI80P04P4L08AKSA1 | - | ![]() | 7272 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI80P | MOSFET(금속) | PG-TO262-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000840210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | P채널 | 40V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 8.2m옴 @ 80A, 10V | 2.2V @ 120μA | 92nC @ 10V | +5V, -16V | 5430pF @ 25V | - | 75W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3103TR | - | ![]() | 2828 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 30V | 55A(Tc) | 4.5V, 10V | 19m옴 @ 33A, 10V | 1V @ 250μA | 50nC @ 4.5V | ±16V | 25V에서 1600pF | - | 107W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL65R160CFD7AUMA1 | 4.4700 | ![]() | 1931년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-PowerTSFN | MOSFET(금속) | PG-VSON-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 2A(4주) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 650V | 17A(TC) | 10V | 160m옴 @ 6.4A, 10V | 320μA에서 4.5V | 28nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1283pF | - | 98W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC14T60NCX1SA2 | - | ![]() | 3968 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 분수 | SIGC14 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | 300V, 15A, 18옴, 15V | NPT | 600V | 15A | 45A | 2.5V @ 15V, 15A | - | 21ns/110ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IM240S6Y1BAKSA1 | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | IM240-M6 | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 23-DIP 모듈(0.573", 14.55mm) | IGBT | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | 3상 인버터 | 3A | 600V | 1900Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV26E6327 | - | ![]() | 8009 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 360mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP-달링턴 | 1V @ 100μA, 100mA | 20000 @ 100mA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC54T60R3EX7SA1 | - | ![]() | 5550 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 트렌치스톱™ | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 분수 | SIGC54 | 기준 | 분수 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 0000.00.0000 | 1 | - | 트렌치 필드스톱 | 600V | 100A | 300A | 1.85V @ 15V, 100A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF2030E6814HTSA1 | - | ![]() | 2549 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 8V | 표면 실장 | TO-253-4, TO-253AA | BF2030 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT-143-3D | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 40mA | 10mA | - | 23dB | 1.5dB | 5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3515L | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRF3515L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 150V | 41A (Tc) | 10V | 45m옴 @ 25A, 10V | 250μA에서 4.5V | 107nC @ 10V | ±30V | 2260pF @ 25V | - | 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB11N60C3ATMA1 | 4.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB11N60 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 650V | 11A(티씨) | 10V | 380m옴 @ 7A, 10V | 500μA에서 3.9V | 60nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1200pF | - | 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB180P04P4L02ATMA2 | 4.6900 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS®-P2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭) | IPB180 | MOSFET(금속) | PG-TO263-7-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P채널 | 40V | 180A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.4m옴 @ 100A, 10V | 410μA에서 2.2V | 286nC @ 10V | +5V, -16V | 18700pF @ 25V | - | 150W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISZ230N10NM6ATMA1 | 1.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | ISZ230 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8 FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 7.7A(Ta), 31A(Tc) | 8V, 10V | 23m옴 @ 10A, 10V | 13μA에서 3.3V | 9.3nC @ 10V | ±20V | 50V에서 690pF | - | 3W(Ta), 48W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD025N06NATMA1 | 2.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD025 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 60V | 90A(Tc) | 6V, 10V | 2.5m옴 @ 90A, 10V | 2.8V @ 95μA | 71nC @ 10V | ±20V | 30V에서 5200pF | - | 3W(Ta), 167W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFHM792TRPBF | - | ![]() | 8591 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-PowerVDFN | IRFHM792 | MOSFET(금속) | 2.3W | 8-PQFN(3.3x3.3), 전원33 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 100V | 2.3A | 195m옴 @ 2.9A, 10V | 4V @ 10μA | 6.3nC @ 10V | 251pF @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4420DYTR | - | ![]() | 2055년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 12.5A(타) | 4.5V, 10V | 9m옴 @ 12.5A, 10V | 1V @ 250μA | 78nC @ 10V | ±20V | 15V에서 2240pF | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4BC30F-STRL | - | ![]() | 3033 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 100W | D2PAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | IRG4BC30FSTRL | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 480V, 17A, 23옴, 15V | - | 600V | 31A | 120A | 1.8V @ 15V, 17A | 230μJ(켜짐), 1.18mJ(꺼짐) | 51nC | 21ns/200ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7521D1 | - | ![]() | 7103 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | FETKY™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | MOSFET(금속) | 마이크로8™ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 95 | N채널 | 20V | 2.4A(타) | 2.7V, 4.5V | 135m옴 @ 1.7A, 4.5V | 250μA에서 700mV(최소) | 8nC @ 4.5V | ±12V | 15V에서 260pF | 쇼트키 다이오드(절연) | 1.3W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR119WE6327 | 0.0200 | ![]() | 147 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKP20N60TAHKSA1 | 2.4819 | ![]() | 1757년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop® | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IKP20N60 | 기준 | 166W | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 20A, 12옴, 15V | 41ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 40A | 60A | 2.05V @ 15V, 20A | 770μJ | 120nC | 18ns/199ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD18P06PGBTMA1 | 1.4600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | SPD18P06 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P채널 | 60V | 18.6A(Tc) | 10V | 130m옴 @ 13.2A, 10V | 4V @ 1mA | 33nC @ 10V | ±20V | 25V에서 860pF | - | 80W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSC0500NSIATMA1 | 2.2100 | ![]() | 6311 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSC0500 | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 35A(Ta), 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 1.3m옴 @ 30A, 10V | 2V @ 250μA | 52nC @ 10V | ±20V | 15V에서 3300pF | - | 2.5W(Ta), 69W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFS 386L6 E6327 | - | ![]() | 9433 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-XFDFN | 210mW, 380mW | TSLP-6-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 10dB ~ 14.5dB | 6V | 35mA, 80mA | 2 NPN(이중) | 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V | 14GHz | 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |

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