SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 모델 지수 역복구 시간(trr) SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
IRG4PC30KD Infineon Technologies IRG4PC30KD -
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ECAD 1990년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRG4PC30 기준 100W TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRG4PC30KD EAR99 8541.29.0095 25 480V, 16A, 23옴, 15V 42ns - 600V 28A 58A 2.7V @ 15V, 16A 600μJ(켜짐), 580μJ(꺼짐) 67nC 60ns/160ns
IRF7335D1TR Infineon Technologies IRF7335D1TR -
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ECAD 4348 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 FETKY™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 14-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) IRF733 MOSFET(금속) 2W 14-SOIC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. Q1902365 EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(이중) 배열 30V 10A 17.5m옴 @ 10A, 4.5V 1V @ 250μA 20nC @ 4.5V 15V에서 1500pF 게임 레벨 레벨
IRF7103Q Infineon Technologies IRF7103Q -
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ECAD 3804 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET(금속) 2.4W 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 95 2 N채널(듀얼) 50V 3A 130m옴 @ 3A, 10V 3V @ 250μA 15nC @ 10V 255pF @ 25V -
BC847BL3E6327XTMA1 Infineon Technologies BC847BL3E6327XTMA1 0.1136
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ECAD 3301 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 BC847 250mW PG-TSLP-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 15,000 45V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
FP75R07N2E4 Infineon Technologies FP75R07N2E4 -
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ECAD 7892 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoPIM™2 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 20mW 삼상 다리 정류기 AG-ECONO2B 다운로드 EAR99 8542.39.0001 1 삼상인버터 트렌치 필드스톱 650V 95A 1.95V @ 15V, 75A 1mA 25V에서 4.6nF
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1 -
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ECAD 7772 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) PG-DSO-8 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 12A(타) 6V, 10V 8m옴 @ 14.8A, 10V 150μA에서 3.1V 81nC @ 10V ±25V 6750pF @ 15V - 1.6W(타)
IRL40B212 Infineon Technologies IRL40B212 -
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ECAD 2635 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET®, StrongIRFET™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRL40B212 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 195A(Tc) 4.5V, 10V 1.9m옴 @ 100A, 10V 2.4V @ 150μA 137nC @ 4.5V ±20V 8320pF @ 25V - 231W(Tc)
BFN38E6327 Infineon Technologies BFN38E6327 0.1200
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ECAD 10 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.5W PG-SOT223-4 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0075 1,000 300V 200mA 100nA(ICBO) 500mV @ 2mA, 20mA 40 @ 10mA, 10V 70MHz
IKW75N120CH7XKSA1 Infineon Technologies IKW75N120CH7XKSA1 12.8100
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ECAD 2639 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IKW75N120 기준 549W PG-TO247-3-U06 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 - 145ns 트렌치 필드스톱 1200V 92A 300A 2.15V @ 15V, 75A 4.22mJ(켜짐), 1.66mJ(꺼짐) 535nC 55ns/461ns
IRLMS5703TR Infineon Technologies IRLMS5703TR -
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ECAD 4335 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-23-6 MOSFET(금속) 마이크로6™(SOT23-6) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 30V 2.3A(타) 200m옴 @ 1.6A, 10V 1V @ 250μA 11nC @ 10V 25V에서 170pF -
IPB04N03LB Infineon Technologies IPB04N03LB -
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ECAD 1487 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB04N MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 80A(Tc) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 55A, 10V 2V @ 70μA 40nC @ 5V ±20V 5203pF @ 15V - 107W(Tc)
IRF6613TR1 Infineon Technologies IRF6613TR1 -
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ECAD 9839 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MT MOSFET(금속) DIRECTFET™ MT 다운로드 RoHS 비준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 23A(타), 150A(Tc) 4.5V, 10V 3.4m옴 @ 23A, 10V 2.25V @ 250μA 63nC @ 4.5V ±20V 5950pF @ 15V - 2.8W(Ta), 89W(Tc)
IPA80R1K0CEXKSA1 Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA1 -
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ECAD 5992 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CE 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IPA80R MOSFET(금속) PG-TO220-FP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 3.6A(Tc) 10V 950m옴 @ 3.6A, 10V 3.9V @ 250μA 31nC @ 10V ±20V 100V에서 785pF - 32W(Tc)
AUIRF7309QTR Infineon Technologies AUIRF7309QTR 2.2200
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ECAD 7512 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) AUIRF7309 MOSFET(금속) 1.4W 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N 및 P 채널 30V 4A, 3A 50m옴 @ 2.4A, 10V 3V @ 250μA 25nC @ 4.5V 520pF @ 15V 게임 레벨 레벨
IRFR3711ZTR Infineon Technologies IRFR3711ZTR -
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ECAD 4620 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001571586 EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 20V 93A(티씨) 4.5V, 10V 5.7m옴 @ 15A, 10V 2.45V @ 250μA 27nC @ 4.5V ±20V 10V에서 2160pF - 79W(Tc)
IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies IRLS3034-7PPBF -
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ECAD 3923 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 240A(Tc) 4.5V, 10V 1.4m옴 @ 200A, 10V 2.5V @ 250μA 180nC @ 4.5V ±20V 40V에서 10990pF - 380W(Tc)
IRG4BC30FDPBF Infineon Technologies IRG4BC30FDPBF -
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ECAD 6890 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 100W TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 17A, 23옴, 15V 42ns - 600V 31A 124A 1.8V @ 15V, 17A 630μJ(켜짐), 1.39mJ(꺼짐) 51nC 42ns/230ns
FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies FZ825R33HE4DBPSA1 1.0000
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FZ800 2400000W 기준 AG-IHVB130-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2 스위치 트렌치 필드스톱 3300V 825A 2.65V @ 15V, 825A 5mA 아니요 93.5nF @ 25V
IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies IRLZ44NSTRLPBF 1.6300
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ECAD 788 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ44 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 47A (Tc) 4V, 10V 22m옴 @ 25A, 10V 2V @ 250μA 48nC @ 5V ±16V 25V에서 1700pF - 3.8W(Ta), 110W(Tc)
IRG4PC50SPBF Infineon Technologies IRG4PC50SPBF -
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ECAD 3340 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRG4PC50 기준 200W TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 480V, 41A, 5옴, 15V - 600V 70A 140A 1.36V @ 15V, 41A 720μJ(켜짐), 8.27mJ(꺼짐) 180nC 33ns/650ns
T420N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T420N18TOFXPSA1 -
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ECAD 6194 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 DO-200AA, A-PUK T420N18 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 12 300mA 1.8kV 750A 2V 7200A @ 50Hz 200mA 424A 1 SCR
IRF2804LPBF Infineon Technologies IRF2804LPBF 1.6624
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ECAD 4017 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IRF2804 MOSFET(금속) TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 75A(Tc) 2.3m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 240nC @ 10V 25V에서 6450pF - 300W(Tc)
IPP041N04NGXKSA1 Infineon Technologies IPP041N04NGXKSA1 1.5000
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ECAD 279 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP041 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 40V 80A(Tc) 10V 4.1m옴 @ 80A, 10V 4V @ 45μA 56nC @ 10V ±20V 20V에서 4500pF - 94W(Tc)
IGC20T60TEX7SA1 Infineon Technologies IGC20T60TEX7SA1 -
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ECAD 1378 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 - - - IGC20 - - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 0000.00.0000 1 - - - - -
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies BSM100GB120DLCKHOSA1 -
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ECAD 8279 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 BSM100 830W 기준 기준기준 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 다리 다리 - 1200V 100A -
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC100N06LS3GATMA1 1.2100
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ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC100 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 12A(Ta), 50A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 50A, 10V 2.2V @ 23μA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V - 2.5W(Ta), 50W(Tc)
PTFA192401EV4R250FTMA1 Infineon Technologies PTFA192401EV4R250FTMA1 -
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ECAD 6936 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 방역 H-36260-2 PTFA192401 1.96GHz LDMOS H-36260-2 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 250 10μA 1.6A 50W 16dB - 30V
IPB80N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S3H4ATMA1 -
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ECAD 4690 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 40V 80A(Tc) 10V 4.5m옴 @ 80A, 10V 4V @ 65μA 60nC @ 10V ±20V 3900pF @ 25V - 115W(Tc)
BSF077N06NT3GXUMA1 Infineon Technologies BSF077N06NT3GXUMA1 -
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ECAD 2902 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-WDSON MOSFET(금속) MG-WDSON-2, CanPAK M™ 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 13A(Ta), 56A(Tc) 10V 7.7m옴 @ 30A, 10V 4V @ 33μA 46nC @ 10V ±20V 3700pF @ 30V - 2.2W(Ta), 38W(Tc)
BSS138N E7854 Infineon Technologies BSS138N E7854 -
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ECAD 5243 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 230mA(타) 4.5V, 10V 3.5옴 @ 230mA, 10V 250μA에서 1.4V 1.4nC @ 10V ±20V 25V에서 41pF - 360mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고