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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 에 기본 제품 번호 입력하다 그들 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 내구성 인증(암페어) 테스트 조건 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 현재의 전압 전압 - 절연 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 모델 지수 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 모델 지수(dB 일반 @ f)
IPL65R160CFD7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R160CFD7AUMA1 4.4700
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 ECAD 1931년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-PowerTSFN MOSFET(금속) PG-VSON-4 다운로드 ROHS3 준수 2A(4주) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 650V 17A(TC) 10V 160m옴 @ 6.4A, 10V 320μA에서 4.5V 28nC @ 10V ±20V 400V에서 1283pF - 98W(Tc)
SPA07N60CFDXKSA1 Infineon Technologies SPA07N60CFDXKSA1 -
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 ECAD 6698 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 SPA07N MOSFET(금속) PG-TO220-3-31 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 6.6A(Tc) 10V 700m옴 @ 4.6A, 10V 300μA에서 5V 47nC @ 10V ±20V 25V에서 790pF - 32W(Tc)
SIGC14T60NCX1SA2 Infineon Technologies SIGC14T60NCX1SA2 -
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 ECAD 3968 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC14 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 300V, 15A, 18옴, 15V NPT 600V 15A 45A 2.5V @ 15V, 15A - 21ns/110ns
SI4420DYTR Infineon Technologies SI4420DYTR -
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 ECAD 2055년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 12.5A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 12.5A, 10V 1V @ 250μA 78nC @ 10V ±20V 15V에서 2240pF - 2.5W(타)
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0500NSIATMA1 2.2100
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 ECAD 6311 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC0500 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 35A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.3m옴 @ 30A, 10V 2V @ 250μA 52nC @ 10V ±20V 15V에서 3300pF - 2.5W(Ta), 69W(Tc)
BFS 386L6 E6327 Infineon Technologies BFS 386L6 E6327 -
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 ECAD 9433 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 6-XFDFN 210mW, 380mW TSLP-6-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 15,000 10dB ~ 14.5dB 6V 35mA, 80mA 2 NPN(이중) 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V 14GHz 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
SPB80N03S2-03 Infineon Technologies SPB80N03S2-03 -
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 ECAD 5617 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 80A(Tc) 10V 3.1m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 7020pF - 300W(Tc)
IPU50R950CE Infineon Technologies IPU50R950CE 0.1600
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 ECAD 235 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) PG-TO251-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 6.6A(Tc) 13V 950m옴 @ 1.2A, 13V 100μA에서 3.5V 10.5nC @ 10V ±20V 100V에서 231pF - 53W(Tc)
IM240S6Y1BAKSA1 Infineon Technologies IM240S6Y1BAKSA1 -
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 ECAD 8821 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IM240-M6 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 23-DIP 모듈(0.573", 14.55mm) IGBT 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 15 3상 인버터 3A 600V 1900Vrms
IRFHM792TRPBF Infineon Technologies IRFHM792TRPBF -
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 ECAD 8591 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN IRFHM792 MOSFET(금속) 2.3W 8-PQFN(3.3x3.3), 전원33 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 100V 2.3A 195m옴 @ 2.9A, 10V 4V @ 10μA 6.3nC @ 10V 251pF @ 25V -
IRF3515L Infineon Technologies IRF3515L -
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 ECAD 8789 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF3515L EAR99 8541.29.0095 50 N채널 150V 41A (Tc) 10V 45m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 4.5V 107nC @ 10V ±30V 2260pF @ 25V - 200W(Tc)
SIGC54T60R3EX7SA1 Infineon Technologies SIGC54T60R3EX7SA1 -
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 ECAD 5550 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC54 기준 분수 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 0000.00.0000 1 - 트렌치 필드스톱 600V 100A 300A 1.85V @ 15V, 100A - -
FS75R12KS4BOSA1 Infineon Technologies FS75R12KS4BOSA1 304.2550
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 ECAD 1544년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FS75R12 500W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 삼상인버터 - 1200V 100A 3.7V @ 15V, 75A 5mA 아니요 5.1nF @ 25V
BSS159NL6906HTSA1 Infineon Technologies BSS159NL6906HTSA1 -
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 ECAD 4911 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET(금속) PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 230mA(타) 0V, 10V 3.5옴 @ 160mA, 10V 2.4V @ 26μA 2.9nC @ 5V ±20V 25V에서 44pF 고갈 모드 360mW(타)
IPD025N06NATMA1 Infineon Technologies IPD025N06NATMA1 2.6700
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 ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD025 MOSFET(금속) PG-TO252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 90A(Tc) 6V, 10V 2.5m옴 @ 90A, 10V 2.8V @ 95μA 71nC @ 10V ±20V 30V에서 5200pF - 3W(Ta), 167W(Tc)
BF2030E6814HTSA1 Infineon Technologies BF2030E6814HTSA1 -
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 ECAD 2549 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 8V 표면 실장 TO-253-4, TO-253AA BF2030 800MHz MOSFET PG-SOT-143-3D 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 40mA 10mA - 23dB 1.5dB 5V
FS75R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies FS75R12W2T4B11BOMA1 81.7100
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 ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 이지팩™ 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FS75R12 375W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 15 다리를 풀다 트렌치 필드스톱 1200V 107A 2.15V @ 15V, 75A 1mA 예 25V에서 4.3nF
IRFC130NB Infineon Technologies IRFC130NB -
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 ECAD 9156 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 분수 MOSFET(금속) 분수 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-IRFC130NB 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - 100V 17A 10V 90m옴 @ 17A, 10V - - - -
DDB2U30N08VRBOMA1 Infineon Technologies DDB2U30N08VRBOMA1 -
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 ECAD 4367 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 DDB2U30 83.5W 기준 기준기준 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 40 3면 - 600V 25A 2.55V @ 15V, 20A 1mA 예 25V에서 880pF
IRF3000PBF Infineon Technologies IRF3000PBF -
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 ECAD 3125 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF3000PBF EAR99 8541.29.0095 95 N채널 300V 1.6A(타) 10V 400m옴 @ 960mA, 10V 5V @ 250μA 33nC @ 10V ±30V 25V에서 730pF - 2.5W(타)
IRFR1205TRL Infineon Technologies IRFR1205TRL -
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 ECAD 7481 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR1205 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 55V 44A(Tc) 10V 27m옴 @ 26A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 107W(Tc)
BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC430N25NSFDATMA1 2000년 5월
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 ECAD 3509 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™, StrongIRFET™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 8파워TDFN BSC430 MOSFET(금속) PG-TSON-8-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 250V 36A(티씨) - - - ±20V - -
F3L75R12W1H3BPSA1 Infineon Technologies F3L75R12W1H3BPSA1 70.0200
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 ECAD 1013 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 24
IRG4BC30S-S Infineon Technologies IRG4BC30S-S -
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 ECAD 1124 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 100W D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 480V, 18A, 23옴, 15V - 600V 34A 68A 1.6V @ 15V, 18A 260μJ(켜짐), 3.45mJ(꺼짐) 50nC 22ns/540ns
IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKW30N65H5XKSA1 5.1100
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 ECAD 83 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IKW30N65 기준 188W PG-TO247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 400V, 15A, 23옴, 15V 70ns 도랑 650V 55A 90A 2.1V @ 15V, 30A 280μJ(켜짐), 100μJ(꺼짐) 70nC 20ns/190ns
D251N12BXPSA1 Infineon Technologies D251N12BXPSA1 -
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 ECAD 2875 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 덤불 DO-205AA, DO-8, 그리고 D251N 기준 - 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1200V 1200V에서 30mA -40°C ~ 180°C 255A -
SIPC03N50C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC03N50C3X1SA1 -
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 ECAD 6848 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 SIPC03 - ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000014882 0000.00.0000 1 -
FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF225R12ME4BOSA1 150.6400
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 ECAD 7524 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoDUAL™ 3 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FF225R12 1050W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 2개의 면 트렌치 필드스톱 1200V 320A 2.15V @ 15V, 225A 3mA 예 25V에서 13nF
ISC007N06NM6ATMA1 Infineon Technologies ISC007N06NM6ATMA1 1.9278
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 ECAD 6986 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-ISC007N06NM6ATMA1TR 5,000
IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies IPL60R065C7AUMA1 9.6200
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 ECAD 2394 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ C7 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 4-PowerTSFN IPL60R065 MOSFET(금속) PG-VSON-4-1 다운로드 ROHS3 준수 2A(4주) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 600V 29A(TC) 10V 65m옴 @ 15.9A, 10V 800μA에서 4V 68nC @ 10V ±20V 400V에서 2850pF - 180W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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