SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 얻다 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
BC848B-E6327 Infineon Technologies BC848B-E6327 -
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ECAD 2172 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330mW PG-SOT23 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 15nA(ICBO) NPN 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
AUIRG4BC30USTRL Infineon Technologies AUIRG4BC30USTRL -
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ECAD 3008 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB AUIRG4 기준 100W D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001512374 EAR99 8541.29.0095 800 480V, 12A, 23옴, 15V - 600V 23A 92A 2.1V @ 15V, 12A 160μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) 50nC 17ns/78ns
IDW15G120C5BFKSA1 Infineon Technologies IDW15G120C5BFKSA1 11.2700
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ECAD 190 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 IDW15G120 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO247-3-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 30 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 1쌍의 세션이 시작됩니다 1200V 24A(DC) 1.6V @ 7.5A 1200V에서 62μA -55°C ~ 175°C
BC846SH6433XTMA1 Infineon Technologies BC846SH6433XTMA1 0.0852
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ECAD 4733 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250mW PG-SOT363-PO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 65V 100mA 15nA(ICBO) 2 NPN(이중) 600mV @ 5mA, 100mA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
RJH60F7BDPQ-A0#T0 Infineon Technologies RJH60F7BDPQ-A0#T0 -
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ECAD 3616 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 2156-RJH60F7BDPQ-A0#T0 1
IRF7321D2TRPBF Infineon Technologies IRF7321D2TRPBF -
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ECAD 6162 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 FETKY™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 30V 4.7A(타) 4.5V, 10V 62m옴 @ 4.9A, 10V 1V @ 250μA 34nC @ 10V ±20V 25V에서 710pF 쇼트키 다이오드(절연) 2W(타)
IRFB3306PBF Infineon Technologies IRFB3306PBF 2.0700
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRFB3306 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 60V 120A(Tc) 10V 4.2m옴 @ 75A, 10V 4V @ 150μA 120nC @ 10V ±20V 50V에서 4520pF - 230W(Tc)
IRF9530NPBF Infineon Technologies IRF9530NPBF 1.1600
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ECAD 51 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF9530 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 14A(TC) 10V 200m옴 @ 8.4A, 10V 4V @ 250μA 58nC @ 10V ±20V 25V에서 760pF - 79W(Tc)
FF200R12KS4HOSA1 Infineon Technologies FF200R12KS4HOSA1 156.3400
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ECAD 2357 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 기음 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FF200R12 1400W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 2개의 면 - 1200V 275A 3.7V @ 15V, 200A 5mA 아니요 25V에서 13nF
IPP60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies IPP60R099CPAAKSA1 -
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ECAD 7472 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 31A(Tc) 10V 105m옴 @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80nC @ 10V ±20V 100V에서 2800pF - 255W(Tc)
TDB6HK360N16P Infineon Technologies TDB6HK360N16P 197.0500
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ECAD 7201 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 -40°C ~ 130°C (TJ) 방역 기준기준 20mW 기준 기준기준 다운로드 EAR99 8541.30.0080 1 3면 - 1600V 360A -
FZ600R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies FZ600R17KE3S4HOSA1 283.5000
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ECAD 8118 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 기음 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FZ600R17 3150W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 하나의 트렌치 필드스톱 1700V 1200A 2.45V @ 15V, 600A 3mA 아니요 25V에서 54nF
BAW56W-E6327 Infineon Technologies BAW56W-E6327 -
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ECAD 3501 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAW56 기준 PG-SOT323-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 12,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 70V에서 150nA 150°C
D820N20TXPSA1 Infineon Technologies D820N20TXPSA1 -
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ECAD 4183 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 DO-200AA, A-PUK D820N20 기준 - 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 2000V 1.25V @ 750A 2000V에서 40mA -40°C ~ 180°C 820A -
FT150R12KE3B5BOSA1 Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1 -
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ECAD 3694 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 - - - FT150 - - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000083610 EAR99 8541.29.0095 1 - - -
SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP06N80C3XKSA1 2.4000
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ECAD 8 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP06N80 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 800V 6A(TC) 10V 900m옴 @ 3.8A, 10V 3.9V @ 250μA 41nC @ 10V ±20V 100V에서 785pF - 83W(Tc)
IPI45N06S3L-13 Infineon Technologies IPI45N06S3L-13 -
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ECAD 3586 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI45N MOSFET(금속) PG-TO262-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 55V 45A(Tc) 5V, 10V 13.4m옴 @ 26A, 10V 30μA에서 2.2V 75nC @ 10V ±16V 3600pF @ 25V - 65W(Tc)
IPA60R125CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R125CFD7XKSA1 5.0500
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ECAD 38 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IPA60R MOSFET(금속) PG-TO220 풀팩 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 11A(티씨) 10V 125m옴 @ 7.8A, 10V 390μA에서 4.5V 36nC @ 10V ±20V 400V에서 1503pF - 32W(Tc)
IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon Technologies IPU60R1K5CEBKMA1 -
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ECAD 2850 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CE 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IPU60R MOSFET(금속) TO-251 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 3.1A(Tc) 10V 1.5옴 @ 1.1A, 10V 90μA에서 3.5V 10V에서 9.4nC ±20V 100V에서 200pF - 28W(Tc)
SGD02N60 Infineon Technologies SGD02N60 0.6000
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 기준 30W PG-TO252-3-11 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 504 400V, 2A, 118옴, 15V NPT 600V 6A 12A 2.4V @ 15V, 2A 36μJ(켜짐), 28μJ(꺼짐) 14nC 20ns/259ns
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S4L03ATMA2 2.2100
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ECAD 4 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET(금속) PG-TO252-3-11 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 90A(Tc) 4.5V, 10V 3.5m옴 @ 90A, 10V 90μA에서 2.2V 170nC @ 10V ±16V 25V에서 13000pF - 150W(Tc)
BCR198WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR198WE6327BTSA1 -
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ECAD 7317 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 BCR198 250mW PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 70 @ 5mA, 5V 190MHz 47kΩ 47kΩ
IRL3715TRL Infineon Technologies IRL3715TRL -
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ECAD 9177 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 54A(티씨) 4.5V, 10V 14m옴 @ 26A, 10V 3V @ 250μA 17nC @ 4.5V ±20V 1060pF @ 10V - 3.8W(Ta), 71W(Tc)
BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR162E6327HTSA1 -
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ECAD 6456 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR162 200mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
BCP5416E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP5416E6327HTSA1 0.1200
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ECAD 4 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 2W PG-SOT223-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 45V 1A 100nA(ICBO) 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 100MHz
IRGC15B60KD Infineon Technologies IRGC15B60KD -
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ECAD 9538 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C 표면 실장 분수 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - 130ns - 600V 15A - - -
IRF7807D2TRPBF Infineon Technologies IRF7807D2TRPBF -
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ECAD 6160 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 FETKY™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 8.3A(타) 4.5V 25m옴 @ 7A, 4.5V 1V @ 250μA 17nC @ 5V ±12V 쇼트키 다이오드(절연) 2.5W(타)
IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB016N06L3GATMA1 4.0100
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ECAD 4787 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) IPB016 MOSFET(금속) PG-TO263-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 180A(Tc) 4.5V, 10V 1.6m옴 @ 100A, 10V 2.2V @ 196μA 166nC @ 4.5V ±20V 28000pF @ 30V - 250W(Tc)
BFP420H6801XTSA1 Infineon Technologies BFP420H6801XTSA1 0.6900
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ECAD 4395 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-82A, SOT-343 BFP420 160mW PG-SOT343-3D 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 21dB 5V 35mA NPN 60 @ 20mA, 4V 25GHz 1.1dB @ 1.8GHz
IDH03G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDH03G65C5XKSA1 -
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ECAD 9974 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. 스루홀 TO-220-2 IDH03G65 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO220-2-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 500 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.7V @ 3A 0ns 600V에서 50μA -55°C ~ 175°C 3A 100pF @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고