| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 얻다 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GATELEADRD406XPSA1 | 29.6100 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | - | GATELEADRD406 | - | - | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR129WE6327HTSA1 | - | ![]() | 1608년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BCR129 | 250mW | PG-SOT323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 120 @ 5mA, 5V | 150MHz | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7555TRPBF | - | ![]() | 2102 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | IRF7555 | MOSFET(금속) | 1.25W | 마이크로8™ | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 P채널(듀얼) | 20V | 4.3A | 55m옴 @ 4.3A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 15nC @ 5V | 1066pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRAM136-1061A2 | - | ![]() | 3653 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | iMOTION™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | 29-PowerSSIP 모듈, 21리드, 아름다운 리드 | IGBT | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 80 | 3상 | 12A | 600V | 2000Vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS308PEL6327HTSA1 | - | ![]() | 4179 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | PG-SOT23 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P채널 | 30V | 2A(타) | 4.5V, 10V | 80m옴 @ 2A, 10V | 2V @ 11μA | 5nC @ 10V | ±20V | 15V에서 500pF | - | 500mW(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGP03N120H2XKSA1 | - | ![]() | 7188 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | 기준 | 62.5W | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 800V, 3A, 82옴, 15V | - | 1200V | 9.6A | 9.9A | 2.8V @ 15V, 3A | 290μJ | 22nC | 9.2ns/281ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS150R07N3E4BOSA1 | 218.5200 | ![]() | 5023 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | EconoPACK™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | FS150R07 | 430W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 삼상인버터 | 트렌치 필드스톱 | 650V | 150A | 1.95V @ 15V, 150A | 1mA | 예 | 25V에서 9.3nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC80725E6327 | 0.0300 | ![]() | 843 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 330mW | PG-SOT23-3-11 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 500mA | 100nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKD06N65ET6ARMA1 | 1.5800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 트렌치스톱™ | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IKD06N65 | 기준 | 31W | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-IKD06N65ET6ARMA1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V, 3A, 47옴, 15V | 30ns | 트렌치 필드스톱 | 650V | 9A | 18A | 1.9V @ 15V, 3A | 60μJ(켜짐), 30μJ(꺼짐) | 13.7nC | 15ns/35ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD320N20N3GATMA1 | 3.4000 | ![]() | 3576 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD320 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 200V | 34A(티씨) | 10V | 32m옴 @ 34A, 10V | 4V @ 90μA | 29nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2350pF | - | 136W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPB10N10L G | - | ![]() | 1946년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | SPB10N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 10.3A(Tc) | 10V | 154m옴 @ 8.1A, 10V | 2V @ 21μA | 22nC @ 10V | ±20V | 25V에서 444pF | - | 50W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3714TRPBF | - | ![]() | 1882년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 20V | 36A(티씨) | 4.5V, 10V | 20m옴 @ 18A, 10V | 3V @ 250μA | 9.7nC @ 4.5V | ±20V | 10V에서 670pF | - | 47W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP740FH6327XTSA1 | 0.5500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 4-SMD, 플랫 리드 | BFP740 | 160mW | 4-TSFP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 27.5dB | 4.7V | 30mA | NPN | 160 @ 25mA, 3V | 42GHz | 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF771E6765N | 0.0700 | ![]() | 111 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 580mW | PG-SOT23-3-4 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 15dB | 12V | 80mA | NPN | 70 @ 30mA, 8V | 8GHz | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7811AVTRPBF-1 | - | ![]() | 4907 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 448-IRF7811AVTRPBF-1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 10.8A(타) | 4.5V | 14m옴 @ 15A, 4.5V | 3V @ 250μA | 26nC @ 5V | ±20V | 10V에서 1801pF | - | 2.5W(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO080P03NS3G | - | ![]() | 9985 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | PG-DSO-8 | 다운로드 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P채널 | 30V | 12A(타) | 6V, 10V | 8m옴 @ 14.8A, 10V | 150μA에서 3.1V | 81nC @ 10V | ±25V | 6750pF @ 15V | - | 1.6W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846SE6433BTMA1 | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC846S | 250mW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 65V | 100mA | 15nA(ICBO) | 2 NPN(이중) | 600mV @ 5mA, 100mA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX51E6327HTSA1 | - | ![]() | 9233 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | BCX51 | 2W | PG-SOT89 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 40 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D56S45CXPSA1 | - | ![]() | 5345 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 덤불 | DO-205AA, DO-8, 그리고 | D56S45C | 기준 | - | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 4500V | 4.5V @ 320A | 3.3μs | 4500V에서 5mA | -40°C ~ 125°C | 102A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQE046N08LM5SCATMA1 | 2.9900 | ![]() | 1267 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8-파워WDFN | IQE046 | MOSFET(금속) | PG-WHSON-8 | - | 1(무제한) | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 80V | 15.6A(Ta), 99A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.6m옴 @ 20A, 10V | 2.3V @ 47μA | 38nC @ 10V | ±20V | 40V에서 3250pF | - | 2.5W(Ta), 100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858BW | - | ![]() | 8934 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 200mW | SOT-323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 30V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 220 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV 70W E6433 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | BAV 70 | 기준 | PG-SOT323 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍씩 시작됩니다 | 80V | 200mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 70V에서 150nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ44NSTRR | - | ![]() | 9551 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 55V | 49A(TC) | 10V | 17.5m옴 @ 25A, 10V | 4V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1470pF | - | 3.8W(Ta), 94W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR193WH6327 | - | ![]() | 1154 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-70, SOT-323 | 580mW | PG-SOT323-3-1 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 16dB | 12V | 80mA | NPN | 70 @ 30mA, 8V | 8GHz | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLL1503 | - | ![]() | 6701 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 스루홀 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET(금속) | SOT-223 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N채널 | 30V | 75A(타) | 3.3m옴 @ 140A, 10V | 4V @ 250μA | 200nC @ 10V | 5730pF @ 25V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGI4060DPBF | - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | 기준 | 37W | TO-220AB 풀팩 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 7.5A, 47옴, 15V | 73ns | 도랑 | 600V | 14A | 23A | 1.72V @ 15V, 7.5A | 47μJ(켜짐), 141μJ(꺼짐) | 19nC | 29ns/101ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT92N08KOFKHPSA1 | - | ![]() | 5430 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 130°C | 방역 | 기준기준 | TT92N | 거의 대부분 - 모든 SCR | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200mA | 800V | 160A | 1.4V | 2050A @ 50Hz | 120mA | 104A | SCR 2개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKW50N60TAFKSA1 | - | ![]() | 9630 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | TrenchStop® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IKW50N | 기준 | 333W | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 50A, 7옴, 15V | 143ns | 트렌치 필드스톱 | 600V | 80A | 150A | 2V @ 15V, 50A | 2.6mJ | 310nC | 26ns/299ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB156N22NFDATMA1 | 8.2400 | ![]() | 726 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™FD | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB156 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 220V | 72A(Tc) | 10V | 15.6m옴 @ 50A, 10V | 4V @ 270μA | 87nC @ 10V | ±20V | 110V에서 6930pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR2405TRLPBF | 1.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR2405 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 55V | 56A(티씨) | 10V | 16m옴 @ 34A, 10V | 4V @ 250μA | 110nC @ 10V | ±20V | 2430pF @ 25V | - | 110W(Tc) |

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