| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 에 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 현재의 | 전압 | 전압 - 절연 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 카드가 사라졌습니다 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP60R520CP | 0.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 6.8A(Tc) | 10V | 520m옴 @ 3.8A, 10V | 250μA에서 3.5V | 31nC @ 10V | ±20V | 100V에서 630pF | - | 66W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD031N03M G | - | ![]() | 1674년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD031N | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-11 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 30V | 90A(Tc) | 4.5V, 10V | 3.1m옴 @ 30A, 10V | 2.2V @ 250μA | 51nC @ 10V | ±20V | 15V에서 5300pF | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPL65R1K0C6SATMA1 | 0.6844 | ![]() | 2205 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ C6 | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IPL65R1 | MOSFET(금속) | PG-TSON-8-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 650V | 4.2A(Tc) | 10V | 1옴 @ 1.5A, 10V | 150μA에서 3.5V | 15nC @ 10V | ±20V | 100V에서 328pF | - | 34.7W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ITD50N04S4L07ATMA1 | - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-5, DPak(4리드 + 탭), TO-252AD | ITD50 | MOSFET(금속) | 46W(Tc) | PG-TO252-5-311 | 다운로드 | EAR99 | 8542.39.0001 | 363 | 2 N채널(듀얼) | 40V | 50A(Tc) | 7.2m옴 @ 50A, 10V | 2.2V @ 18μA | 33nC @ 10V | 2480pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKCM10L60GAXKMA1 | 13.1500 | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CIPOS™ | 튜브 | 활동적인 | 스루홀 | 24-PowerDIP 모듈(1.028", 26.10mm) | IGBT | IKCM10 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8542.39.0001 | 14 | 3상 | 10A | 600V | 2000Vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP35B60PD-EP | - | ![]() | 6238 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | 기준 | 308W | TO-247AD | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001533980 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 390V, 22A, 3.3옴, 15V | 42ns | NPT | 600V | 60A | 120A | 2.55V @ 15V, 35A | 220μJ(켜짐), 215μJ(꺼짐) | 160nC | 26ns/110ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB26CNE8N G | - | ![]() | 3863 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB26C | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 85V | 35A(Tc) | 10V | 26m옴 @ 35A, 10V | 4V @ 39μA | 31nC @ 10V | ±20V | 2070pF @ 40V | - | 71W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6629TR1PBF | - | ![]() | 1640년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MX | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MX | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 25V | 29A(타), 180A(Tc) | 4.5V, 10V | 2.1m옴 @ 29A, 10V | 100μA에서 2.35V | 51nC @ 4.5V | ±20V | 13V에서 4260pF | - | 2.8W(Ta), 100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH09G65C5XKSA1 | - | ![]() | 9475 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 스루홀 | TO-220-2 | IDH09G65 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | PG-TO220-2-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.7V @ 9A | 0ns | 650V에서 310μA | -55°C ~ 175°C | 9A | 270pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002DW L6327 | - | ![]() | 3002 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET(금속) | 500mW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 60V | 300mA | 3옴 @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250μA | 0.6nC @ 10V | 20pF @ 25V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4640PBF | - | ![]() | 8316 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IRGP4640 | 기준 | 250W | TO-247AC | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V, 24A, 10옴, 15V | - | 600V | 65A | 72A | 1.9V @ 15V, 24A | 100μJ(켜짐), 600μJ(꺼짐) | 75nC | 40ns/105ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R800CEAUMA1 | 0.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CE | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-344 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 600V | 8.4A(Tc) | 10V | 800m옴 @ 2A, 10V | 170μA에서 3.5V | 17.2nC @ 10V | ±20V | 100V에서 373pF | - | 74W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFZ48NXKMA1 | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | AUIRFZ48N | - | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1800N42TOFXPSA1 | 1.0000 | ![]() | 5367 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 방역 | DO-200AE | T1800N42 | 하나의 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300mA | 4.2kV | 2820A | 2.5V | 41000A @ 50Hz | 300mA | 2490A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1220N28TOFVTXPSA1 | 382.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 클램프 온 | TO-200AC | T1220N28 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 4 | 500mA | 2.8kV | 2625A | 2V | 25000A @ 50Hz | 250mA | 1220A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60N10S4L12ATMA1 | 1.8700 | ![]() | 73 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101, HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IPD60N10 | MOSFET(금속) | PG-TO252-3-313 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500 | N채널 | 100V | 60A(Tc) | 4.5V, 10V | 12m옴 @ 60A, 10V | 2.1V @ 46μA | 49nC @ 10V | ±16V | 3170pF @ 25V | - | 94W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC14D120H8X1SA1 | - | ![]() | 4299 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | 분수 | SIDC14D120 | 기준 | 호일에 최고질 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000481450 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1200V | 1.97V @ 25A | 1200V에서 20μA | -40°C ~ 175°C | 25A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC42D120H6X1SA3 | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 표면 실장 | 분수 | SIDC42D | 기준 | 호일에 최고질 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 1200V | 1.6V @ 75A | 1200V에서 27μA | -55°C ~ 150°C | 75A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI80P03P4L04AKSA1 | - | ![]() | 1106 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI80P | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | P채널 | 30V | 80A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.4m옴 @ 80A, 10V | 2V @ 253μA | 160nC @ 10V | +5V, -16V | 11300pF @ 25V | - | 137W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3504ZTRRPBF | - | ![]() | 6618 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N채널 | 40V | 42A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 42A, 10V | 4V @ 250μA | 45nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1510pF | - | 90W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR2705TRPBF | 0.9700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRLR2705 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 55V | 28A(TC) | 4V, 10V | 40m옴 @ 17A, 10V | 2V @ 250μA | 25nC @ 5V | ±16V | 25V에서 880pF | - | 68W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR523E6327HTSA1 | 0.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR523 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 70 @ 50mA, 5V | 100MHz | 1kΩ | 10kΩ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA08N80C3XKSA1 | 2.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | SPA08N80 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-31 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 8A(TC) | 10V | 650m옴 @ 5.1A, 10V | 470μA에서 3.9V | 60nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1100pF | - | 40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGC75B60KB | - | ![]() | 8782 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | 분수 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | - | NPT | 600V | 75A | 2.1V @ 15V, 75A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR5410TRPBF | 1.7700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR5410 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | P채널 | 100V | 13A(티씨) | 10V | 205m옴 @ 7.8A, 10V | 4V @ 250μA | 58nC @ 10V | ±20V | 25V에서 760pF | - | 66W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T2160N20TOFVTXPSA1 | 988.9400 | ![]() | 2006년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 방역 | DO-200AE | T2160N20 | 하나의 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 2 | 300mA | 2.8kV | 4600A | 3V | 44000A @ 50Hz | 300mA | 2400A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7493TRPBF | 1.6900 | ![]() | 6197 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF7493 | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 80V | 9.3A(Tc) | 10V | 15m옴 @ 5.6A, 10V | 4V @ 250μA | 53nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1510pF | - | 2.5W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1407S | - | ![]() | 9780 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRF1407S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 10V | 7.8m옴 @ 78A, 10V | 4V @ 250μA | 250nC @ 10V | ±20V | 5600pF @ 25V | - | 3.8W(Ta), 200W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL3402 | - | ![]() | 3557 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | *IRL3402 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 20V | 85A(Tc) | 4.5V, 7V | 8m옴 @ 51A, 7V | 250μA에서 700mV(최소) | 78nC @ 4.5V | ±10V | 15V에서 3300pF | - | 110W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | F4150R12KS4BOSA1 | 368.6400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | F4150R12 | 960W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 삼상인버터 | - | 1200V | 180A | 3.75V @ 15V, 150A | 5mA | 예 | 10nF @ 25V |

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