SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 - 최대 현재 -홀드 (ih) (최대) 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
AUIRF4905L Infineon Technologies AUIRF4905L -
RFQ
ECAD 3083 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521094 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 55 v 42A (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 200W (TC)
BA885E6327HTSA1 Infineon Technologies BA885E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3885 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BA885E PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.6pf @ 10V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
IRFR3505PBF Infineon Technologies IRFR3505PBF -
RFQ
ECAD 3518 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 13mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 140W (TC)
T430N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T430N18TOFXPSA1 142.8878
RFQ
ECAD 8212 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AA T430N18 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 18 300 MA 1.8 kV 700 a 2 v 5200A @ 50Hz 200 MA 433 a 1 scr
IRAMS10UP60A Infineon Technologies IRAMS10UP60A -
RFQ
ECAD 8338 0.00000000 인피온 인피온 Imotion ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 23-powersip ip, 19 개의 리드, 형성 된 리드 IGBT 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 3 단계 10 a 600 v 2000VRMS
IPA65R600C6 Infineon Technologies IPA65R600C6 1.0000
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
IRF3710ZSPBF Infineon Technologies IRF3710ZSPBF -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 59A (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 160W (TC)
BA895E6327 Infineon Technologies BA895E6327 0.0400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) SC-80 SCD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.6pf @ 10V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS84PWH6327XTSA1 0.3400
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 150ma, 10V 2V @ 20µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 19.1 pf @ 25 v - 300MW (TA)
SPP04N60S5BKSA1 Infineon Technologies SPP04N60S5BKSA1 -
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP04N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200µA 22.9 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 50W (TC)
AUIRLR014N Infineon Technologies auirlr014n -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518258 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
AUIRF1324S Infineon Technologies AUIRF1324S -
RFQ
ECAD 1535 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518994 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 195a (TC) 10V 1.65mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 7590 pf @ 24 v - 300W (TC)
IRLR7821TRLPBF Infineon Technologies IRLR7821TRLPBF -
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR7821 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001567356 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
T1040N20TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1040N20TOFVTXPSA1 -
RFQ
ECAD 1104 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AC T1040N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 2.2kV 2200 a 2.2 v 21500A @ 50Hz 250 MA 1040 a 1 scr
IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 5.9900
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R080 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 129W (TC)
IPTC019N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC019N10NM5ATMA1 6.5300
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op IPTC019N MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 100 v 31A (TA), 279A (TC) 6V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 210µA 160 nc @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IPD050N10N5ATMA1 Infineon Technologies IPD050N10N5ATMA1 3.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD050 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 80A (TC) 6V, 10V 5MOHM @ 40A, 10V 3.8V @ 84µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 50 v - 150W (TC)
TD251N16KOFHPSA1 Infineon Technologies TD251N16KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 9230 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TD251N16 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 300 MA 1.8 kV 410 a 2 v 9100A @ 50Hz 200 MA 250 a 1 scr, 1 다이오드
BCM856SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCM856SH6327XTSA1 0.1516
RFQ
ECAD 4181 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCM856 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 250MHz
FS35R12W1T4B11BOMA1 Infineon Technologies FS35R12W1T4B11BOMA1 54.2800
RFQ
ECAD 3998 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FS35R12 225 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 65 a 2.25V @ 15V, 35A 1 MA 2 NF @ 25 v
IRLR2905TRPBF Infineon Technologies IRLR2905TRPBF 1.5600
RFQ
ECAD 31 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 4V, 10V 27mohm @ 25a, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFC4227ED Infineon Technologies IRFC4227ED -
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551896 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
IRF840PBF Infineon Technologies IRF840PBF -
RFQ
ECAD 8650 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF1104L Infineon Technologies IRF1104L -
RFQ
ECAD 2235 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1104L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 9mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 170W (TC)
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2 1.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimos®-P2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 85µA 59 NC @ 10 v +5V, -16V 3900 pf @ 25 v - 58W (TC)
IRFSL4610 Infineon Technologies IRFSL4610 -
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL461 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFSL4610 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
IPP65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1 4.4517
RFQ
ECAD 3842 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 700 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
IRF3710L Infineon Technologies IRF3710L -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3710L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 57A (TC) 10V 23mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3130 pf @ 25 v - 200W (TC)
T940N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T940N18TOFXPSA1 210.4022
RFQ
ECAD 5514 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 DO-200AB, B-PUK T940N18 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 9 300 MA 1.8 kV 1759 a 2.2 v 17500A @ 50Hz 250 MA 959 a 1 scr
BSD314SPEL6327 Infineon Technologies BSD314SPEL6327 1.0000
RFQ
ECAD 5563 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ -P 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() PG-SOT363-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.5a, 10V 2V @ 6.3µA 2.9 NC @ 10 v ± 20V 294 pf @ 15 v - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고