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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 - 최대 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | 커패시턴스 @ vr, f | scrs, 수 다이오드 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 @ if, f | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRF4905L | - | ![]() | 3083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521094 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA885E6327HTSA1 | - | ![]() | 3885 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BA885E | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 MA | 0.6pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 50V | 7ohm @ 10ma, 100mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3505PBF | - | ![]() | 3518 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 10V | 13mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 2030 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T430N18TOFXPSA1 | 142.8878 | ![]() | 8212 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | TO-200AA | T430N18 | 하나의 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 18 | 300 MA | 1.8 kV | 700 a | 2 v | 5200A @ 50Hz | 200 MA | 433 a | 1 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRAMS10UP60A | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Imotion ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 23-powersip ip, 19 개의 리드, 형성 된 리드 | IGBT | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 80 | 3 단계 | 10 a | 600 v | 2000VRMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA65R600C6 | 1.0000 | ![]() | 3828 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 650 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3.5V @ 210µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3710ZSPBF | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 10V | 18mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA895E6327 | 0.0400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | SC-80 | SCD-80 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50 MA | 0.6pf @ 10V, 1MHz | 핀 - 단일 | 50V | 7ohm @ 10ma, 100mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84PWH6327XTSA1 | 0.3400 | ![]() | 6582 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 150MA (TA) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 150ma, 10V | 2V @ 20µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 19.1 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP04N60S5BKSA1 | - | ![]() | 6159 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SPP04N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 4.5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200µA | 22.9 NC @ 10 v | ± 20V | 580 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirlr014n | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518258 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 7.9 NC @ 5 v | ± 16V | 265 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF1324S | - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518994 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 24 v | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7590 pf @ 24 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR7821TRLPBF | - | ![]() | 3500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR7821 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001567356 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 65A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10V | 1V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1030 pf @ 15 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1040N20TOFVTXPSA1 | - | ![]() | 1104 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 클램프 클램프 | TO-200AC | T1040N | 하나의 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 300 MA | 2.2kV | 2200 a | 2.2 v | 21500A @ 50Hz | 250 MA | 1040 a | 1 scr | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R080P7ATMA1 | 5.9900 | ![]() | 6618 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R080 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 37A (TC) | 10V | 80mohm @ 11.8a, 10V | 4V @ 590µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2180 pf @ 400 v | - | 129W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPTC019N10NM5ATMA1 | 6.5300 | ![]() | 8970 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 16-Powersop op | IPTC019N | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-16-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 100 v | 31A (TA), 279A (TC) | 6V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 210µA | 160 nc @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD050N10N5ATMA1 | 3.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD050 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 6V, 10V | 5MOHM @ 40A, 10V | 3.8V @ 84µA | 64 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 50 v | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD251N16KOFHPSA1 | - | ![]() | 9230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | TD251N16 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 3 | 300 MA | 1.8 kV | 410 a | 2 v | 9100A @ 50Hz | 200 MA | 250 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCM856SH6327XTSA1 | 0.1516 | ![]() | 4181 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BCM856 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (() | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS35R12W1T4B11BOMA1 | 54.2800 | ![]() | 3998 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPack ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS35R12 | 225 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 65 a | 2.25V @ 15V, 35A | 1 MA | 예 | 2 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR2905TRPBF | 1.5600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR2905 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC4227ED | - | ![]() | 6007 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001551896 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF840PBF | - | ![]() | 8650 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF1104L | - | ![]() | 2235 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF1104L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 9mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA), 170W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50P04P4L11ATMA2 | 1.5800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos®-P2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.6mohm @ 50a, 10V | 2.2V @ 85µA | 59 NC @ 10 v | +5V, -16V | 3900 pf @ 25 v | - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL4610 | - | ![]() | 8877 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFSL461 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFSL4610 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µa | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R110CFDXKSA1 | 4.4517 | ![]() | 3842 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP65R110 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 700 v | 31.2A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V @ 1.3ma | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 100 v | - | 277.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3710L | - | ![]() | 5515 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3710L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 57A (TC) | 10V | 23mohm @ 28a, 10V | 4V @ 250µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T940N18TOFXPSA1 | 210.4022 | ![]() | 5514 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | DO-200AB, B-PUK | T940N18 | 하나의 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 9 | 300 MA | 1.8 kV | 1759 a | 2.2 v | 17500A @ 50Hz | 250 MA | 959 a | 1 scr | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD314SPEL6327 | 1.0000 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ -P 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT363-6-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.5A (TA) | 4.5V, 10V | 140mohm @ 1.5a, 10V | 2V @ 6.3µA | 2.9 NC @ 10 v | ± 20V | 294 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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