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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
IRFR3711ZTRRPBF Infineon Technologies IRFR3711ZTRRPBF -
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 ECAD 8695 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 93A(티씨) 4.5V, 10V 5.7m옴 @ 15A, 10V 2.45V @ 250μA 27nC @ 4.5V ±20V 10V에서 2160pF - 79W(Tc)
T2851N52TS08PRQRXPSA1 Infineon Technologies T2851N52TS08PRQRXPSA1 -
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 ECAD 7769 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 TO-200AF T2851N 하나의 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000539788 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 350mA 5.2kV 4680A 2.5V 82000A @ 50Hz 350mA 4120A 1 SCR
IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies IQE046N08LM5ATMA1 2.8700
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 ECAD 4 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN IQE046 MOSFET(금속) PG-TSON-8-5 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 80V 15.6A(Ta), 99A(Tc) 4.5V, 10V 4.6m옴 @ 20A, 10V 2.3V @ 47μA 38nC @ 10V ±20V 40V에서 3250pF - 2.5W(Ta), 100W(Tc)
BSC0805LSATMA1 Infineon Technologies BSC0805LSATMA1 2.5300
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 ECAD 18 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 5 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC0805 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 79A (Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 40A, 10V 2.3V @ 49μA 20nC @ 4.5V ±20V 50V에서 2700pF - 83W(Tc)
SPP03N60S5HKSA1 Infineon Technologies SPP03N60S5HKSA1 -
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 ECAD 5587 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP03N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 3.2A(Tc) 10V 1.4옴 @ 2A, 10V 135μA에서 5.5V 16nC @ 10V ±20V 25V에서 420pF - 38W(Tc)
BDP947E6327HTSA1 Infineon Technologies BDP947E6327HTSA1 -
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 ECAD 3443 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BDP947 5W PG-SOT223-4-10 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 45V 3A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 200mA, 2A 100 @ 500mA, 1V 100MHz
IMT65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R039M1HXTMA1 -
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 ECAD 3739 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. IMT65R 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2,000
MIC01ABPSA1 Infineon Technologies MIC01ABPSA1 -
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 ECAD 8031 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1
IRF8910GPBF Infineon Technologies IRF8910GPBF -
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 ECAD 4084 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF89 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001570668 EAR99 8541.29.0095 95 2 N채널(듀얼) 20V 10A 13.4m옴 @ 10A, 10V 2.55V @ 250μA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 게임 레벨 레벨
IRF7425 Infineon Technologies IRF7425 -
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 ECAD 2823 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF7425 EAR99 8541.29.0095 95 P채널 20V 15A(타) 2.5V, 4.5V 8.2m옴 @ 15A, 4.5V 1.2V @ 250μA 130nC @ 4.5V ±12V 7980pF @ 15V - 2.5W(타)
SPI07N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPI07N60C3HKSA1 -
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 ECAD 7488 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA SPI07N MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 650V 7.3A(Tc) 10V 600m옴 @ 4.6A, 10V 3.9V @ 350μA 27nC @ 10V ±20V 25V에서 790pF - 83W(Tc)
SIDC09D60E6X1SA3 Infineon Technologies SIDC09D60E6X1SA3 -
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 ECAD 4016 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 분수 SIDC09D60 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.7V @ 20A 150ns 600V에서 27μA -55°C ~ 150°C 20A -
D1230N18TXPSA1 Infineon Technologies D1230N18TXPSA1 127.6300
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 ECAD 3760 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 클램프 온 DO-200AA, A-PUK D1230N18 기준 - 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 12 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1800V 1.063V @ 800A 1800V에서 50mA -40°C ~ 180°C 1230A -
BSZ025N04LSATMA1 Infineon Technologies BSZ025N04LSATMA1 1.6300
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 ECAD 8 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSZ025 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8-FL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 40V 22A(Ta), 40A(Tc) 4.5V, 10V 2.5m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 52nC @ 10V ±20V 3680pF @ 20V - 2.1W(Ta), 69W(Tc)
IRLSL3036PBF Infineon Technologies IRLSL3036PBF -
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 ECAD 7621 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 60V 195A(Tc) 4.5V, 10V 2.4m옴 @ 165A, 10V 2.5V @ 250μA 140nC @ 4.5V ±16V 50V에서 11210pF - 380W(Tc)
IRFS31N20DPBF Infineon Technologies IRFS31N20DPBF -
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 ECAD 3194 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 200V 31A(Tc) 10V 82m옴 @ 18A, 10V 250μA에서 5.5V 107nC @ 10V ±30V 2370pF @ 25V - 3.1W(Ta), 200W(Tc)
IRF9953TRPBF Infineon Technologies IRF9953TRPBF 0.8300
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 ECAD 60 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF995 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 P채널(듀얼) 30V 2.3A 250m옴 @ 1A, 10V 1V @ 250μA 12nC @ 10V 190pF @ 15V -
SPW47N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW47N60C3FKSA1 18.4700
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 ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 SPW47N60 MOSFET(금속) PG-TO247-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 47A (Tc) 10V 70m옴 @ 30A, 10V 3.9V @ 2.7mA 320nC @ 10V ±20V 25V에서 6800pF - 415W(Tc)
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2 1.5800
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 ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS®-P2 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET(금속) PG-TO252-3-313 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 50A(Tc) 4.5V, 10V 10.6m옴 @ 50A, 10V 2.2V @ 85μA 59nC @ 10V +5V, -16V 3900pF @ 25V - 58W(Tc)
IPG20N06S3L-23 Infineon Technologies IPG20N06S3L-23 -
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 ECAD 6688 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN IPG20N MOSFET(금속) 45W PG-TDSON-8-4 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000396304 EAR99 8541.29.0095 5,000 2 N채널(듀얼) 55V 20A 23m옴 @ 16A, 10V 2.2V @ 20μA 42nC @ 10V 2950pF @ 25V 게임 레벨 레벨
IRFR120Z Infineon Technologies IRFR120Z -
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 ECAD 9413 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFR120Z EAR99 8541.29.0095 75 N채널 100V 8.7A(Tc) 10V 190m옴 @ 5.2A, 10V 4V @ 250μA 10nC @ 10V ±20V 310pF @ 25V - 35W(Tc)
BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP92PH6327XTSA1 0.6900
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 ECAD 3380 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BSP92PH6327 MOSFET(금속) PG-SOT223-4 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 250V 260mA(타) 2.8V, 10V 12옴 @ 260mA, 10V 2V @ 130μA 5.4nC @ 10V ±20V 25V에서 104pF - 1.8W(타)
IRF3305PBF Infineon Technologies IRF3305PBF -
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 ECAD 5819 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 75A(Tc) 10V 8m옴 @ 75A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 3650pF @ 25V - 330W(Tc)
2SP0320T2A012NPSA1 Infineon Technologies 2SP0320T2A012NPSA1 -
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 ECAD 2876 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.39.0001 1
SIGC03T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC03T60EX1SA1 -
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 ECAD 4906 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 대부분 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC03 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 0000.00.0000 1 - 트렌치 필드스톱 600V 4A 12A 1.9V @ 15V, 4A - -
AUIRLR3110ZTRL Infineon Technologies AUIRLR3110ZTRL 1.6030
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 ECAD 6724 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 AUIRLR3110 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001516790 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 42A(Tc) 14m옴 @ 38A, 10V 100μA에서 2.5V 48nC @ 4.5V 3980pF @ 25V - 140W(Tc)
BCR185WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR185WE6327BTSA1 -
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 ECAD 6442 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-70, SOT-323 BCR185 250mW PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 70 @ 5mA, 5V 200MHz 10kΩ 47kΩ
94-2989 Infineon Technologies 94-2989 -
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 ECAD 9262 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ48 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 64A(티씨) 10V 14m옴 @ 32A, 10V 4V @ 250μA 81nC @ 10V ±20V 1970pF @ 25V - 3.8W(Ta), 130W(Tc)
IRF5305LPBF Infineon Technologies IRF5305LPBF -
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 ECAD 5812 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IRF5305 MOSFET(금속) TO-262 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001574828 EAR99 8541.29.0095 50 P채널 55V 31A(Tc) 10V 60m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1200pF - 3.8W(Ta), 110W(Tc)
F3L300R12MT4_B23 Infineon Technologies F3L300R12MT4_B23 216.8200
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 ECAD 471 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoDUAL™ 3 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 F3L300 1550W 기준 AG-경제-3 다운로드 EAR99 8541.29.0095 1 머리 다리 컨트롤러 트렌치 필드스톱 1200V 450A 2.1V @ 15V, 300A 1mA 예 19nF @ 25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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