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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 얻다 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
IRFU3418PBF Infineon Technologies IRFU3418PBF -
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ECAD 7533 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) IPAK(TO-251AA) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFU3418PBF EAR99 8541.29.0095 75 N채널 80V 70A(Tc) 10V 14m옴 @ 18A, 10V 250μA에서 5.5V 94nC @ 10V ±20V 3510pF @ 25V - 3.8W(Ta), 140W(Tc)
T2600N18TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2600N18TOFVTXPSA1 806.8200
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ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 135°C (TJ) 방역 TO-200AD T2600N 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2 300mA 1.8kV 4100A 2V 44000A @ 50Hz 250mA 2610A 1 SCR
IPB95R130PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB95R130PFD7ATMA1 4.5503
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ECAD 5463 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 950V 36.5A(Tc) 10V 130m옴 @ 25.1A, 10V 3.5V @ 1.25mA 141nC @ 10V ±20V 4170pF @ 400V - 227W(Tc)
BSO4420 Infineon Technologies BSO4420 -
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ECAD 1976년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) PG-DSO-8 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 7.8m옴 @ 13A, 10V 2V @ 80μA 33.7nC @ 5V ±20V 2213pF @ 25V - 2.5W(타)
IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon Technologies IAUA180N04S5N012AUMA1 3.0100
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ECAD 5 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™-5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 5-PowerSFN IAUA180 MOSFET(금속) PG-HSOF-5-1 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 180A(Tc) 7V, 10V 1.2m옴 @ 90A, 10V 70μA에서 3.4V 100nC @ 10V ±20V 25V에서 6158pF - 125W(Tc)
IRL3103D2STRL Infineon Technologies IRL3103D2STRL -
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ECAD 8624 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 FETKY™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 30V 54A(티씨) 4.5V, 10V 14m옴 @ 32A, 10V - 44nC @ 4.5V ±16V 2300pF @ 25V - -
IRF7404TRPBF Infineon Technologies IRF7404TRPBF 1.0300
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ECAD 54 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF7404 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 20V 6.7A(타) 2.7V, 4.5V 40m옴 @ 3.2A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 50nC @ 4.5V ±12V 15V에서 1500pF - 2.5W(타)
FZ1200R33KF2CNOSA4 Infineon Technologies FZ1200R33KF2CNOSA4 -
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ECAD 8685 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 FZ1200 14500W 기준 - 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 다리를 풀다 - 3300V 2000A 4.25V @ 15V, 1.2kA 12mA 아니요 25V에서 150nF
BFP520FH6327XTSA1 Infineon Technologies BFP520FH6327XTSA1 0.5600
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ECAD 6960 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 4-SMD, 플랫 리드 BFP520 100mW 4-TSFP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 22.5dB 3.5V 40mA NPN 70 @ 20mA, 2V 45GHz 0.95dB @ 1.8GHz
BC 817-40 E6327 Infineon Technologies BC 817-40 E6327 -
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ECAD 4103 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 817년 330mW PG-SOT23 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
SDB06S60 Infineon Technologies SDB06S60 -
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ECAD 3891 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB SDB06S SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO220-3-45 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1,000 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 600V 1.7V @ 6A 0ns 600V에서 200μA -55°C ~ 175°C 6A 300pF @ 0V, 1MHz
BFP640FE6327 Infineon Technologies BFP640FE6327 -
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ECAD 1886년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 4-SMD, 플랫 리드 BFP640 200mW 4-TSFP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 23dB 4.5V 50mA NPN 110 @ 30mA, 3V 40GHz 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IRFR1205TRRPBF Infineon Technologies IRFR1205TRRPBF -
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ECAD 2007년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR1205 MOSFET(금속) D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 55V 44A(Tc) 10V 27m옴 @ 26A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 107W(Tc)
BSM100GD60DLCBDLA1 Infineon Technologies BSM100GD60DLCBDLA1 -
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ECAD 2405 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 BSM100 430W 기준 기준기준 - REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 다리를 풀다 - 600V 130A 2.45V @ 15V, 100A 500μA 아니요 25V에서 4.3nF
SMBT3906SH6327 Infineon Technologies SMBT3906SH6327 0.0700
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ECAD 30 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 250mW PG-SOT363-6-1 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 4,714 40V 200mA 50nA(ICBO) 400mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 250MHz
IRF6618TRPBF Infineon Technologies IRF6618TRPBF -
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ECAD 7765 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 MT IRF6618 MOSFET(금속) DIRECTFET™ MT 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,800 N채널 30V 30A(타), 170A(Tc) 4.5V, 10V 2.2m옴 @ 30A, 10V 2.35V @ 250μA 65nC @ 4.5V ±20V 15V에서 5640pF - 2.8W(Ta), 89W(Tc)
IRFZ46ZL Infineon Technologies IRFZ46ZL -
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ECAD 6886 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFZ46ZL EAR99 8541.29.0095 50 N채널 55V 51A(티씨) 10V 13.6m옴 @ 31A, 10V 4V @ 250μA 46nC @ 10V ±20V 25V에서 1460pF - 82W(Tc)
IPP60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R090CFD7XKSA1 6.8100
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ECAD 4563 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP60R090 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 25A(TC) 10V 90m옴 @ 11.4A, 10V 570μA에서 4.5V 51nC @ 10V ±20V 400V에서 2103pF - 125W(Tc)
T2160N26TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2160N26TOFVTXPSA1 1.0000
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ECAD 8317 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 125°C 방역 DO-200AE T2160N26 하나의 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 2 300mA 2.8kV 4600A 3V 44000A @ 50Hz 300mA 2400A 1 SCR
T571N65TS16XPSA1 Infineon Technologies T571N65TS16XPSA1 1.0000
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ECAD 2193 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 쟁반 활동적인 T571N - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 4
TT104N12KOFAHPSA1 Infineon Technologies TT104N12KOFAHPSA1 -
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ECAD 7813 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 140°C 방역 기준기준 TT104N 전역할 때 - 모든 SCR 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 15 200mA 1.2kV 160A 1.4V 2050A @ 50Hz 120mA 104A SCR 2개
IPI65R150CFD Infineon Technologies IPI65R150CFD 1.4700
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ECAD 17 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS CFD2™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 650V 22.4A(Tc) 10V 150m옴 @ 9.3A, 10V 900μA에서 4.5V 86nC @ 10V ±20V 100V에서 2340pF - 195.3W(Tc)
IPI60R099CP Infineon Technologies IPI60R099CP -
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ECAD 1828년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 활동적인 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1
IPTG025N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG025N10NM5ATMA1 2.8941
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ECAD 2998년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8-PowerSMD, 갈매기 날개 IPTG025N MOSFET(금속) PG-HSOG-8-1 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,800 N채널 100V 27A(타), 206A(Tc) 6V, 10V 2.5m옴 @ 150A 10V 3.8V @ 158μA 120nC @ 10V ±20V 50V에서 8800pF - 3.8W(Ta), 214W(Tc)
ND89N16KHPSA2 Infineon Technologies ND89N16KHPSA2 104.2340
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ECAD 2081 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 방역 기준기준 기준 - - ROHS3 준수 EAR99 8541.30.0080 15 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1600V 1.5V @ 300A 20mA @ 1.6kV 150°C 89A -
BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ086P03NS3GATMA1 0.9400
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ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSZ086 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 13.5A(Ta), 40A(Tc) 6V, 10V 8.6m옴 @ 20A, 10V 3.1V @ 105μA 57.5nC @ 10V ±25V 4785pF @ 15V - 2.1W(Ta), 69W(Tc)
BSC029N025SG Infineon Technologies BSC029N025SG 0.8100
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ECAD 8 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) PG-TDSON-8-1 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 25V 24A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 2.9m옴 @ 50A, 10V 2V @ 80μA 41nC @ 5V ±20V 5090pF @ 15V - 2.8W(Ta), 78W(Tc)
SIDC03D60C8X1SA2 Infineon Technologies SIDC03D60C8X1SA2 -
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ECAD 5547 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 분수 SIDC03 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 600V 1.95V @ 10A 600V에서 27μA -40°C ~ 175°C 10A -
BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies BFR193L3E6327XTMA1 0.5800
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ECAD 3992 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 BFR193 580mW PG-TSLP-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 15,000 12.5dB ~ 19dB 12V 80mA NPN 70 @ 30mA, 8V 8GHz 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
BCR192E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR192E6327HTSA1 0.0517
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ECAD 9466 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR192 200mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 70 @ 5mA, 5V 200MHz 22kΩ 47kΩ
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고