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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 입력 공급자 장치 데이터시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 테스트 조건 자연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환
TD92N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TD92N08KOFHPSA1 -
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 ECAD 2915 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 TD92N - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 15
IRF7105QTRPBF Infineon Technologies IRF7105QTRPBF -
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 ECAD 7150 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) IRF71 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N 및 P 채널 25V 3.5A, 2.3A 100m옴 @ 1A, 10V 3V @ 250μA 27nC @ 10V 330pF @ 15V -
IPP80N03S4L04AKSA1 Infineon Technologies IPP80N03S4L04AKSA1 -
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 ECAD 1508 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP80N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 30V 80A(Tc) 4.5V, 10V 3.7m옴 @ 80A, 10V 2.2V에서 45μA 75nC @ 10V ±16V 5100pF @ 25V - 94W(Tc)
92-0262PBF Infineon Technologies 92-0262PBF -
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 ECAD 7132 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 활동적인 92-0262 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 0000.00.0000 1 -
IPP80N06S2L11AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2L11AKSA2 -
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 ECAD 9875 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP80N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 55V 80A(Tc) 10V 10.7m옴 @ 40A, 10V 2V @ 93μA 80nC @ 10V ±20V 2075pF @ 25V - 158W(Tc)
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC040N10NS5ATMA1 2.9600
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 ECAD 97 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC040 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 100A(Tc) 6V, 10V 4m옴 @ 50A, 10V 3.8V @ 95μA 72nC @ 10V ±20V 5300pF @ 50V - 2.5W(Ta), 139W(Tc)
IKB30N65EH5ATMA1 Infineon Technologies IKB30N65EH5ATMA1 4.2800
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 ECAD 5 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TrenchStop™ 5 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IKB30N65 기준 188W PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 22옴, 15V 75ns 트렌치 필드스톱 650V 55A 90A 2.1V @ 15V, 30A 870μJ(켜짐), 300μJ(꺼짐) 70nC 24ns/159ns
BAT 64-02W E6327 Infineon Technologies 64-02W E6327 -
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 ECAD 6412 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SC-80 BAT64 쇼트키 SCD-80 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 750mV @ 100mA 5ns 30V에서 2μA 150°C(최대) 120mA 6pF @ 1V, 1MHz
IPP80N06S2L09AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2L09AKSA2 -
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 ECAD 5219 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP80N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 55V 80A(Tc) 4.5V, 10V 8.5m옴 @ 52A, 10V 2V @ 125μA 105nC @ 10V ±20V 2620pF @ 25V - 190W(Tc)
BSC060P03NS3EGATMA1 Infineon Technologies BSC060P03NS3EGATMA1 1.2500
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 ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC060 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 P채널 30V 17.7A(Ta), 100A(Tc) 6V, 10V 6m옴 @ 50A, 10V 150μA에서 3.1V 81nC @ 10V ±25V 6020pF @ 15V - 2.5W(Ta), 83W(Tc)
IRG4PC30UPBF Infineon Technologies IRG4PC30UPBF -
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 ECAD 5777 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRG4PC30 기준 100W TO-247AC 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 480V, 12A, 23옴, 15V - 600V 23A 92A 2.1V @ 15V, 12A 160μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) 50nC 17ns/78ns
IRGPC50F Infineon Technologies IRGPC50F -
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 ECAD 2550 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 200W TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 - 600V 70A 1.7V @ 15V, 39A
BAV74 Infineon Technologies BAV74 0.0400
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 ECAD 58 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV74 기준 SOT-23-3 다운로드 RoHS 비준수 EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍의 세션이 시작됩니다 50V 200mA 1V @ 100mA 4ns 50V에서 100nA 150°C(최대)
IRG4CC50WB Infineon Technologies IRG4CC50WB -
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 ECAD 5981 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 분수 IRG4CC 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 - - 600V 2.3V @ 15V, 10A - -
FZ1200R12ME4B11BOSA1 Infineon Technologies FZ1200R12ME4B11BOSA1 811.2600
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 ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 - 2156-FZ1200R12ME4B11BOSA1 1
BC 856BW H6433 Infineon Technologies BC 856BW H6433 -
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 ECAD 8908 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 856년 250mW PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 65V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 220 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF9520NSPBF Infineon Technologies IRF9520NSPBF -
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 ECAD 6663 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001551696 EAR99 8541.29.0095 50 P채널 100V 6.8A(Tc) 10V 480m옴 @ 4A, 10V 4V @ 250μA 27nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 3.8W(Ta), 48W(Tc)
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies FZ1800R12HP4B9HOSA2 1.0000
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 ECAD 4603 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FZ1800 10500W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 스위치 도랑 1200V 2700A 2.05V @ 15V, 1800A 5mA 아니요 25V에서 110nF
IPA50R650CEZKSA2 Infineon Technologies IPA50R650CEZKSA2 -
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 ECAD 7670 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) PG-TO220 풀팩 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1 N채널 500V 9A(타) 13V 650m옴 @ 1.8A, 13V 150μA에서 3.5V 15nC @ 10V ±20V 100V에서 342pF - 27.2W(Tc)
D1230N12TXPSA1 Infineon Technologies D1230N12TXPSA1 -
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 ECAD 3830 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 DO-200AA, A-PUK D1230N12 기준 - 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) 1200V 1.063V @ 800A 1200V에서 50mA -40°C ~ 180°C 1230A -
BTS247ZE3062AATMA1 Infineon Technologies BTS247ZE3062AATMA1 -
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 ECAD 3779 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 TEMPFET® 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-5, D²Pak(4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET(금속) PG-TO263-5-2 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 55V 33A(티씨) 4.5V, 10V 18m옴 @ 12A, 10V 2V @ 90μA 90nC @ 10V ±20V 1950pF @ 25V - 120W(Tc)
SGW20N60 Infineon Technologies SGW20N60 2.4800
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 ECAD 5 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 179W PG-TO247-3-21 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 122 400V, 20A, 16옴, 15V NPT 600V 40A 80A 2.4V @ 15V, 20A 440μJ(켜짐), 330μJ(꺼짐) 100nC 36ns/225ns
ACCESSORY34031NOSA1 Infineon Technologies 액세서리34031NOSA1 -
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 ECAD 9377 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 액세서리3 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-액세서리34031NOSA1 EAR99 8542.39.0001 1
IRFP7537PBF Infineon Technologies IRFP7537PBF 3.5000
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 ECAD 366 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET®, StrongIRFET™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IRFP7537 MOSFET(금속) TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 N채널 60V 172A(Tc) 6V, 10V 3.3m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.7V 210nC @ 10V ±20V 25V에서 7020pF - 230W(Tc)
BSS139IXTMA1 Infineon Technologies BSS139IXTMA1 -
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 ECAD 8470 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS139 MOSFET(금속) PG-SOT23-3-5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 250V 100mA(타) 0V, 10V 14옴 @ 100mA, 10V 1V @ 56μA 2.3nC @ 5V ±20V 25V에서 60pF - 360mW(타)
IRG4BC15UD-LPBF Infineon Technologies IRG4BC15UD-LPBF -
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 ECAD 8850 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA 기준 49W TO-262 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 480V, 7.8A, 75옴, 15V 28ns - 600V 14A 42A 2.4V @ 15V, 7.8A 240μJ(켜짐), 260μJ(꺼짐) 23nC 17ns/160ns
BAW56WE6327 Infineon Technologies BAW56WE6327 -
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 ECAD 4805 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAW56 기준 SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 구역 80V 200mA(DC) 1.25V @ 150mA 4ns 70V에서 150nA 150°C(최대)
SIGC25T60SNCX1SA1 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX1SA1 -
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 ECAD 2011년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 SIGC25 기준 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 더 이상 사용하지 않는 경우 1 400V, 30A, 11옴, 15V NPT 600V 30A 90A 2.5V @ 15V, 30A - 44ns/324ns
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ900N20NS3GATMA1 2.1700
보상요청
 ECAD 818 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSZ900 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 200V 15.2A(Tc) 10V 90m옴 @ 7.6A, 10V 30μA에서 4V 11.6nC @ 10V ±20V 100V에서 920pF - 62.5W(Tc)
IRLU3717PBF Infineon Technologies IRLU3717PBF -
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 ECAD 7850 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) 아이팩 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 20V 120A(Tc) 4.5V, 10V 4m옴 @ 15A, 10V 2.45V @ 250μA 31nC @ 4.5V ±20V 2830pF @ 10V - 89W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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