SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 얻다 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
BCR08PNH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR08PNH6327XTSA1 0.0975
RFQ
ECAD 4156 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR08 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 170MHz 2.2kohms 47kohms
D121K18BXPSA1 Infineon Technologies D121K18BXPSA1 -
RFQ
ECAD 1417 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 D121K 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1800 v 20 ma @ 1800 v -40 ° C ~ 180 ° C 210A -
IPA60R600P7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600P7XKSA1 1.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R600 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 80µa 9 NC @ 10 v ± 20V 363 pf @ 400 v - 21W (TC)
BCR 192 B6327 Infineon Technologies BCR 192 B6327 -
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 192 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 30,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 22 KOHMS 47 Kohms
BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies BFS17PE6327HTSA1 0.0578
RFQ
ECAD 2342 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFS17 280MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25MA NPN 40 @ 2MA, 1V 1.4GHz 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1 3.5088
RFQ
ECAD 3833 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 750 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 480µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1942 pf @ 400 v - 186W (TC)
BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR148E6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 100MHz 47 Kohms 47 Kohms
D2450N07TXPSA1 Infineon Technologies D2450N07TXPSA1 244.1244
RFQ
ECAD 9418 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK D2450N07 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 9 700 v 880 mv @ 2000 a 50 ma @ 700 v -40 ° C ~ 180 ° C 2450a -
BC 817-40 E6327 Infineon Technologies BC 817-40 E6327 -
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 817 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 170MHz
BCR 114T E6327 Infineon Technologies BCR 114T E6327 -
RFQ
ECAD 1421 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 114 250 MW PG-SC75-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 160MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
BFP620H7764XTSA1 Infineon Technologies BFP620H7764XTSA1 0.7200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 BFP620 185MW PG-SOT343-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 21.5dB 2.8V 80ma NPN 110 @ 50MA, 1.5V 65GHz 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
BCR185WE6327BTSA1 Infineon Technologies BCR185WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 BCR185 250 MW PG-SOT323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 70 @ 5MA, 5V 200MHz 10 KOHMS 47 Kohms
BBY5103WE6327HTSA1 Infineon Technologies BBY5103WE6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 bby51 PG-SOD323-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 3.7pf @ 4V, 1MHz 하나의 7 v 2.2 C1/C4 -
BCR141SH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR141SH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6636 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 BCR141 250MW PG-SOT363-PO 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 130MHz 22kohms 22kohms
IMIC41V07X6SA1 Infineon Technologies imic41v07x6sa1 -
RFQ
ECAD 6905 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 imic41 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001583524 0000.00.0000 1
IRG7PH30K10PBF Infineon Technologies irg7ph30k10pbf -
RFQ
ECAD 1297 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 irg7ph 기준 210 W. TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001537520 귀 99 8541.29.0095 25 600V, 9A, 22OHM, 15V 도랑 1200 v 33 a 27 a 2.35V @ 15V, 9A 530µJ (on), 380µJ (OFF) 45 NC 14ns/110ns
IPA70R450P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R450P7SXKSA1 1.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA70R450 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 2.3a, 10V 3.5V @ 120µA 13.1 NC @ 400 v ± 16V 424 pf @ 400 v - 22.7W (TC)
IDH10S60CAKSA1 Infineon Technologies IDH10S60CAKSA1 -
RFQ
ECAD 2049 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 IDH10S60 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to220-2-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 600 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 140 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 480pf @ 1v, 1MHz
BCR 519 E6327 Infineon Technologies BCR 519 E6327 -
RFQ
ECAD 6541 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 519 330 MW PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 120 @ 50MA, 5V 100MHz 4.7 Kohms
SPP80N10L Infineon Technologies SPP80N10L -
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 58a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRGS6B60KTRLPBF Infineon Technologies irgs6b60ktrlpbf -
RFQ
ECAD 5624 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRGS6B60 기준 90 W. D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 5A, 100ohm, 15V NPT 600 v 13 a 26 a 2.2V @ 15V, 5A 110µJ (on), 135µJ (OFF) 18.2 NC 25NS/215NS
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC098N10NS5ATMA1 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC098 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 60A (TC) 6V, 10V 9.8mohm @ 30a, 10V 3.8V @ 36µA 28 nc @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 50 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IKD04N60RAATMA1 Infineon Technologies IKD04N60RAATMA1 -
RFQ
ECAD 7332 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 75 w PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 43OHM, 15V 43 ns 도랑 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A 90µJ (on), 150µJ (OFF) 27 NC 14ns/146ns
IPP16CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP16CN10NGXKSA1 1.7500
RFQ
ECAD 124 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP16CN10 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 53A (TC) 10V 16.5mohm @ 53a, 10V 4V @ 61µA 48 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 50 v - 100W (TC)
IPP60R180P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R180P7XKSA1 2.8400
RFQ
ECAD 2603 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R180 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001606038 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 180mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 280µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1081 pf @ 400 v - 72W (TC)
IPP45P03P4L11AKSA1 Infineon Technologies IPP45P03P4L11AKSA1 -
RFQ
ECAD 9041 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP45P MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 30 v 45A (TC) 4.5V, 10V 11.1MOHM @ 45A, 10V 2V @ 85µA 55 NC @ 10 v +5V, -16V 3770 pf @ 25 v - 58W (TC)
T1590N24TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T1590N24TOFVTXPSA1 -
RFQ
ECAD 8440 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 DO-200AD T1590N 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 2.8kV 3200 a 3 v 32000a @ 50Hz 300 MA 1590 a 1 scr
IGCM06G60GAXKMA1 Infineon Technologies IGCM06G60GAXKMA1 8.8794
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 인피온 인피온 CIPOS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 24-powerdip ip (1.028 ", 26.10mm) IGBT IGCM06 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 280 3 단계 6 a 600 v 2000VRMS
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon Technologies IFCM20T65GDXKMA1 15.4800
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 인피온 인피온 CIPOS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 24-powerdip ip (1.028 ", 26.10mm) IGBT IFCM20 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 14 2 단계 20 a 650 v 2000VRMS
IDW24G65C5BXKSA2 Infineon Technologies IDW24G65C5BXKSA2 12.2500
RFQ
ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 IDW24G65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 240 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 12 a 0 ns 190 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 360pf @ 1v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고