RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
IPD60R400CEAUMA1	1.4600	RFQ	15	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-2	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		600 v	14.7A (TC)	10V	400mohm @ 3.8a, 10V	3.5V @ 300µA	32 NC @ 10 v	± 20V	700 pf @ 100 v	-	112W (TC)
IRFU13N20DPBF	-	RFQ	7605	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			MOSFET (금속 (()			IPAK (TO-251AA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		200 v	13A (TC)	10V	235mohm @ 8a, 10V	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 v	± 30V	830 pf @ 25 v	-	110W (TC)
IRL3502	-	RFQ	8930	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRL3502	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		20 v	110A (TC)	4.5V, 7V	7mohm @ 64a, 7v	700mv @ 250µa (최소)	110 NC @ 4.5 v	± 10V	4700 pf @ 15 v	-	140W (TC)
irg7ph42ud1pbf	-	RFQ	4271	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg7ph	기준		313 w		TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001544966	귀 99	8541.29.0095	25				600V, 30A, 10ohm, 15V																		도랑	1200 v	85 a	200a	2V @ 15V, 30A	1.21mj (OFF)	180 NC	-/270ns
IRLR3705ZTRPBF	1.7700	RFQ	1754	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR3705		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널		55 v	42A (TC)	4.5V, 10V	8mohm @ 42a, 10V	3V @ 250µA	66 NC @ 5 v	± 16V	2900 pf @ 25 v	-	130W (TC)
IHY15N120R3XKSA1	-	RFQ	4300	인피온 인피온	TrenchStop®	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3 7	IHY15	기준		254 w		PG-to247HC-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	280				600V, 15A, 14.6OHM, 15V																		도랑	1200 v	30 a	45 a	1.7V @ 15V, 15a	700µJ (OFF)	165 NC	-/300ns
IRLS3034-7PPBF	-	RFQ	3923	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB			MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		40 v	240A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 200a, 10V	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 v	± 20V	10990 pf @ 40 v	-	380W (TC)
irf6648tr1pbf	-	RFQ	5251	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 Mn			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ Mn	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		60 v	86A (TC)	10V	7mohm @ 17a, 10V	4.9V @ 150µA	50 nc @ 10 v	± 20V	2120 pf @ 25 v	-	2.8W (TA), 89W (TC)
D3041N58TXPSA1	-	RFQ	8170	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는		섀시 섀시	do-200ae	D3041N48		기준			-	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		짐													5800 v	1.7 V @ 4000 a		100 ma @ 5800 v	-40 ° C ~ 160 ° C	4090a	-
IAUZ40N10S5L120ATMA1	0.6886	RFQ	6955	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn			MOSFET (금속 (()			PG-TSDSON-8-33	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널		100 v	46A (TJ)	4.5V, 10V	12MOHM @ 20A, 10V	27µa @ 2.2v	22.6 NC @ 10 v	± 20V	1589 pf @ 50 v	-	62W (TC)
IRLR8721PBF	-	RFQ	8037	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75			n 채널		30 v	65A (TC)	4.5V, 10V	8.4mohm @ 25a, 10V	2.35V @ 25µA	13 nc @ 4.5 v	± 20V	1030 pf @ 15 v	-	65W (TC)
BCR08PNB6327XT	-	RFQ	4117	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCR08			250MW		PG-SOT363-PO	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	30,000																							50V	100ma						-			1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중)	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
IRG4BC20KPBF	-	RFQ	6841	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준		60 W.		TO-220AB	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50				480V, 9A, 50ohm, 15V																		-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V, 9A	150µJ (on), 250µJ (OFF)	34 NC	28ns/150ns
IRFZ48VPBF	-	RFQ	2424	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널		60 v	72A (TC)	10V	12MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	1985 pf @ 25 v	-	150W (TC)
IPP50N10S3L16AKSA1	-	RFQ	2811	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP50N		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널		100 v	50A (TC)	4.5V, 10V	15.7mohm @ 50a, 10V	2.4V @ 60µA	64 NC @ 10 v	± 20V	4180 pf @ 25 v	-	100W (TC)
IRLB3813PBF	1.8700	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRLB3813		MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		30 v	260A (TC)	4.5V, 10V	1.95mohm @ 60a, 10V	2.35V @ 150µA	86 NC @ 4.5 v	± 20V	8420 pf @ 15 v	-	230W (TC)
BSS138WH6327XTSA1	0.4200	RFQ	1384	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BSS138		MOSFET (금속 (()			PG-SOT323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			n 채널		60 v	280MA (TA)	4.5V, 10V	3.5ohm @ 200ma, 10V	1.4V @ 26µA	1.5 nc @ 10 v	± 20V	43 pf @ 25 v	-	500MW (TA)
IGOT60R070D1AUMA1	-	RFQ	6771	인피온 인피온	Coolgan ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	20-Powersoic (0.433 ", 11.00mm 너비)	igot60		Ganfet ((갈륨)			PG-DSO-20-87	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널		600 v	31A (TC)	-	-	1.6V @ 2.6ma		-10V	380 pf @ 400 v	-	125W (TC)
IDWD15G120C5XKSA1	10.8400	RFQ	240	인피온 인피온	Coolsic ™+	튜브	활동적인		구멍을 구멍을	TO-247-2	IDWD15		SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky			PG-to247-2	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	SP001687164	귀 99	8541.10.0080	30		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)													1200 v	1.65 V @ 15 a	0 ns	124 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	49a	1050pf @ 1v, 1MHz
IRF9910TRPBF-1	-	RFQ	8641	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF99		MOSFET (금속 (()	2W (TA)		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)				20V	10A (TA), 12A (TA)		13.4mohm @ 10a, 10v, 9.3mohm @ 12a, 10v	2.55V @ 250µA	11nc @ 4.5v, 23nc @ 4.5v		900pf @ 10V, 1860pf @ 10V	-
IPD12CN10NGATMA1	2.5000	RFQ	4	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD12CN10		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		100 v	67A (TC)	10V	12.4mohm @ 67a, 10V	4V @ 83µA	65 nc @ 10 v	± 20V	4320 pf @ 50 v	-	125W (TC)
IPWS65R022CFD7AXKSA1	19.3402	RFQ	5159	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IPWS65R		MOSFET (금속 (()			PG-to247-3-31	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	240			n 채널		650 v	96A (TC)	10V	22mohm @ 58.2a, 10V	4.5V @ 2.91ma	234 NC @ 10 v	± 30V	11659 pf @ 400 v	-	446W (TC)
irg7u50hf12a	-	RFQ	3670	인피온 인피온	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	Powir® 34 4	irg7U			310 w	기준	Powir® 34	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	20	반 반																					-	1200 v	100 a		2V @ 15V, 50A				1 MA	아니요	6 nf @ 25 v
IPD60R360P7SE8228AUMA1	1.1600	RFQ	2	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		600 v	9A (TC)	10V	360mohm @ 2.7a, 10V	4V @ 140µA	13 nc @ 10 v	± 20V	555 pf @ 400 v	-	41W (TC)
irlr8743trlpbf	-	RFQ	2419	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001568702	귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		30 v	160A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 25a, 10V	2.35V @ 100µa	59 NC @ 4.5 v	± 20V	4880 pf @ 15 v	-	135W (TC)
IPD50R500CEATMA1	-	RFQ	8908	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD50R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널		500 v	7.6A (TC)	13V	500mohm @ 2.3a, 13v	3.5V @ 200µA	18.7 NC @ 10 v	± 20V	433 PF @ 100 v	-	57W (TC)
IRLBA1304	-	RFQ	3020	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-273AA	IRLBA130		MOSFET (금속 (()			Super-220 ™ (TO-273AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRLBA1304	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널		40 v	185A (TC)	4.5V, 10V	4mohm @ 110a, 10V	1V @ 250µA	140 nc @ 4.5 v	± 16V	7660 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPN70R450P7SATMA1	1.0100	RFQ	1	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	IPN70R450		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널		700 v	10A (TC)	10V	450mohm @ 2.3a, 10V	3.5V @ 120µA	13.1 NC @ 10 v	± 16V	424 pf @ 400 v	-	7.1W (TC)
IPA034N08NM5SXKSA1	-	RFQ	1304	인피온 인피온	-	튜브	활동적인	-			IPA034		-				-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			-			-	-	-	-		-		-	-
IPT65R033G7XTMA1	19.6600	RFQ	2	인피온 인피온	Coolmos ™ C7	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn	IPT65R033		MOSFET (금속 (()			PG-HSOF-8-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널		650 v	69A (TC)	10V	33mohm @ 28.9a, 10V	4V @ 1.44ma	110 NC @ 10 v	± 20V	5000 pf @ 400 v	-	391W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²