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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	빈도	기술	전원 - 최대	구조	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 현재 (amp)	현재 -홀드 (ih) (최대)	테스트 테스트	현재 - 테스트	전원 - 출력	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	노이즈 노이즈	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	전압 - 테스트	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
auirls3036-7p	-	RFQ	5986	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)				MOSFET (금속 (()				D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							60 v	240A (TC)	4.5V, 10V	1.9mohm @ 180a, 10V	2.5V @ 250µA	160 nc @ 4.5 v	± 16V	11270 pf @ 50 v	-	380W (TC)
BSP299L6327HUSA1	-	RFQ	5728	인피온 인피온	SIPMOS®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (금속 (()				PG-SOT223-4-21	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							500 v	400MA (TA)	10V	4ohm @ 400ma, 10V	4V @ 1MA		± 20V	400 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IRF9540NLPBF	2.8600	RFQ	928	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRF9540			MOSFET (금속 (()				TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			p 채널							100 v	23A (TC)	10V	117mohm @ 14a, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	1450 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 110W (TC)
irg4pc30kpbf	-	RFQ	1209	인피온 인피온	-	가방	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	IRG4PC30	기준			100 W.			TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	400						480V, 16A, 23OHM, 15V																															-	600 v	28 a	58 a	2.7V @ 15V, 16A	360µJ (on), 510µJ (OFF)	67 NC	26ns/130ns
BFR460L3E6327XTMA1	0.5100	RFQ	12	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-101, SOT-883	BFR460				200MW			PG-TSLP-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000									16db																													5.8V	50ma										NPN	90 @ 20MA, 3V	22GHz	1.1db ~ 1.35db @ 1.8ghz ~ 3GHz
BFP740H6327XTSA1	0.6500	RFQ	19	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-82A, SOT-343	BFP740				160MW			PG-SOT343-4-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000									27dB																													4.7V	30ma										NPN	160 @ 25MA, 3V	42GHz	0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
IPL60R210P6AUMA1	3.4400	RFQ	3	인피온 인피온	Coolmos ™ P6	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-powertsfn	IPL60R210			MOSFET (금속 (()				PG-VSON-4	다운로드	Rohs3 준수	2A (4 주)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			n 채널							600 v	19.2A (TC)	10V	210mohm @ 7.6a, 10V	4.5V @ 630µA	37 NC @ 10 v	± 20V	1750 pf @ 100 v	-	151W (TC)
AUIRFS3006	-	RFQ	3576	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001521196	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							60 v	195a (TC)	10V	2.5mohm @ 170a, 10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 v	± 20V	8970 pf @ 50 v	-	375W (TC)
PTFA261301F v1	-	RFQ	6289	인피온 인피온	Goldmos®	쟁반	쓸모없는	65 v		표면 표면	2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지			2.68GHz	LDMOS				H-31260-2	다운로드		3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1				10µA			1.4 a	130W	13.5dB																	-																			28 v
IPS65R1K5CEAKMA1	-	RFQ	3880	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	튜브	쓸모없는		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	IPS65R			MOSFET (금속 (()				TO-251	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널							650 v	3.1A (TC)	10V	1.5ohm @ 1a, 10V	3.5V @ 100µA	10.5 nc @ 10 v	± 20V	225 pf @ 100 v	-	28W (TC)
ETT540N22P60HPSA1	312.3400	RFQ	2	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 135 ° C (TC)	섀시 섀시	기준 기준	ETT540					시리즈 시리즈 - 연결 scr			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2					300 MA															2.2kV	700 a	2.2 v	16300A @ 50Hz	250 MA	542 a											2 scrs
DD800S33K2CNOSA1	-	RFQ	5695	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	기준 기준				기준				A-IHV130-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2		짐																									2 독립	3300 v	-	3.5 V @ 800 a		1100 A @ 1800 v	-40 ° C ~ 125 ° C
FZ1800R12HP4B9HOSA2	1.0000	RFQ	4603	인피온 인피온	IHM-B	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FZ1800				10500 w		기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	단일 단일																																				도랑	1200 v	2700 a		2.05V @ 15V, 1800A					5 MA	아니요	110 NF @ 25 v
SPD30N03S2L-07	-	RFQ	3057	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	spd30n			MOSFET (금속 (()				PG-to252-3-11	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							30 v	30A (TC)	4.5V, 10V	6.7mohm @ 30a, 10V	2V @ 85µA	68 NC @ 10 v	± 20V	2530 pf @ 25 v	-	136W (TC)
BSC884N03MSG	0.3500	RFQ	14	인피온 인피온	최적화 ™	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn				MOSFET (금속 (()				PG-TDSON-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널							34 v	17A (TA), 85A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 30a, 10V	2V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	2700 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 50W (TC)
IRF7341QTRPBF	-	RFQ	8867	인피온 인피온	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF734			MOSFET (금속 (()	2.4W			도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)									55V	5.1A		50mohm @ 5.1a, 10V	1V @ 250µA (Min)	44NC @ 10V		780pf @ 25V	논리 논리 게이트
TZ800N14KOFHPSA3	560.8900	RFQ	1070	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TZ800N14					하나의			다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1					500 MA															1.4kV	1500 a	2 v	35000A @ 50Hz	250 MA	819 a											1 scr
D4810N22TVFXPSA1	868.1100	RFQ	2	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인			섀시 섀시	do-200ae	D4810N22			기준				-	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2		짐																										2200 v		1.078 V @ 4000 a		200 ma @ 2200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	4810a	-
IRFS3507	-	RFQ	7504	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFS3507	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							75 v	97A (TC)	10V	8.8mohm @ 58a, 10V	4V @ 100µa	130 NC @ 10 v	± 20V	3540 pf @ 50 v	-	190W (TC)
IPI90R1K0C3	0.9800	RFQ	11	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA				MOSFET (금속 (()				PG-to262-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널							900 v	5.7A (TC)	10V	1ohm @ 3.3a, 10V	3.5V @ 370µA		± 20V	850 pf @ 100 v	-	89W (TC)
IDC08S60CEX1SA2	-	RFQ	4755	인피온 인피온	Coolsic ™+	대부분	쓸모없는			표면 표면	주사위	IDC08S60			SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky				주사위	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000599932	귀 99	8541.10.0080	1		복구 복구 복구 없음> 500ma (io)																										600 v		1.7 V @ 8 a	0 ns	100 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 175 ° C	8a	310pf @ 1v, 1MHz
irfs4010trlpbf	3.8000	RFQ	52	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFS4010			MOSFET (금속 (()				D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널							100 v	180A (TC)	10V	4.7mohm @ 106a, 10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 v	± 20V	9575 pf @ 50 v	-	375W (TC)
IPD65R650CEAUMA1	1.1000	RFQ	2	인피온 인피온	Coolmos ™ CE	테이프 & tr (TR)	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD65R650			MOSFET (금속 (()				PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널							650 v	7A (TC)	10V	650mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210µA	23 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 100 v	-	86W (TC)
IPB120N06S4H1ATMA1	-	RFQ	7318	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB120N			MOSFET (금속 (()				PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널							60 v	120A (TC)	10V	2.1MOHM @ 100A, 10V	4V @ 200µA	270 nc @ 10 v	± 20V	21900 pf @ 25 v	-	250W (TC)
BAS4004E6433HTMA1	0.4200	RFQ	38	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS4004			Schottky				PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도																									1 연결 연결 시리즈	40 v	120MA (DC)	1 v @ 40 ma	100 ps	1 µa @ 30 v	150 ° C (°)
IRF7102	-	RFQ	4981	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는			표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF71			MOSFET (금속 (()	2W			도 8-	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	95	2 n 채널 (채널)									50V	2A		300mohm @ 1.5a, 10V	3V @ 250µA	6.6NC @ 10V		120pf @ 25V	-
SPI80N03S2L-03	-	RFQ	5570	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	SPI80N			MOSFET (금속 (()				PG-to262-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널							30 v	80A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 80a, 10V	2V @ 250µA	220 NC @ 10 v	± 20V	8180 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IRFB7734PBF	2.6800	RFQ	6	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB7734			MOSFET (금속 (()				TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널							75 v	183A (TC)	6V, 10V	3.5mohm @ 100a, 10V	3.7V @ 250µA	270 nc @ 10 v	± 20V	10150 pf @ 25 v	-	290W (TC)
IGB15N65S5ATMA1	2.2300	RFQ	1	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인					IGB15N65								다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000
IM241S6T2BAKMA1	10.0600	RFQ	719	인피온 인피온	IM241, CIPOS ™	튜브	활동적인		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을		IM241S6				9 w		기준	23-DIP	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	15	3 단계 인버터																																				-	600 v			1.78V @ 15V, 500MA						예

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²