SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 역 역 시간 (TRR) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
FF1800R12IE5BPSA1 Infineon Technologies FF1800R12IE5BPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3+ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF1800 20 MW 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1800 a 2.15V @ 15V, 1800A 5 MA 98.5 NF @ 25 v
IRF7321D2TRPBF Infineon Technologies IRF7321D2TRPBF -
RFQ
ECAD 6162 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 62mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
BB565E7902 Infineon Technologies BB565E7902 -
RFQ
ECAD 5640 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-80 SCD-80 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.2pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 11 C1/C28 -
IPW60R165CPFKSA1 Infineon Technologies IPW60R165CPFKSA1 6.7600
RFQ
ECAD 228 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R165 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 165mohm @ 12a, 10V 3.5V @ 790µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 100 v - 192W (TC)
FF225R12ME4BOSA1 Infineon Technologies FF225R12ME4BOSA1 150.6400
RFQ
ECAD 7524 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF225R12 1050 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 320 a 2.15V @ 15V, 225A 3 MA 13 nf @ 25 v
IRFB3307 Infineon Technologies IRFB3307 -
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB3307 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 130A (TC) 10V 6.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 180 NC @ 10 v ± 20V 5150 pf @ 50 v - 250W (TC)
IPP80R1K2P7 Infineon Technologies IPP80R1K2P7 0.6800
RFQ
ECAD 980 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1
IRFC4227ED Infineon Technologies IRFC4227ED -
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001551896 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
SPS01N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS01N60C3BKMA1 0.4300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 800ma (TC) 10V 6ohm @ 500ma, 10V 3.9V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 100 pf @ 25 v - 11W (TC)
IPD50P04P4L11ATMA2 Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2 1.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimos®-P2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 85µA 59 NC @ 10 v +5V, -16V 3900 pf @ 25 v - 58W (TC)
BBY 57-02V E6327 Infineon Technologies BBY 57-02V E6327 -
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BBY 57 PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 5.5pf @ 4V, 1MHz 하나의 10 v 4.5 C1/C4 -
IPP65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1 4.4517
RFQ
ECAD 3842 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R110 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 700 v 31.2A (TC) 10V 110mohm @ 12.7a, 10V 4.5V @ 1.3ma 118 NC @ 10 v ± 20V 3240 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
TZ500N12KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ500N12KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 8235 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TZ500N12 하나의 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 300 MA 1.2kV 1050 a 2.2 v 17a @ 50Hz 250 MA 669 a 1 scr
IHW30N135R5XKSA1 Infineon Technologies IHW30N135R5XKSA1 4.7700
RFQ
ECAD 122 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IHW30N135 기준 330 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 600V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 1350 v 60 a 90 a 1.95V @ 15V, 30A 1.4mj (OFF) 235 NC -/310NS
BBY66-05WH6327 Infineon Technologies BBY66-05WH6327 -
RFQ
ECAD 7995 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000
IRLR7821TRRPBF Infineon Technologies IRLR7821TRRPBF -
RFQ
ECAD 3992 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
IRLU3714PBF Infineon Technologies irlu3714pbf -
RFQ
ECAD 4038 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 4.5 v ± 20V 670 pf @ 10 v - 47W (TC)
BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS84PWH6327XTSA1 0.3400
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 150ma, 10V 2V @ 20µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 19.1 pf @ 25 v - 300MW (TA)
IRFSL4610 Infineon Technologies IRFSL4610 -
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFSL461 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFSL4610 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
BB669 Infineon Technologies BB669 0.0200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.9pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 20.9 C1/C28 -
94-2355PBF Infineon Technologies 94-2355pbf -
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 50 - 4V, 10V ± 16V
BCR 146T E6327 Infineon Technologies BCR 146T E6327 -
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75, SOT-416 BCR 146 250 MW PG-SC-75 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 70 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 50 @ 5MA, 5V 150MHz 47 Kohms 22 KOHMS
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies IPP014N06NF2SAKMA2 3.8100
RFQ
ECAD 345 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-U05 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 39A (TA), 198a (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.3V @ 246µA 305 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
IRLR7821TRLPBF Infineon Technologies IRLR7821TRLPBF -
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR7821 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001567356 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 5.9900
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R080 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 129W (TC)
IRLZ44NSTRRPBF Infineon Technologies irlz44nstrrpbf -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552954 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 47A (TC) 4V, 10V 25A, 25A, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRFR2607ZPBF Infineon Technologies IRFR2607ZPBF -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001567472 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10V 4V @ 50µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRF7748L1TRPBF Infineon Technologies IRF7748L1TRPBF -
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L6 IRF7748 MOSFET (금속 (() DirectFet L6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 28A (TA), 148A (TC) 10V 2.2MOHM @ 89A, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 8075 pf @ 50 v - 3.3W (TA), 94W (TC)
IRG4PC40UD-EPBF Infineon Technologies IRG4PC40UD-EPBF -
RFQ
ECAD 9517 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4PC40 기준 160 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 480V, 20A, 10ohm, 15V 42 ns - 600 v 40 a 160 a 2.1V @ 15V, 20A 710µJ (on), 350µJ (OFF) 100 NC 54ns/110ns
BSL205NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL205NH6327XTSA1 -
RFQ
ECAD 6552 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 BSL205 MOSFET (금속 (() 500MW PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001100646 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 2.5A 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 11µA 3.2NC @ 4.5V 419pf @ 10V 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고