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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 - 최대	테스트 테스트	현재의	전압	전압 - 분리	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	저항 @ if, f	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
IM323M6G2XKMA1	11.1600	RFQ	7105	인피온 인피온	CIPOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다		구멍을 구멍을	26-powerdip ip (1.043 ", 26.50mm)	IGBT	IM323M6						-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	240	3 상 인버터					10 a	600 v	2000VRMS
IPD050N10N5ATMA1	3.0500	RFQ	2	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		IPD050		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널						100 v	80A (TC)	6V, 10V	5MOHM @ 40A, 10V	3.8V @ 84µA	64 NC @ 10 v	± 20V	4700 pf @ 50 v	-	150W (TC)
AUIRFS8407-7TRL	4.2900	RFQ	800	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)		AUIRF8407		MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널						40 v	240A (TC)	10V	1.3mohm @ 100a, 10V	3.9V @ 150µA	225 NC @ 10 v	± 20V	7437 pf @ 25 v	-	231W (TC)
FD300R07PE4B6BOSA1	246.2433	RFQ	9622	인피온 인피온	Econopack ™ 4	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	기준 기준		FD300R07			940 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	6	3 단계 인버터																									트렌치 트렌치 정지	650 v	300 a	1.95V @ 15V, 300A						1 MA	예	18.5 nf @ 25 v
DD380N16AHPSA1	229.0200	RFQ	3	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		섀시 섀시	기준 기준		DD380N16		기준			기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3		짐																	2 독립	1600 v	380a	1.4 v @ 1500 a	25 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
AUIRF4905L	-	RFQ	3083	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262				MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001521094	귀 99	8541.29.0095	1,000			p 채널						55 v	42A (TC)	10V	20mohm @ 42a, 10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 v	± 20V	3500 pf @ 25 v	-	200W (TC)
BCM856SH6327XTSA1	0.1516	RFQ	4181	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BCM856			250MW		PG-SOT363-PO	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											65V	100ma							15NA (ICBO)				2 PNP (()	650MV @ 5MA, 100MA	200 @ 2mA, 5V	250MHz
IRF5850TR	-	RFQ	4759	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6		IRF58		MOSFET (금속 (()	960MW		6TSOP	다운로드	rohs 비준수가	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001564468	귀 99	8541.21.0095	3,000	2 p 채널 (채널)								20V	2.2A		135mohm @ 2.2a, 4.5v	1.2V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		320pf @ 15V	논리 논리 게이트
BC857BE6327HTSA1	0.3600	RFQ	34	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BC857			330 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											45 v	100 MA							15NA (ICBO)				PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	250MHz
auirls8409-7p	-	RFQ	7052	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)		auirls8409		MOSFET (금속 (()			PG-to263-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001521838	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널						40 v	240A (TC)	4.5V, 10V	0.75mohm @ 100a, 10V	2.4V @ 250µA	266 NC @ 4.5 v	± 16V	16488 pf @ 25 v	-	375W (TC)
BCW 66G E6327	-	RFQ	8911	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BCW 66			330 MW		PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											45 v	800 MA							20NA (ICBO)				NPN	450MV @ 50MA, 500MA	160 @ 100MA, 1V	170MHz
IPA65R600C6	1.0000	RFQ	3828	인피온 인피온	Coolmos ™	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩				MOSFET (금속 (()			PG-to220-3-111	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1			n 채널						650 v	7.3A (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 210µA	23 nc @ 10 v	± 20V	440 pf @ 100 v	-	28W (TC)
BA885E6327HTSA1	-	RFQ	3885	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)		TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		BA885E					PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000				50 MA																					0.6pf @ 10V, 1MHz								핀 - 단일	50V				7ohm @ 10ma, 100mhz
AUIRF1324S	-	RFQ	1535	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001518994	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널						24 v	195a (TC)	10V	1.65mohm @ 195a, 10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 v	± 20V	7590 pf @ 24 v	-	300W (TC)
BCR141SH6327	-	RFQ	9891	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		표면 표면	6-VSSOP, SC-88, SOT-363		BCR141			250MW		PG-SOT363-6-1	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1																											50V	100ma							100NA (ICBO)				2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	50 @ 5MA, 5V	130MHz	22kohms	22kohms
IRF3707ZCSPBF	-	RFQ	2282	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF3707ZCSPBF	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널						30 v	59A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 21a, 10V	2.25V @ 25µA	15 nc @ 4.5 v	± 20V	1210 pf @ 15 v	-	57W (TC)
IRAMX30TP60A-2	-	RFQ	4830	인피온 인피온	Imotion ™	튜브	쓸모없는		구멍을 구멍을	23-powersip ip, 19 개의 리드, 형성 된 리드	IGBT							다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001535430	귀 99	8542.39.0001	80	3 단계					30 a	600 v	2000VRMS
IRFB42N20DPBF	-	RFQ	5948	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3				MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널						200 v	44A (TC)	10V	55mohm @ 26a, 10V	5.5V @ 250µA	140 NC @ 10 v	± 30V	3430 pf @ 25 v	-	2.4W (TA), 330W (TC)
irfr3910trpbf	1.3400	RFQ	12	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		IRFR3910		MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널						100 v	16A (TC)	10V	115mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	44 NC @ 10 v	± 20V	640 pf @ 25 v	-	79W (TC)
FZ1800R16KF4NOSA1	-	RFQ	7646	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준					11000 W.	기준	-	-						0000.00.0000	1	3 독립																									-	1600 v	1800 a	-						12 MA	아니요
IPB120N04S302ATMA1	-	RFQ	9594	인피온 인피온	Optimos®	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널						40 v	120A (TC)	10V	2.3mohm @ 80a, 10V	4V @ 230µA	210 nc @ 10 v	± 20V	14300 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IQE220N15NM5CGSCATMA1	1.5191	RFQ	9714	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	활동적인											-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	448-IQE220N15NM5CGSCATMA1TR			6,000
IRG6S320UPBF	-	RFQ	7420	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		IRG6S320	기준		114 w		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001533800	귀 99	8541.29.0095	50					196V, 12a, 10ohm																					도랑	330 v	50 a	1.65V @ 15V, 24A	-	46 NC	24ns/89ns
FS75R12KE3GBOSA1	186.7800	RFQ	7084	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준		FS75R12			355 w	기준	기준 기준	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	3 단계 인버터																									-	1200 v	100 a	2.15V @ 15V, 75A						5 MA	예	5.3 NF @ 25 v
IRF3315STRLPBF	-	RFQ	3506	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB				MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널						150 v	21A (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 94W (TC)
FZ2000R33HE4BOSA1	2.0000	RFQ	10	인피온 인피온	IHM-B	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		FZ2000			4.2 MW	기준	AG-IHVB190-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	단일 단일																									트렌치 트렌치 정지	3300 v	2000 a	2.2V @ 15V, 2KA (유형)						5 MA	아니요	280 NF @ 25 v
FF1800R23IE7BPSA1	2.0000	RFQ	2	인피온 인피온	Primepack ™ 3+ b	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		FF1800R				기준	ag-prime3+	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			8541.29.0095	2	2 독립																									-	2300 v	1800 a	2.26V @ 15V, 1.8KA						30 MA	아니요	420 NF @ 25 v
BC857BWE6327	0.0200	RFQ	333	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323		BC857			250 MW		PG-SOT323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											45 v	100 MA							15NA (ICBO)				PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	250MHz
FZ1200R33KF2CNOSA2	-	RFQ	8083	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준		FZ1200			14500 w	기준	-	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	전체 전체																									-	3300 v	2000 a	4.25V @ 15V, 1.2KA						12 MA	아니요	150 NF @ 25 v
IPB80N06S2H5ATMA1	-	RFQ	1711	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		IPB80N		MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널						55 v	80A (TC)	10V	5.2mohm @ 80a, 10V	4V @ 230µA	155 NC @ 10 v	± 20V	4400 pf @ 25 v	-	300W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²