SIC
close
영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 그들 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 전류 - 유지(Ih)(최대) 현재 - 테스트 전력 - 출력 얻다 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) 모델 지수 SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 전압 - 테스트 - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
DDB6U180N16RR Infineon Technologies DDB6U180N16RR -
보상요청
ECAD 2421 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 기준기준 515W 기준 기준기준 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 더블 브레이크 초퍼 트렌치 필드스톱 1200V 140A 2.2V @ 15V, 100A 1mA 아니요 25V에서 6.3nF
SPP100N03S2-03 Infineon Technologies SPP100N03S2-03 -
보상요청
ECAD 1865년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 SPP100N MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 30V 100A(Tc) 10V 3.3m옴 @ 80A, 10V 4V @ 250μA 150nC @ 10V ±20V 25V에서 7020pF - 300W(Tc)
IRF3704ZCLPBF Infineon Technologies IRF3704ZCLPBF -
보상요청
ECAD 7489 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 20V 67A (Tc) 4.5V, 10V 7.9m옴 @ 21A, 10V 2.55V @ 250μA 13nC @ 4.5V ±20V 1220pF @ 10V - 57W(Tc)
IPI032N06N3GE8214AKSA1 Infineon Technologies IPI032N06N3GE8214AKSA1 -
보상요청
ECAD 6516 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI032N MOSFET(금속) PG-TO262-3-1 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 60V 120A(Tc) 10V 3.2m옴 @ 100A, 10V 4V @ 118μA 165nC @ 10V ±20V 30V에서 13000pF - 188W(Tc)
BCR133E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR133E6433HTMA1 0.0495
보상요청
ECAD 9471 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 130MHz 10kΩ 10kΩ
IRFH7107TR2PBF Infineon Technologies IRFH7107TR2PBF -
보상요청
ECAD 9544 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 75V 14A(Ta), 75A(Tc) 8.5m옴 @ 45A, 10V 4V @ 100μA 72nC @ 10V 3110pF @ 25V -
IRF5305PBF Infineon Technologies IRF5305PBF 1.7200
보상요청
ECAD 44 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IRF5305 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 P채널 55V 31A(Tc) 10V 60m옴 @ 16A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1200pF - 110W(Tc)
IRFR1205TRR Infineon Technologies IRFR1205TRR -
보상요청
ECAD 8149 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IRFR1205 MOSFET(금속) D-박 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 55V 44A(Tc) 10V 27m옴 @ 26A, 10V 4V @ 250μA 65nC @ 10V ±20V 25V에서 1300pF - 107W(Tc)
TZ425N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TZ425N08KOFHPSA1 -
보상요청
ECAD 7882 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C 방역 기준기준 TZ425N 하나의 다운로드 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 3 300mA 800V 800A 1.5V 14500A @ 50Hz 250mA 510A 1 SCR
IRL2910STRRPBF Infineon Technologies IRL2910STRRPBF 2.6968
보상요청
ECAD 2390 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRL2910 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 55A(Tc) 26m옴 @ 29A, 10V 2V @ 250μA 140nC @ 5V 3700pF @ 25V -
BC818K40E6327HTSA1 Infineon Technologies BC818K40E6327HTSA1 0.0493
보상요청
ECAD 7129 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC818 500mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 25V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
BCP52-16 Infineon Technologies BCP52-16 0.0400
보상요청
ECAD 7597 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 1.4W SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.29.0075 1,128 60V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 50MHz
IRFS38N20DTRRP Infineon Technologies IRFS38N20DTRRP -
보상요청
ECAD 1722년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001565034 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 200V 43A(Tc) 10V 54m옴 @ 26A, 10V 5V @ 250μA 91nC @ 10V ±20V 2900pF @ 25V - 3.8W(Ta), 300W(Tc)
IRF7501TR Infineon Technologies IRF7501TR -
보상요청
ECAD 7557 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) IRF7501 MOSFET(금속) 1.25W 마이크로8™ 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 2 N채널(듀얼) 20V 2.4A 135m옴 @ 1.7A, 4.5V 250μA에서 700mV 8nC @ 4.5V 260pF @ 15V 게임 레벨 레벨
BCW67BE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW67BE6327HTSA1 0.0662
보상요청
ECAD 7930 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW67 330mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 32V 800mA 20nA(ICBO) PNP 700mV @ 50mA, 500mA 160 @ 100mA, 1V 200MHz
PTF080101S V1 Infineon Technologies PTF080101S V1 -
보상요청
ECAD 7761 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 나비모스® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 65V 표면 실장 H-32259-2 960MHz LDMOS H-32259-2 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 1μA 150mA 10W 18.5dB - 28V
IPC60R380E6X7SA1 Infineon Technologies IPC60R380E6X7SA1 -
보상요청
ECAD 8232 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 IPC60R - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001418066 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1 -
BFR 360L3 E6327 Infineon Technologies BFR 360L3 E6327 -
보상요청
ECAD 2648 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. 150°C (TJ) 표면 실장 SC-101, SOT-883 BFR 360 210mW PG-TSLP-3-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 15,000 11.5dB ~ 16dB 9V 35mA NPN 90 @ 15mA, 3V 14GHz 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
IRLR8113PBF Infineon Technologies IRLR8113PBF -
보상요청
ECAD 7931 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001576962 EAR99 8541.29.0095 75 N채널 30V 94A(티씨) 4.5V, 10V 6m옴 @ 15A, 10V 2.25V @ 250μA 32nC @ 4.5V ±20V 2920pF @ 15V - 89W(Tc)
IPU09N03LB G Infineon Technologies IPU09N03LBG -
보상요청
ECAD 7354 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA IPU09N MOSFET(금속) PG-TO251-3-21 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,500 N채널 30V 50A(Tc) 4.5V, 10V 9.3m옴 @ 50A, 10V 2V @ 20μA 13nC @ 5V ±20V 15V에서 1600pF - 58W(Tc)
AUIRFS4010-7TRL Infineon Technologies AUIRFS4010-7TRL 4.4141
보상요청
ECAD 4085 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) MOSFET(금속) D2PAK(7리드) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001518838 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 100V 190A(Tc) 4m옴 @ 110A, 10V 4V @ 250μA 230nC @ 10V 50V에서 9830pF - 380W(Tc)
IPP60R600CPXKSA1 Infineon Technologies IPP60R600CPXKSA1 -
보상요청
ECAD 3140 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP60R MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 N채널 600V 6.1A(Tc) 10V 600m옴 @ 3.3A, 10V 220μA에서 3.5V 27nC @ 10V ±20V 100V에서 550pF - 60W(Tc)
IPB47N10SL26ATMA1 Infineon Technologies IPB47N10SL26ATMA1 -
보상요청
ECAD 2155 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 SIPMOS® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB47N MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 47A (Tc) 4.5V, 10V 26m옴 @ 33A, 10V 2V @ 2mA 135nC @ 10V ±20V 2500pF @ 25V - 175W(Tc)
IPP60R210CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R210CFD7XKSA1 3.2700
보상요청
ECAD 500 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CFD7 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IPP60R210 MOSFET(금속) PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 600V 12A(TC) 10V 210m옴 @ 4.9A, 10V 240μA에서 4.5V 23nC @ 10V ±20V 400V에서 1015pF - 64W(Tc)
IPA50R380CE Infineon Technologies IPA50R380CE -
보상요청
ECAD 4249 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 IPA50R MOSFET(금속) PG-TO220-FP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 500V 9.9A(Tc) 13V 380m옴 @ 3.2A, 13V 3.5V @ 260μA 24.8nC @ 10V ±20V 100V에서 584pF - 29.2W(Tc)
BSC005N03LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC005N03LS5ATMA1 2.6400
보상요청
ECAD 9 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) PG-TDSON-8 FL 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 30V 42A(Ta), 433A(Tc) 4.5V, 10V 0.55m옴 @ 50A, 10V 2V @ 250μA 122nC @ 10V ±20V 15V에서 8900pF - 3W(Ta), 188W(Tc)
IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies IRF7413ZTRPBF 0.9100
보상요청
ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF7413 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 30V 13A(타) 4.5V, 10V 10m옴 @ 13A, 10V 2.25V @ 25μA 14nC @ 4.5V ±20V 1210pF @ 15V - 2.5W(타)
IRFH7934TR2PBF Infineon Technologies IRFH7934TR2PBF -
보상요청
ECAD 2412 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 8파워TDFN MOSFET(금속) 8-PQFN(5x6) 다운로드 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 400 N채널 30V 24A(Ta), 76A(Tc) 3.5m옴 @ 24A, 10V 50μA에서 2.35V 30nC @ 4.5V 3100pF @ 15V -
IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies IRFS4620TRLPBF 2.4900
보상요청
ECAD 32 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4620 MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 N채널 200V 24A(TC) 10V 77.5m옴 @ 15A, 10V 100μA에서 5V 38nC @ 10V ±20V 50V에서 1710pF - 144W(Tc)
IPB260N06N3G Infineon Technologies IPB260N06N3G -
보상요청
ECAD 9984 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™3 대부분 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 N채널 60V 27A (Tc) 10V 25.7m옴 @ 27A, 10V 4V @ 11μA 15nC @ 10V ±20V 30V에서 1200pF - 36W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고