| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 전압 - 정격 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 그들 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | FET 종류 | 내구성 인증(암페어) | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 현재 - 테스트 | 전력 - 출력 | 얻다 | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 모델 지수 | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 전압 - 테스트 | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 저항기 - 리프(R1) | 저항기 - 이터레이터(R2) | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DDB6U180N16RR | - | ![]() | 2421 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | 기준기준 | 515W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 더블 브레이크 초퍼 | 트렌치 필드스톱 | 1200V | 140A | 2.2V @ 15V, 100A | 1mA | 아니요 | 25V에서 6.3nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP100N03S2-03 | - | ![]() | 1865년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SPP100N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 10V | 3.3m옴 @ 80A, 10V | 4V @ 250μA | 150nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7020pF | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3704ZCLPBF | - | ![]() | 7489 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 20V | 67A (Tc) | 4.5V, 10V | 7.9m옴 @ 21A, 10V | 2.55V @ 250μA | 13nC @ 4.5V | ±20V | 1220pF @ 10V | - | 57W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI032N06N3GE8214AKSA1 | - | ![]() | 6516 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI032N | MOSFET(금속) | PG-TO262-3-1 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 60V | 120A(Tc) | 10V | 3.2m옴 @ 100A, 10V | 4V @ 118μA | 165nC @ 10V | ±20V | 30V에서 13000pF | - | 188W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR133E6433HTMA1 | 0.0495 | ![]() | 9471 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR133 | 200mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50V | 100mA | 100nA(ICBO) | NPN - 사전 바이어스됨 | 500μA, 10mA에서 300mV | 30 @ 5mA, 5V | 130MHz | 10kΩ | 10kΩ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7107TR2PBF | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 75V | 14A(Ta), 75A(Tc) | 8.5m옴 @ 45A, 10V | 4V @ 100μA | 72nC @ 10V | 3110pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF5305PBF | 1.7200 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IRF5305 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P채널 | 55V | 31A(Tc) | 10V | 60m옴 @ 16A, 10V | 4V @ 250μA | 63nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1200pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR1205TRR | - | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR1205 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 55V | 44A(Tc) | 10V | 27m옴 @ 26A, 10V | 4V @ 250μA | 65nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1300pF | - | 107W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TZ425N08KOFHPSA1 | - | ![]() | 7882 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -40°C ~ 125°C | 방역 | 기준기준 | TZ425N | 하나의 | 다운로드 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 3 | 300mA | 800V | 800A | 1.5V | 14500A @ 50Hz | 250mA | 510A | 1 SCR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL2910STRRPBF | 2.6968 | ![]() | 2390 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRL2910 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 55A(Tc) | 26m옴 @ 29A, 10V | 2V @ 250μA | 140nC @ 5V | 3700pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC818K40E6327HTSA1 | 0.0493 | ![]() | 7129 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC818 | 500mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 25V | 500mA | 100nA(ICBO) | NPN | 700mV @ 50mA, 500mA | 250 @ 100mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP52-16 | 0.0400 | ![]() | 7597 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 1.4W | SOT-223 | 다운로드 | ROHS3 준수 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,128 | 60V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS38N20DTRRP | - | ![]() | 1722년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001565034 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 200V | 43A(Tc) | 10V | 54m옴 @ 26A, 10V | 5V @ 250μA | 91nC @ 10V | ±20V | 2900pF @ 25V | - | 3.8W(Ta), 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7501TR | - | ![]() | 7557 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | IRF7501 | MOSFET(금속) | 1.25W | 마이크로8™ | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 2.4A | 135m옴 @ 1.7A, 4.5V | 250μA에서 700mV | 8nC @ 4.5V | 260pF @ 15V | 게임 레벨 레벨 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW67BE6327HTSA1 | 0.0662 | ![]() | 7930 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 마지막 구매 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW67 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 32V | 800mA | 20nA(ICBO) | PNP | 700mV @ 50mA, 500mA | 160 @ 100mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTF080101S V1 | - | ![]() | 7761 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 나비모스® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 65V | 표면 실장 | H-32259-2 | 960MHz | LDMOS | H-32259-2 | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 1μA | 150mA | 10W | 18.5dB | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R380E6X7SA1 | - | ![]() | 8232 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | IPC60R | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001418066 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR 360L3 E6327 | - | ![]() | 2648 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-101, SOT-883 | BFR 360 | 210mW | PG-TSLP-3-1 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 15,000 | 11.5dB ~ 16dB | 9V | 35mA | NPN | 90 @ 15mA, 3V | 14GHz | 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR8113PBF | - | ![]() | 7931 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001576962 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 30V | 94A(티씨) | 4.5V, 10V | 6m옴 @ 15A, 10V | 2.25V @ 250μA | 32nC @ 4.5V | ±20V | 2920pF @ 15V | - | 89W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPU09N03LBG | - | ![]() | 7354 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | IPU09N | MOSFET(금속) | PG-TO251-3-21 | 다운로드 | 3(168시간) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,500 | N채널 | 30V | 50A(Tc) | 4.5V, 10V | 9.3m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 20μA | 13nC @ 5V | ±20V | 15V에서 1600pF | - | 58W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4010-7TRL | 4.4141 | ![]() | 4085 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | D2PAK(7리드) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001518838 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 190A(Tc) | 4m옴 @ 110A, 10V | 4V @ 250μA | 230nC @ 10V | 50V에서 9830pF | - | 380W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R600CPXKSA1 | - | ![]() | 3140 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP60R | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 600V | 6.1A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 3.3A, 10V | 220μA에서 3.5V | 27nC @ 10V | ±20V | 100V에서 550pF | - | 60W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB47N10SL26ATMA1 | - | ![]() | 2155 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB47N | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 100V | 47A (Tc) | 4.5V, 10V | 26m옴 @ 33A, 10V | 2V @ 2mA | 135nC @ 10V | ±20V | 2500pF @ 25V | - | 175W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R210CFD7XKSA1 | 3.2700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP60R210 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 12A(TC) | 10V | 210m옴 @ 4.9A, 10V | 240μA에서 4.5V | 23nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1015pF | - | 64W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA50R380CE | - | ![]() | 4249 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA50R | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 500V | 9.9A(Tc) | 13V | 380m옴 @ 3.2A, 13V | 3.5V @ 260μA | 24.8nC @ 10V | ±20V | 100V에서 584pF | - | 29.2W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSC005N03LS5ATMA1 | 2.6400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 30V | 42A(Ta), 433A(Tc) | 4.5V, 10V | 0.55m옴 @ 50A, 10V | 2V @ 250μA | 122nC @ 10V | ±20V | 15V에서 8900pF | - | 3W(Ta), 188W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7413ZTRPBF | 0.9100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | IRF7413 | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 13A(타) | 4.5V, 10V | 10m옴 @ 13A, 10V | 2.25V @ 25μA | 14nC @ 4.5V | ±20V | 1210pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7934TR2PBF | - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8파워TDFN | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | 2(1년) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N채널 | 30V | 24A(Ta), 76A(Tc) | 3.5m옴 @ 24A, 10V | 50μA에서 2.35V | 30nC @ 4.5V | 3100pF @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4620TRLPBF | 2.4900 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS4620 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 200V | 24A(TC) | 10V | 77.5m옴 @ 15A, 10V | 100μA에서 5V | 38nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1710pF | - | 144W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB260N06N3G | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™3 | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 60V | 27A (Tc) | 10V | 25.7m옴 @ 27A, 10V | 4V @ 11μA | 15nC @ 10V | ±20V | 30V에서 1200pF | - | 36W(Tc) |

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