SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IMT65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R072M1HXTMA1 -
RFQ
ECAD 6743 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 IMT65R - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2,000
IRFP4127PBF Infineon Technologies IRFP4127PBF 6.0800
RFQ
ECAD 1033 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP4127 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566148 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 200 v 75A (TC) 10V 21mohm @ 44a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 50 v - 341W (TC)
FP25R12KS4CBPSA1 Infineon Technologies FP25R12KS4CBPSA1 158.4580
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP25R12 230 w 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 - 1200 v 40 a 3.7V @ 15V, 25A 5 MA 1.5 nf @ 25 v
FF1700XTR17IE5DBPSA1 Infineon Technologies FF1700XTR17IE5DBPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2
IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies IGO60R042D1AUMA2 16.1506
RFQ
ECAD 2406 0.00000000 인피온 인피온 Coolgan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 20-Powersoic (0.433 ", 11.00mm 너비) Ganfet ((갈륨) PG-DSO-20-85 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 - 600 v - - - - - - -
IPA80R1K4CEXKSA1 Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA1 -
RFQ
ECAD 1591 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA80R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2.8A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.3a, 10V 3.9V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 100 v - 31W (TC)
BFP 650F E6327 Infineon Technologies BFP 650F E6327 -
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 BFP 650 500MW 4-TSFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 11dB ~ 21.5dB 4.5V 150ma NPN 110 @ 80MA, 3V 42GHz 0.8db ~ 1.9db @ 1.8ghz ~ 6GHz
BSP88L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP88L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7375 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP88 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 2.8V, 4.5V 6ohm @ 350ma, 10V 1.4V @ 108µA 6.8 NC @ 10 v ± 20V 95 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
IPI084N06L3GXKSA1 Infineon Technologies IPI084N06L3GXKSA1 -
RFQ
ECAD 5765 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI084N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.4mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 34µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 4900 pf @ 30 v - 79W (TC)
IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies IPD90N06S407ATMA2 1.6600
RFQ
ECAD 54 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 10V 6.9mohm @ 90a, 10V 4V @ 40µA 56 NC @ 10 v ± 20V - 79W (TC)
BAV 70W H6327 Infineon Technologies BAV 70W H6327 0.0400
RFQ
ECAD 78 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bav 70 기준 SOT-323 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,194 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 v 150 ° C (°)
IRFZ48NPBF Infineon Technologies IRFZ48NPBF 1.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFZ48 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 64A (TC) 10V 14mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 1970 pf @ 25 v - 130W (TC)
BSO200P03SNTMA1 Infineon Technologies BSO200P03SNTMA1 -
RFQ
ECAD 4711 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.4A (TA) 10V 20mohm @ 9.1a, 10V 1.5V @ 100µa 54 NC @ 10 v ± 25V 2330 pf @ 25 v - 1.56W (TA)
IRGS4615DPBF Infineon Technologies IRGS4615DPBF -
RFQ
ECAD 2161 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 99 w D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 8A, 47ohm, 15V 60 ns - 600 v 23 a 24 a 1.85V @ 15V, 8A 70µJ (on), 145µJ (OFF) 19 NC 30ns/95ns
BCR555E6433 Infineon Technologies BCR555E6433 0.0600
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR555 330 MW PG-SOT23-3-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,792 50 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 70 @ 50MA, 5V 150MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
IRG4PC30WPBF Infineon Technologies irg4pc30wpbf -
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 인피온 인피온 - 가방 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRG4PC30 기준 100 W. TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 480v, 12a, 23ohm, 15v - 600 v 23 a 92 a 2.7V @ 15V, 12a 130µJ (on), 130µJ (OFF) 51 NC 25ns/99ns
IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies IPD50N03S4L06ATMA1 0.5518
RFQ
ECAD 8228 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 20µA 31 NC @ 10 v ± 16V 2330 pf @ 25 v - 56W (TC)
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R017CFD7XTMA1 21.6400
RFQ
ECAD 5709 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ65 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 650 v 136A (TC) 10V 17mohm @ 61.6a, 10V 4.5V @ 3.08ma 236 NC @ 10 v ± 20V 12338 pf @ 400 v - 694W (TC)
FS100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FS100R12KT4B11BOSA1 -
RFQ
ECAD 8697 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS100R12 515 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 6.3 NF @ 25 v
BAT5402LRHE6327XTSA1 Infineon Technologies BAT5402LRHE6327XTSA1 0.5200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-882 BAT5402 Schottky PG-TSLP-2-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
IRLR3717PBF Infineon Technologies IRLR3717PBF -
RFQ
ECAD 8789 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 20V 2830 pf @ 10 v - 89W (TC)
IRF7306QTRPBF Infineon Technologies IRF7306QTRPBF -
RFQ
ECAD 9083 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.6a 100mohm @ 1.8a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 10V 440pf @ 25V -
IIPC63S4N08X2SA2 Infineon Technologies IIPC63S4N08X2SA2 -
RFQ
ECAD 2158 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IIPC63S4 - 쓸모없는 1
94-3316 Infineon Technologies 94-3316 -
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 2A (TA) 140mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 10 v 230 pf @ 25 v -
FF225R65T3E3P3BPMA1 Infineon Technologies FF225R65T3E3P3BPMA1 1.0000
RFQ
ECAD 5847 0.00000000 인피온 인피온 XHP ™ 3 쟁반 활동적인 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF225R65 1000 w 기준 Ag-XHP3K65 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 트렌치 트렌치 정지 5900 v 225 a 3.4V @ 15V, 225A 5 MA 아니요 65.6 NF @ 25 v
AUIRFS3006 Infineon Technologies AUIRFS3006 -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521196 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 195a (TC) 10V 2.5mohm @ 170a, 10V 4V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 20V 8970 pf @ 50 v - 375W (TC)
IPC60R070CFD7X7SA1 Infineon Technologies IPC60R070CFD7X7SA1 -
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - - - IPC60 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IAUC60N04S6N031HATMA1 Infineon Technologies IAUC60N04S6N031HATMA1 2.5900
RFQ
ECAD 5217 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IAUC60 MOSFET (금속 (() 75W (TC) PG-TDSON-8-56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널 교량) 40V 60A (TJ) 3.1mohm @ 30a, 10V 3V @ 25µA 30NC @ 10V 1922pf @ 25v -
FP25R12W1T7B3BPSA1 Infineon Technologies FP25R12W1T7B3BPSA1 61.1000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 인피온 인피온 EasyPIM ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP25R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Easy1b - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 25 a - 5.6 µA 4.77 NF @ 25 v
IRGS4620DPBF Infineon Technologies IRGS4620DPBF -
RFQ
ECAD 8517 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 140 W. D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 12a, 22ohm, 15V 68 ns - 600 v 32 a 36 a 1.85V @ 15V, 12A 75µJ (on), 225µJ (OFF) 25 NC 31ns/83ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고