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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
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![]() | IMT65R072M1HXTMA1 | - | ![]() | 6743 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | IMT65R | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP4127PBF | 6.0800 | ![]() | 1033 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP4127 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001566148 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 75A (TC) | 10V | 21mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 50 v | - | 341W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12KS4CBPSA1 | 158.4580 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 마지막으로 마지막으로 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP25R12 | 230 w | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Econo2b | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 3 단계 인버터 | - | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V, 25A | 5 MA | 예 | 1.5 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF1700XTR17IE5DBPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGO60R042D1AUMA2 | 16.1506 | ![]() | 2406 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolgan ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 20-Powersoic (0.433 ", 11.00mm 너비) | Ganfet ((갈륨) | PG-DSO-20-85 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | - | 600 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA80R1K4CEXKSA1 | - | ![]() | 1591 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA80R | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 2.8A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2.3a, 10V | 3.9V @ 240µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP 650F E6327 | - | ![]() | 8020 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 리드 | BFP 650 | 500MW | 4-TSFP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 11dB ~ 21.5dB | 4.5V | 150ma | NPN | 110 @ 80MA, 3V | 42GHz | 0.8db ~ 1.9db @ 1.8ghz ~ 6GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP88L6327HTSA1 | - | ![]() | 7375 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP88 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 350MA (TA) | 2.8V, 4.5V | 6ohm @ 350ma, 10V | 1.4V @ 108µA | 6.8 NC @ 10 v | ± 20V | 95 pf @ 25 v | - | 1.7W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI084N06L3GXKSA1 | - | ![]() | 5765 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI084N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.4mohm @ 50a, 10V | 2.2V @ 34µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4900 pf @ 30 v | - | 79W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD90N06S407ATMA2 | 1.6600 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 10V | 6.9mohm @ 90a, 10V | 4V @ 40µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV 70W H6327 | 0.0400 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | Bav 70 | 기준 | SOT-323 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 7,194 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 200MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 v | 150 ° C (°) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFZ48NPBF | 1.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFZ48 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 64A (TC) | 10V | 14mohm @ 32a, 10V | 4V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 1970 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO200P03SNTMA1 | - | ![]() | 4711 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 7.4A (TA) | 10V | 20mohm @ 9.1a, 10V | 1.5V @ 100µa | 54 NC @ 10 v | ± 25V | 2330 pf @ 25 v | - | 1.56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS4615DPBF | - | ![]() | 2161 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 99 w | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 8A, 47ohm, 15V | 60 ns | - | 600 v | 23 a | 24 a | 1.85V @ 15V, 8A | 70µJ (on), 145µJ (OFF) | 19 NC | 30ns/95ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR555E6433 | 0.0600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR555 | 330 MW | PG-SOT23-3-3 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 4,792 | 50 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 2.5ma, 50ma | 70 @ 50MA, 5V | 150MHz | 2.2 Kohms | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4pc30wpbf | - | ![]() | 6914 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 가방 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRG4PC30 | 기준 | 100 W. | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 480v, 12a, 23ohm, 15v | - | 600 v | 23 a | 92 a | 2.7V @ 15V, 12a | 130µJ (on), 130µJ (OFF) | 51 NC | 25ns/99ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N03S4L06ATMA1 | 0.5518 | ![]() | 8228 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 2.2V @ 20µA | 31 NC @ 10 v | ± 16V | 2330 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPDQ65R017CFD7XTMA1 | 21.6400 | ![]() | 5709 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 22-powerbsop op | IPDQ65 | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-22-1 | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 750 | n 채널 | 650 v | 136A (TC) | 10V | 17mohm @ 61.6a, 10V | 4.5V @ 3.08ma | 236 NC @ 10 v | ± 20V | 12338 pf @ 400 v | - | 694W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS100R12KT4B11BOSA1 | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EconoPack ™ 2 | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FS100R12 | 515 w | 기준 | 기준 기준 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 100 a | 2.1V @ 15V, 100A | 1 MA | 아니요 | 6.3 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT5402LRHE6327XTSA1 | 0.5200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-882 | BAT5402 | Schottky | PG-TSLP-2-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | 150 ° C (°) | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLR3717PBF | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 20 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 31 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2830 pf @ 10 v | - | 89W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7306QTRPBF | - | ![]() | 9083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF73 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 3.6a | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250µA | 25NC @ 10V | 440pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IIPC63S4N08X2SA2 | - | ![]() | 2158 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IIPC63S4 | - | 쓸모없는 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 94-3316 | - | ![]() | 3726 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRLL014 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 80 | n 채널 | 55 v | 2A (TA) | 140mohm @ 2a, 10V | 2V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | 230 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF225R65T3E3P3BPMA1 | 1.0000 | ![]() | 5847 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | XHP ™ 3 | 쟁반 | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF225R65 | 1000 w | 기준 | Ag-XHP3K65 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3 | 2 독립 | 트렌치 트렌치 정지 | 5900 v | 225 a | 3.4V @ 15V, 225A | 5 MA | 아니요 | 65.6 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS3006 | - | ![]() | 3576 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521196 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 10V | 2.5mohm @ 170a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8970 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R070CFD7X7SA1 | - | ![]() | 2965 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | - | - | - | IPC60 | - | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC60N04S6N031HATMA1 | 2.5900 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IAUC60 | MOSFET (금속 (() | 75W (TC) | PG-TDSON-8-56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널 교량) | 40V | 60A (TJ) | 3.1mohm @ 30a, 10V | 3V @ 25µA | 30NC @ 10V | 1922pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP25R12W1T7B3BPSA1 | 61.1000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | EasyPIM ™ | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FP25R12 | 20 MW | 3 정류기 정류기 브리지 | Ag-Easy1b | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 3 단계 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 25 a | - | 5.6 µA | 예 | 4.77 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS4620DPBF | - | ![]() | 8517 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 140 W. | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 12a, 22ohm, 15V | 68 ns | - | 600 v | 32 a | 36 a | 1.85V @ 15V, 12A | 75µJ (on), 225µJ (OFF) | 25 NC | 31ns/83ns |
일일 평균 RFQ 볼륨
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