SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 - 최대 현재 -홀드 (ih) (최대) 테스트 테스트 현재의 전압 전압 - 분리 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 현재- it (it (av)) (max) 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f scrs, 수 다이오드 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 @ if, f 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BSO301SPNTMA1 Infineon Technologies BSO301SPNTMA1 -
RFQ
ECAD 6625 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12.6A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 14.9a, 10V 2V @ 250µA 136 NC @ 10 v ± 20V 5890 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
AUIRFP46310Z Infineon Technologies AUIRFP46310Z -
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BC847CE6433HTMA1 Infineon Technologies BC847CE6433HTMA1 0.3600
RFQ
ECAD 237 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies IKZ50N65EH5XKSA1 7.3100
RFQ
ECAD 1144 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 5 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKZ50N65 기준 273 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 12ohm, 15V 53 ns 도랑 650 v 85 a 200a 2.1V @ 15V, 50A 410µJ (on), 190µJ (OFF) 109 NC 20ns/250ns
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies irf6629tr1pbf -
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 29A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10V 2.35V @ 100µa 51 NC @ 4.5 v ± 20V 4260 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 100W (TC)
IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies IGW40N65H5FKSA1 4.7200
RFQ
ECAD 4930 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop® 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IGW40N65 기준 255 w PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 20A, 15ohm, 15V - 650 v 74 a 120 a 2.1V @ 15V, 40A 390µJ (ON), 120µJ (OFF) 95 NC 22ns/165ns
BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC022N04LSATMA1 1.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC022 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IPT012N06NATMA1 Infineon Technologies IPT012N06NATMA1 6.2800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT012 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 240A (TC) 6V, 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.3V @ 143µA 124 NC @ 10 v ± 20V 9750 pf @ 30 v - 214W (TC)
FS10R12YE3BOMA1 Infineon Technologies FS10R12YE3BOMA1 -
RFQ
ECAD 6402 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 FS10R12 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 20
IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTC007N06NM5ATMA1 6.7000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 16-Powersop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-16-U01 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 60 v 52A (TA), 454A (TC) 6V, 10V 0.75mohm @ 150a, 10V 3.3V @ 280µA 261 NC @ 10 v ± 20V 21000 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 375W (TC)
IPP08CN10L G Infineon Technologies IPP08CN10L g -
RFQ
ECAD 5742 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP08C MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 98A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 98a, 10V 2.4V @ 130µA 90 NC @ 10 v ± 20V 8610 pf @ 50 v - 167W (TC)
IRG4IBC30W Infineon Technologies irg4ibc30w -
RFQ
ECAD 7887 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 irg4ibc 기준 45 W. PG-to220-FP 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irg4ibc30w 귀 99 8541.29.0095 50 480v, 12a, 23ohm, 15v - 600 v 17 a 92 a 2.7V @ 15V, 12a 130µJ (on), 130µJ (OFF) 51 NC 25ns/99ns
FB10R06KL4GBOMA1 Infineon Technologies FB10R06KL4GBOMA1 -
RFQ
ECAD 6581 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 FB10R06 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 20
IPP120N06NGAKSA1 Infineon Technologies IPP120N06NGAKSA1 -
RFQ
ECAD 5715 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 12MOHM @ 75A, 10V 4V @ 94µA 62 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 30 v - 158W (TC)
IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon Technologies IPB180N04S4L01ATMA1 1.9606
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB180 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 180A (TC) 4.5V, 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 2.2V @ 140µA 245 NC @ 10 v +20V, -16V 19100 pf @ 25 v - 188W (TC)
BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC009NE2LS5ATMA1 2.1900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC009 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 41A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 16V 3900 pf @ 12 v - 2.5W (TA), 74W (TC)
MMBD914LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBD914LT1HTSA1 0.3900
RFQ
ECAD 57 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD914 기준 PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 75 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
BTS113AE3045ANTMA1 Infineon Technologies bts113ae3045antma1 -
RFQ
ECAD 7158 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수가 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 11.5A (TC) 4.5V 170mohm @ 5.8a, 4.5v 2.5V @ 1mA ± 10V 560 pf @ 25 v - 40W (TC)
IM323M6G2XKMA1 Infineon Technologies IM323M6G2XKMA1 11.1600
RFQ
ECAD 7105 0.00000000 인피온 인피온 CIPOS ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 26-powerdip ip (1.043 ", 26.50mm) IGBT IM323M6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 240 3 상 인버터 10 a 600 v 2000VRMS
AUIRF4905L Infineon Technologies AUIRF4905L -
RFQ
ECAD 3083 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521094 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 55 v 42A (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 200W (TC)
BA885E6327HTSA1 Infineon Technologies BA885E6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 3885 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BA885E PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.6pf @ 10V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
IRFR3505PBF Infineon Technologies IRFR3505PBF -
RFQ
ECAD 3518 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 13mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 140W (TC)
T430N18TOFXPSA1 Infineon Technologies T430N18TOFXPSA1 142.8878
RFQ
ECAD 8212 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AA T430N18 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 18 300 MA 1.8 kV 700 a 2 v 5200A @ 50Hz 200 MA 433 a 1 scr
IPA65R600C6 Infineon Technologies IPA65R600C6 1.0000
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 3.5V @ 210µA 23 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
BA895E6327 Infineon Technologies BA895E6327 0.0400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) SC-80 SCD-80 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.6pf @ 10V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
BSS84PWH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS84PWH6327XTSA1 0.3400
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS84 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 150MA (TA) 4.5V, 10V 8ohm @ 150ma, 10V 2V @ 20µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 19.1 pf @ 25 v - 300MW (TA)
SPP04N60S5BKSA1 Infineon Technologies SPP04N60S5BKSA1 -
RFQ
ECAD 6159 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP04N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200µA 22.9 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 50W (TC)
AUIRLR014N Infineon Technologies auirlr014n -
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518258 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 10A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
AUIRF1324S Infineon Technologies AUIRF1324S -
RFQ
ECAD 1535 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518994 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 24 v 195a (TC) 10V 1.65mohm @ 195a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 7590 pf @ 24 v - 300W (TC)
IRLR7821TRLPBF Infineon Technologies IRLR7821TRLPBF -
RFQ
ECAD 3500 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR7821 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001567356 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고