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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies IPU80R1K0CEBKMA1 -
RFQ
 ECAD 5784 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU80R MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 800 v 5.7A (TC) 10V 950mohm @ 3.6a, 10V 3.9V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 785 pf @ 100 v - 83W (TC)
BSM30GP60B2BOSA1 Infineon Technologies BSM30GP60B2BOSA1 -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 BSM30G 180 w 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 - 600 v 50 a 2.45V @ 15V, 30A 500 µA 예 1.6 NF @ 25 v
BSP716NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP716NH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP716 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 2.3A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.3a, 10V 1.8V @ 218µA 13.1 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
DD540N26KHPSA1 Infineon Technologies DD540N26KHPSA1 378.1100
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD540N26 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 짐 1 연결 연결 시리즈 2600 v 540A 1.48 V @ 1700 a 40 ma @ 2600 v -40 ° C ~ 150 ° C
IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies IRFS7734TRLPBF 3.0400
RFQ
 ECAD 797 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS7734 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 183A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 10150 pf @ 25 v - 290W (TC)
IGOT60R042D1AUMA2 Infineon Technologies IGOT60R042D1AUMA2 -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 20-Powersoic (0.433 ", 11.00mm 너비) Ganfet ((갈륨) PG-DSO-20-87 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v - - - - - - -
D841S45TXPSA1 Infineon Technologies D841S45TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5469 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 D841S45 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 6
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies DF1000R17IE4DB2BOSA1 793.6300
RFQ
 ECAD 5324 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 DF1000 6250 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 하나의 - 1700 v 2.45V @ 15V, 1000A 5 MA 예 81 NF @ 25 v
IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R220M1HXKSA1 11.0300
RFQ
 ECAD 443 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IMZ120 sicfet ((카바이드) PG-to247-4-1 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 13A (TC) 15V, 18V 220mohm @ 4a, 18V 5.7v @ 1.6ma 8.5 NC @ 18 v +23V, -7v 289 pf @ 800 v - 75W (TC)
IPD100N04S4L02ATMA1 Infineon Technologies IPD100N04S4L02ATMA1 2.6800
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD100 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 2.2V @ 95µA 156 NC @ 10 v +20V, -16V 12800 pf @ 25 v - 150W (TC)
TD92N08KOFHPSA1 Infineon Technologies TD92N08KOFHPSA1 -
RFQ
 ECAD 2915 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 TD92N - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 15
DD380N16AHPSA1 Infineon Technologies DD380N16AHPSA1 229.0200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD380N16 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 짐 2 독립 1600 v 380a 1.4 v @ 1500 a 25 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C
IRFH9310TRPBF Infineon Technologies irfh9310trpbf 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn IRFH9310 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 21A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 21a, 10V 2.4V @ 100µa 58 NC @ 4.5 v ± 20V 5250 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
AIDW30E60 Infineon Technologies AIDW30E60 -
RFQ
 ECAD 5295 0.00000000 인피온 인피온 * 튜브 활동적인 AIDW30 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 240
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LSATMA1 2.3400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC010 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 38A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 50A, 10V 2V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 139W (TC)
FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FP100R12KT4B11BOSA1 270.7100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FP100R12 515 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 예 6.3 NF @ 25 v
IDP2321XUMA1 Infineon Technologies IDP2321XUMA1 2.9096
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 IDP2321 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 2,500
FS35R12KE3GBPSA1 Infineon Technologies FS35R12KE3GBPSA1 109.1653
RFQ
 ECAD 2376 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS35R12 200 w 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 - 1200 v 55 a 2.15V @ 15V, 35A 5 MA 예 2.5 NF @ 25 v
SIDC14D120H8X1SA1 Infineon Technologies SIDC14D120H8X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4299 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 SIDC14D120 기준 호일에 호일에 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000481450 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1200 v 1.97 V @ 25 a 20 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 175 ° C 25A -
IPP048N04NGXKSA1 Infineon Technologies IPP048N04NGXKSA1 0.9568
RFQ
 ECAD 1777 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP048 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 70A (TC) 10V 4.8mohm @ 70a, 10V 4V @ 200µA 41 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 79W (TC)
AUIRL1404ZL Infineon Technologies AUIRL1404ZL -
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521256 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 2.7V @ 250µA 110 NC @ 5 v ± 16V 5080 pf @ 25 v - 200W (TC)
BC857BE6327HTSA1 Infineon Technologies BC857BE6327HTSA1 0.3600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 250MHz
IRFR3504ZTRR Infineon Technologies irfr3504ztrr -
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 50µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
PTFA142401FLV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA142401FLV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 1.5GHz LDMOS H-34288-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 35 10µA 2 a 240W 16.5dB - 30 v
IRF520NSTRRPBF Infineon Technologies IRF520NSTRRPBF -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
D820N22TXPSA1 Infineon Technologies D820N22TXPSA1 126.4900
RFQ
 ECAD 1307 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 마지막으로 마지막으로 섀시 섀시 DO-200AA, A-PUK D820N22 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 12 짐 2200 v 1.25 V @ 750 a 40 ma @ 2200 v -40 ° C ~ 180 ° C 820A -
SPP80N06S2-08 Infineon Technologies SPP80N06S2-08 -
RFQ
 ECAD 8591 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 25 v - 215W (TC)
AUIRFS8407-7TRL Infineon Technologies AUIRFS8407-7TRL 4.2900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRF8407 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 1.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 150µA 225 NC @ 10 v ± 20V 7437 pf @ 25 v - 231W (TC)
DD170N36KHPSA1 Infineon Technologies DD170N36KHPSA1 207.5600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD170N36 기준 BG-PB34AT-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1 연결 연결 시리즈 3600 v 170a 1.82 V @ 600 a 25 ma @ 3600 v 150 ° C
DD350N12K-K Infineon Technologies DD350N12K-K 162.8600
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 다운로드 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1 음극 음극 공통 1200 v 350a 1.28 V @ 1000 a 30 ma @ 1200 v 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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