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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	현재 -홀드 (ih) (최대)	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	scrs, 수 다이오드	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
IPG20N06S3L-23	-	RFQ	6688	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	IPG20N	MOSFET (금속 (()	45W		PG-TDSON-8-4	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000396304	귀 99	8541.29.0095	5,000	2 n 채널 (채널)					55V	20A		23mohm @ 16a, 10V	2.2V @ 20µA	42NC @ 10V		2950pf @ 25V	논리 논리 게이트
AUIRF2907ZS7PTL	-	RFQ	7200	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB		MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001516558	귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			75 v	180A (TC)	10V	3.8mohm @ 110a, 10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 v	± 20V	7580 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPB100N08S207ATMA1	2.3255	RFQ	3979	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB100	MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			75 v	100A (TC)	10V	6.8mohm @ 80a, 10V	4V @ 250µA	200 nc @ 10 v	± 20V	4700 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IRFSL4010PBF	3.9800	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	IRFSL4010	MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			100 v	180A (TC)	10V	4.7mohm @ 106a, 10V	4V @ 250µA	215 NC @ 10 v	± 20V	9575 pf @ 50 v	-	375W (TC)
IRLR8726TRPBF	0.6800	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IRLR8726	MOSFET (금속 (()			D-PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			30 v	86A (TC)	4.5V, 10V	5.8mohm @ 25a, 10V	2.35V @ 50µA	23 NC @ 4.5 v	± 20V	2150 pf @ 15 v	-	75W (TC)
IRF3315L	-	RFQ	1454	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA		MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRF3315L	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			150 v	21A (TC)	10V	82mohm @ 12a, 10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	1300 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 94W (TC)
SPW20N60C3FKSA1	6.6600	RFQ	2	인피온 인피온	Coolmos ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	SPW20N60	MOSFET (금속 (()			PG-to247-3-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	30			n 채널			650 v	20.7A (TC)	10V	190mohm @ 13.1a, 10V	3.9V @ 1mA	114 NC @ 10 v	± 20V	2400 pf @ 25 v	-	208W (TC)
IRFB7446PBF	1.4700	RFQ	4	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IRFB7446	MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			40 v	120A (TC)	6V, 10V	3.3mohm @ 70a, 10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 v	± 20V	3183 pf @ 25 v	-	99W (TC)
SPD03N60C3BTMA1	-	RFQ	2270	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	SPD03N	MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-11	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			650 v	3.2A (TC)	10V	1.4ohm @ 2a, 10V	3.9V @ 135µA	17 nc @ 10 v	± 20V	400 pf @ 25 v	-	38W (TC)
IRFSL7430PBF	-	RFQ	1788	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IRFSL7430	MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001557608	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			40 v	195a (TC)	6V, 10V	1.2MOHM @ 100A, 10V	3.9V @ 250µA	460 nc @ 10 v	± 20V	14240 pf @ 25 v	-	375W (TC)
BSC090N03MSGATMA1	-	RFQ	7816	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC090	MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8-5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			30 v	12A (TA), 48A (TC)	4.5V, 10V	9MOHM @ 30A, 10V	2V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 32W (TC)
irlms6802tr	-	RFQ	3153	인피온 인피온	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	SOT-23-6		MOSFET (금속 (()			Micro6 ™ (SOT23-6)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000			p 채널			20 v	5.6A (TA)		50mohm @ 5.1a, 4.5v	1.2V @ 250µA	16 nc @ 5 v		1079 pf @ 10 v	-
irfiz48vpbf	-	RFQ	1724	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()			TO-220AB Full-Pak	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			60 v	39A (TC)	10V	12MOHM @ 43A, 10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	1985 pf @ 25 v	-	43W (TC)
BSS315PL6327HTSA1	-	RFQ	6022	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()			PG-SOT23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			p 채널			30 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	150mohm @ 1.5a, 10V	2V @ 11µA	2.3 NC @ 5 v	± 20V	282 pf @ 15 v	-	500MW (TA)
IRF7104PBF	-	RFQ	8767	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	IRF71	MOSFET (금속 (()	2W		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	95	2 p 채널 (채널)					20V	2.3a		250mohm @ 1a, 10V	3V @ 250µA	25NC @ 10V		290pf @ 15V	논리 논리 게이트
PTFA092213ELV4R250XTMA2	-	RFQ	1987	인피온 인피온	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001128134	귀 99	8541.29.0075	250
IRFS7537PBF	-	RFQ	8726	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	튜브	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()			D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			60 v	173A (TC)	6V, 10V	3.3mohm @ 100a, 10V	3.7V @ 150µA	210 nc @ 10 v	± 20V	7020 pf @ 25 v	-	230W (TC)
IPB100N06S3L-03	-	RFQ	7059	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	IPB100N	MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-2	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			55 v	100A (TC)	5V, 10V	2.7mohm @ 80a, 10V	2.2V @ 230µA	550 NC @ 10 v	± 16V	26240 pf @ 25 v	-	300W (TC)
IPP070N08N3 g	-	RFQ	1510	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP070N	MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500			n 채널			80 v	80A (TC)	6V, 10V	7MOHM @ 73A, 10V	3.5V @ 73µA	56 NC @ 10 v	± 20V	3840 pf @ 40 v	-	136W (TC)
IPB60R230P6ATMA1	-	RFQ	9288	인피온 인피온	Coolmos ™ P6	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA	IPB60R	MOSFET (금속 (()			PG-to263-3-1	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001364466	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			600 v	16.8A (TC)	10V	230mohm @ 6.4a, 10V	4.5V @ 530µA	31 NC @ 10 v	± 20V	1450 pf @ 100 v	-	126W (TC)
IPD90N04S404ATMA1	1.6000	RFQ	4	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD90	MOSFET (금속 (()			PG-to252-3-313	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			40 v	90A (TC)	10V	4.1MOHM @ 90A, 10V	4V @ 35.2ma	43 NC @ 10 v	± 20V	3440 pf @ 25 v	-	71W (TC)
BFR193FH6327XTSA1	0.5400	RFQ	9	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-723	BFR193		580MW		PG-TSFP-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000					12.5dB																						12V	80ma		NPN		70 @ 30MA, 8V	8GHz			1db ~ 1.6db @ 900MHz ~ 1.8GHz
BCR 166F E6327	-	RFQ	1601	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SOT-723	BCR 166		250 MW		PG-TSFP-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																											50 v	100 MA	100NA (ICBO)	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	160MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IRF7807PBF	-	RFQ	4953	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()			도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001570512	귀 99	8541.29.0095	95			n 채널			30 v	8.3A (TA)	4.5V	25mohm @ 7a, 4.5v	1V @ 250µA	17 nc @ 5 v	± 12V		-	2.5W (TC)
BC807-25B5000	0.0200	RFQ	1	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			330 MW		PG-SOT23	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	10,000																											45 v	500 MA	100NA (ICBO)	PNP	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	200MHz
IPC60R099C6UNSANGX6SA1	-	RFQ	2181	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는				IPC60R					-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000910384	쓸모없는	0000.00.0000	1							-
D2520N22TVFXPSA1	408.0400	RFQ	4	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인		섀시 섀시	DO-200AC, K-PUK	D2520N22	기준			BG-D7526K0-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4		짐																				75 ma @ 2200 v	-40 ° C ~ 175 ° C	2520A	-
IRF6614TR1	-	RFQ	2142	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 st		MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ st	다운로드	rohs 비준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	SP001525534	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			40 v	12.7A (TA), 55A (TC)	4.5V, 10V	8.3mohm @ 12.7a, 10V	2.25V @ 250µA	29 NC @ 4.5 v	± 20V	2560 pf @ 20 v	-	2.1W (TA), 42W (TC)
TD104N12KOFHPSA1	-	RFQ	6083	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 140 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TD104N12			시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	15				200 MA												1.4kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a					1 scr, 1 다이오드
IRF3717TRPBF-1	-	RFQ	5547	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()			8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001551068	귀 99	8541.29.0095	4,000			n 채널			20 v	20A (TA)	4.5V, 10V	4.4mohm @ 20a, 10V	2.45V @ 250µA	33 NC @ 4.5 v	± 20V	2890 pf @ 10 v	-	2.5W (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²