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불연속 불연속 제품 (16626)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	입력	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	속도	FET 유형	테스트 테스트	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	NTC 스터 서머	입력 입력 (cie) @ vce	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BSZ0911LSATMA1	0.6400	RFQ	30	인피온 인피온	Optimos ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSZ0911		MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8 FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			30 v	12A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	10 nc @ 10 v	± 20V	670 pf @ 15 v	-	-
BAS12507WE6327HTSA1	-	RFQ	3687	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-82A, SOT-343	BAS12507		Schottky			PG-SOT343-3D	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도														2 독립	25 v	100MA (DC)	950 MV @ 35 MA		150 na @ 25 v	150 ° C (°)
BSO301SPNTMA1	-	RFQ	6625	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)			MOSFET (금속 (()			PG-DSO-8	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500			p 채널			30 v	12.6A (TA)	4.5V, 10V	8mohm @ 14.9a, 10V	2V @ 250µA	136 NC @ 10 v	± 20V	5890 pf @ 25 v	-	2.5W (TA)
bts113ae3045antma1	-	RFQ	7158	인피온 인피온	Tempfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			MOSFET (금속 (()			TO-220AB	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			60 v	11.5A (TC)	4.5V	170mohm @ 5.8a, 4.5v	2.5V @ 1mA		± 10V	560 pf @ 25 v	-	40W (TC)
FF200R12KE3B2HOSA1	197.5400	RFQ	1830	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	FF200R12			1050 w	기준	기준 기준	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	반 반																								-	1200 v	295 a		2.15V @ 15V, 200a				5 MA	아니요	14 nf @ 25 v
IRGB30B60KPBF	-	RFQ	1963	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		기준		370 W.		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000				400V, 30A, 10ohm, 15V																					NPT	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V, 30A	350µJ (on), 825µJ (OFF)	102 NC	46ns/185ns
BCR116E6433HTMA1	0.0495	RFQ	7798	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCR116			200 MW		PG-SOT23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	10,000																										50 v	100 MA						100NA (ICBO)			npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	150MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
IPTC007N06NM5ATMA1	6.7000	RFQ	1	인피온 인피온	Optimos ™ 5	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	16-Powersop op			MOSFET (금속 (()			PG-HDSOP-16-U01	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,800			n 채널			60 v	52A (TA), 454A (TC)	6V, 10V	0.75mohm @ 150a, 10V	3.3V @ 280µA	261 NC @ 10 v	± 20V	21000 pf @ 30 v	-	3.8W (TA), 375W (TC)
IPB180N04S4L01ATMA1	1.9606	RFQ	9871	인피온 인피온	자동차, AEC-Q101, Optimos ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	IPB180		MOSFET (금속 (()			PG-to263-7-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			40 v	180A (TC)	4.5V, 10V	1.2MOHM @ 100A, 10V	2.2V @ 140µA	245 NC @ 10 v	+20V, -16V	19100 pf @ 25 v	-	188W (TC)
irf6629tr1pbf	-	RFQ	1640	인피온 인피온	Hexfet®	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DirectFet ™ ™ 메트릭 MX			MOSFET (금속 (()			DirectFet ™ MX	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			25 v	29A (TA), 180A (TC)	4.5V, 10V	2.1mohm @ 29a, 10V	2.35V @ 100µa	51 NC @ 4.5 v	± 20V	4260 pf @ 13 v	-	2.8W (TA), 100W (TC)
IRFS7730trl7pp	3.7000	RFQ	2	인피온 인피온	Strongirfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	IRFS7730		MOSFET (금속 (()			D2PAK (7- 리드)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			75 v	240A (TC)	6V, 10V	2MOHM @ 100A, 10V	3.7V @ 250µA	428 NC @ 10 v	± 20V	13970 pf @ 25 v	-	375W (TC)
irg4ibc30w	-	RFQ	7887	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	irg4ibc	기준		45 W.		PG-to220-FP	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*irg4ibc30w	귀 99	8541.29.0095	50				480v, 12a, 23ohm, 15v																					-	600 v	17 a	92 a	2.7V @ 15V, 12a	130µJ (on), 130µJ (OFF)	51 NC	25ns/99ns
AUIRFP46310Z	-	RFQ	3344	인피온 인피온	*	대부분	활동적인										-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1
BSC022N04LSATMA1	1.6300	RFQ	4	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	BSC022		MOSFET (금속 (()			PG-TDSON-8-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000			n 채널			40 v	100A (TC)	4.5V, 10V	2.2mohm @ 50a, 10V	2V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	2600 pf @ 20 v	-	2.5W (TA), 69W (TC)
IPT012N06NATMA1	6.2800	RFQ	1	인피온 인피온	최적화 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-Powersfn	IPT012		MOSFET (금속 (()			PG-HSOF-8-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000			n 채널			60 v	240A (TC)	6V, 10V	1.2MOHM @ 100A, 10V	3.3V @ 143µA	124 NC @ 10 v	± 20V	9750 pf @ 30 v	-	214W (TC)
BC848CWE6327BTSA1	-	RFQ	3187	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC848			250 MW		PG-SOT323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000																										30 v	100 MA						15NA (ICBO)			NPN	600mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	250MHz
SPN01N60C3	-	RFQ	5670	인피온 인피온	Coolmos ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	SPN01N		MOSFET (금속 (()			PG-SOT223-4	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			650 v	300MA (TA)	10V	6ohm @ 500ma, 10V	3.7V @ 250µA	5 nc @ 10 v	± 20V	100 pf @ 25 v	-	1.8W (TA)
IRFSL4710PBF	-	RFQ	6266	인피온 인피온	Hexfet®	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA			MOSFET (금속 (()			TO-262	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRFSL4710pbf	귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			100 v	75A (TC)	10V	14mohm @ 45a, 10V	5.5V @ 250µA	170 nc @ 10 v	± 20V	6160 pf @ 25 v	-	3.8W (TA), 200W (TC)
BSM400GA120DLCOSA1	244.5380	RFQ	6605	인피온 인피온	-	쟁반	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	BSM400			2500 W	기준	기준 기준	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10	하나의																								-	1200 v	625 a		2.6V @ 15V, 400A				5 MA	아니요	26 NF @ 25 v
SIDC04D60F6X1SA3	-	RFQ	1806	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는		표면 표면	주사위	SIDC04		기준			호일에 호일에	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)															600 v		1.6 V @ 9 a		27 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C	9a	-
BCR 166L3 E6327	-	RFQ	7083	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다		표면 표면	SC-101, SOT-883	BCR 166			250 MW		PG-TSLP-3-4	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000																										50 v	100 MA						100NA (ICBO)			pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	70 @ 5MA, 5V	160MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
irg7pg42udpbf	-	RFQ	1074	인피온 인피온	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	irg7pg	기준		320 w		TO-247AC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001532794	귀 99	8541.29.0095	25				600V, 30A, 10ohm, 15V																153 ns					도랑	1000 v	85 a	90 a	2V @ 15V, 30A	2.11mj (on), 1.18mj (OFF)	157 NC	25ns/229ns
IPP055N03LGXKSA1	1.2900	RFQ	3070	인피온 인피온	최적화 ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	IPP055		MOSFET (금속 (()			PG-to220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50			n 채널			30 v	50A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 30a, 10V	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 v	± 20V	3200 pf @ 15 v	-	68W (TC)
BFS 386L6 E6327	-	RFQ	9433	인피온 인피온	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	150 ° C (TJ)	표면 표면	6-xfdfn				210MW, 380MW		TSLP-6-1	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	15,000					10dB ~ 14.5dB																					6V	35ma, 80ma									2 NPN (()		60 @ 15ma, 3v / 60 @ 40ma, 3v	14GHz			1db ~ 1.6db @ 1.8ghz ~ 3GHz
IRFS7534TRLPBF	3.2100	RFQ	1	인피온 인피온	Hexfet®, StrongIrfet ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭)	IRFS7534		MOSFET (금속 (()			PG-to263-7	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800			n 채널			60 v	195a (TC)	6V, 10V	2.4mohm @ 100a, 10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 v	± 20V	10034 pf @ 25 v	-	294W (TC)
IPD60R600CPATMA1	-	RFQ	1174	인피온 인피온	Coolmos ™ CP	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	IPD60R		MOSFET (금속 (()			PG-to252-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000680642	귀 99	8541.29.0095	2,500			n 채널			600 v	6.1A (TC)	10V	600mohm @ 3.3a, 10V	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 v	± 20V	550 pf @ 100 v	-	60W (TC)
IMBG65R022M1HXTMA1	23.5900	RFQ	8466	인피온 인피온	Coolsic ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA	IMBG65		sicfet ((카바이드)			PG-to263-7-12	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	448-IMBG65R022M1HXTMA1DKR	귀 99	8541.29.0095	1,000			n 채널			650 v	64A (TC)	18V	30mohm @ 41.1a, 18V	5.7v @ 12.3ma	67 NC @ 18 v	+23V, -5V	2288 pf @ 400 v	-	300W (TC)
SIPC10N65C3X1SA2	-	RFQ	8939	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-	-	-	SIPC10		-			-	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP001611950	귀 99	8541.29.0095	1			-				-	-	-	-		-		-	-
IPS80R1K2P7AKMA1	0.6448	RFQ	1246	인피온 인피온	Coolmos ™ P7	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	IPS80R1		MOSFET (금속 (()			PG-to251-3-342	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500			n 채널			800 v	4.5A (TC)	10V	1.2ohm @ 1.7a, 10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 v	± 20V	300 pf @ 500 v	-	37W (TC)
SGB02N120CT	-	RFQ	9419	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	SGB02N	기준		62 w		PG-to263-3-2	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0095	1				800V, 2A, 91OHM, 15V																					NPT	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V, 2A	220µj	11 NC	23ns/260ns

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

불연속 불연속 제품 (16626)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²